最新刊期
      2020 年 第 0 卷 0 期
      • 顾秉林,楼永明,高乃飞,熊家炯
        1985, 08(8)
        摘要：金属缺陷的研究工作一直是凝聚态物理中比较活跃的领域之一，这不但在学术上有重要价值，而且在实际应用领域有着深远意义。正电子技术使我们有可能在低浓度和Å尺度上研究缺陷的电子结构。通过金属缺陷的研究可以使我们加深缺陷对金属材料性能的影响的理解，以便找出提高材料性能的方法。本文我们研究了Cu中1、2、3、4、6、9、10、13、15空位团，Cu中H-、He－空位团复合体（1、2、3空位）的电子结构和正电子湮没寿命谱。我们采用胶体模型，利用密度泛函理论和交换能关联能的局域密度近似。在本模型中我们对缺陷作了球对称近似，这时正电荷分布next（r）为：  
        关键词：正电子湮没寿命;空位团;杂质   
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        发布时间：2022-09-13
      • 章勇
        1985, 08(8)
        摘要：在Manninen等人的理论计算的基础上，根据无逃逸模型（即正电子被单空位捕获后一般不能逃逸）提出了一种计算正电子在金属单空位中寿命的简单方法。  
        关键词：正电子;寿命;单空位;金属   
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      • 谌季强,汪克林,龙期威
        1985, 08(8)
        摘要：在Thomas-Fermi近似的非均匀电子气理论和凝胶模型的意义下，计算和讨论了铝中刃位错深捕获模型和浅捕获模型的正电子束缚能，结果表明：与Hautojärvi实验结果符合的位错模型是深捕获模型，Hautojärvi给出的Eb估计值太小，但我们发现，在保持与实验寿命值和角关联曲线符合的前提下，可以降低先前空心柱孔模型和线性膨胀模型给出的Eb，我们得到Eb≈1.6eV（不引入核心电子的影响）或Eb≈2.3eV （引入核心电子湮没的影响）；Peierls-Nabarro位错点阵模型是一个浅捕获模型，它给出正电子湮没寿命值仅为183ps，但Eb=1.1eV,表明尽管浅位错（因而可以认为是纯位错）离子密度不太低，引起的湮没效应比较弱，但它对正电子的捕获倒可能是强的，甚至可以与空位相比。我们看到，湮没效应的强弱与捕获效应的强弱并不总是一一对应的，它们之间具有相对的独立性，前者反映了正电子在实空间的局域，后者则反映了正电子在能态空间的状态。之所以在位错的计算中体现了二者意义上的差异，我们认为主要是由于位错在空间上的延展性决定的。  
        关键词：Thomas-Fermi近似;位错;深捕获模型;浅捕获模型;正电子束缚能   
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      • 何明科,林大航,饶建锡
        1985, 08(8)
        摘要：正电子素负离子（e-e+e-系统，即Ps-）是三体束缚态系统，它们之间的相互作用是纯轻子的电磁相互作用，所以Ps-是一检验QED理论以及量子力学多体理论的较理想的系统。  
        关键词：负离子;正电子素负离子   
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      • 汪克林,顾一鸣,吴自玉
        1985, 08(8)
        摘要：关于增强因子的讨论方法各异。其中实用性较强的是Brandt和Reinheimer提出的含有增强因子的计算湮没率的经验公式  
        关键词：增强因子   
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        发布时间：2022-09-13
      • 刘速,熊良钺,龙期威
        1985, 08(8)
        摘要：本文按位错连续统理论，并考虑了位错表面象力的作用，对裂纹前端范性区中位错密度平衡分布进行了计算，且得到范性区尺寸与外加应力及介质有限尺寸的关系。与未计及表面象力时（即把介质视为无限的）计算的结果相比较：考虑了表面象力的作用，依然存在正负位错区，且正负位错区的相对比例与外加应力的大小关系不大，这与无限介质时的结果是相似的；不同的是：（1）由于位错表面象力的作用是把位错拉向介质表面，所以在计及位错表面象力的情况下比在无限介质时的范性区大了许多，且范性区边界距表面越近（即范性区尺寸越大）这一作用就越显突出；（2）在无限介质时范性区随应力水平的增加而一直增加；而当存在位错表面象力时，应力水平（α）则存在一临界值αc，当α＜αc时，表面象力作用的结果使得范性区增大；当α≥αc时，范性区前端的位错被拉向介质表面区域，出现韧带屈服。  
        关键词：裂端范性区;位错象力;位错分布   
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        发布时间：2022-09-13
      • 汪克林,吴自玉,顾一鸣
        1985, 08(8)
        摘要：我们试图改进通常捕获模型在常温下所得到的结果。在低温下研究正电子捕获特性有一定的意义。我们由近似关系式  
        关键词：捕获模型   
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      • 谌季强,汪克林,龙期威
        1985, 08(8)
        摘要：晶体中空位型缺陷提供了一个正电子捕获势阱，我们以铝为钊，计算和讨论了几种不同形式的二维柱对称势阱对基态正电子的局域、湮没及其与缺陷宽度的依赖特性，得到的结论是：1）对取值有界的缺陷势阱，随缺陷宽度变化总存在使得正电子波函数局域在缺陷中心最强的尺寸Rl；2）正电子湮没寿命随缺陷宽度变化的曲线在大于Rl以后才开始明显出现饱和效应；3）中空类型缺陷当其宽度大于一定尺寸Rs以后出现表面效应，Rs远大于Rl；4）存在着下列不等式：Rs晶界＜Rs空心柱孔＜Rs空心球洞。  
        关键词：空位型缺陷;正电子捕获势阱;缺陷宽度;正电子波函数   
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      • 熊良钺
        1985, 08(8)
        摘要：在通常的正电子寿命测量中，由于分辨函数不能完全确定和正电子在样品外的湮没所引进的虚假分量造成了较大的系统误差。因此，Aldi等提出了差分方法，即直接比较两个有微小变化的寿命谱，从而估计正电子平均寿命之差，但在实际测量中，存在着困难。本文在这个基础上，以测量非晶态材料（Fe67Co18Si1B14）退火后正电子寿命的变化为例，较详细地描述了作者所用的差分方法测量过程，并讨论了差分方法的基础和确定发生了变化因素的困难，提出模拟计算的方法，得到如下结论：  
        关键词：正电子寿命;差分分布;模拟计算   
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      • 谌季强,汪克林,龙期威
        1985, 08(8)
        摘要：Arponen等曾计算了铝中刃位错的正电子湮没效应，在理论上解释了Hautojärvi的变形铝正电子湮没实验，我们采用他们的理论方法，但简化了他们的位错模型，用空心柱孔模型计算了变形铝的正电子湮没效应，得到了与Arponen等结果一致、与Hautojärvi实验符合的结果，角关联曲线亦有所改善。计算结果表明：1）在凝胶模型的意义下，若晶体中存在半径为0.93Å的空心柱孔，就将给出与Hautojärvi实验符合的结果；2）Arponen等的模型中的位错弹性理论部分对角关联曲线的计算意义不大。我们看到，一方面位错中心对正电子的捕获可能是较强的，因而对总的湮没效应贡献很大；另一方面也存在着变形铝正电子湮没效应是由一系列微空位所贡献的可能性。  
        关键词：位错;空心柱孔模型;正电子湮没   
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      • 李作新,沈方清
        1985, 08(8)
        摘要：根据有关理论，在热平衡下单、双空位浓度C1v、C2v之间的关系为  
        关键词：正电子湮没;缺陷   
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        发布时间：2022-09-13
      • 黄懋容,顾华,陈恩升,金汉民,宋继华,赵林娣
        1985, 08(8)
        摘要：金属钴在磁场中，随着磁场回火温度的升高，单轴磁感生各向异性常数（Ku）增加，Ku的增加是否由于金属钴内部产生空位所引起？本工作对磁场中或元磁场时不同回火温度的金属钴样品进行了正电子湮没S参数和寿命测量，试图了解感生各向异性的金属钴样品的内部结构有关问题。实验结果示于表和图1、2。实验的磁场强度为5554Oe。因为处理工艺条件的差异，使得图1和2中“•”和“。”曲线不重叠。从结果看到：在不同磁场回火温度中，随着磁场回火温度的升高，磁感生各向异性常数Ku变大（见表），而湮没平均寿命τ1和Doppler线型S参数均逐渐变小。也就是说随着磁场回火温度升高，钴样品内部结构愈趋完整，转矩愈大，所以Ku就大。反之磁场回火温度低，样品内空位愈多，τ1和S愈高，转矩小，ku值就小。从图看到在磁场中，回火温度对退空位作用大于无磁场时。在无磁场空冷中，因结构不同，400℃这一点的S参数和τ1值高于其他温度各点相应值。  
        关键词：磁感生各向异性;正电子湮没   
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      • 王蕴玉,刘年庆,田中卓,常香荣
        1985, 08(8)
        摘要：由于研究固溶度使用的手段受灵敏度和分辨能力的限制，稀土在钢铁中的固溶度迄今尚无准确的结果。曾经发表的值是不超过0.3～0.4wt%和在0.08～0.4wt%之间。  
        关键词：正电子湮没;固溶度;钕   
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      • 曹必松,郁伟中,顾秉林
        1985, 08(8)
        摘要：选用两对纯度为99.99%的退火铁样品1号和2号，将1号拉伸6.3%，2号拉伸10%，然后将1号样品用电解充氢法充氢两小时，充氢电流密度为64mA/cm2，将两组样品分别从室温逐步升温至250℃，测量各温度下样品的正电子寿命谱。测量结果用positronfit程序进行三寿命分量的分解。  
        关键词：正电子湮没;金属;氢脆   
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      • 章勇,郁伟中,曹必松,熊家炯
        1985, 08(8)
        摘要：用阴极充氢方法对1000℃退火Cu、1000℃淬火Cu、600℃淬火A1进行充氢，分别测量了充氢前后各组样品的寿命谱，用Positronfit程序解谱。结果表明充氢前后，与缺陷浓度相对应的正电子寿命参数I2随充氢电流密度的增加而有所起伏。  
        关键词：正电子寿命;缺陷;氢脆   
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      • 方江陵,陈荣钦,姚士冰,李稻根,周绍民
        1985, 08(8)
        摘要：1981年Vertes等人采用正电子湮没技术研究镍电镀层的结构时，在退火研究中却忽略了对镍镀层的物理性能有重要影响的渗氢和杂质的化学聚团作用。本文论述用正电子湮没寿命谱法研究暗镍和亮镍两类镀层退火时结构缺陷的运动规律，杂质化学聚团作用和再结晶行为。  
        关键词：镍电镀层;正电子湮没寿命谱   
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      • 郁伟中,曹必松,陈皓明,顾德荣
        1985, 08(8)
        摘要：低温电镀方法可在工件表面产生高硬度、耐磨的镀铁层，但工作于较高温度时耐磨性和硬度下降。本文研究在不同等时退火和等温退火条件下镀铁层内晶粒度、缺陷变化等情况。  
        关键词：正电子湮没;电镀层   
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      • 刘宝璋,李延琴,王树春
        1985, 08(8)
        摘要：正电子对材料内部原子尺度缺陷（如空位、空位团、微空洞等）十分敏感。本文介绍不同形变量的超塑性Al-6Cu-0.5Zr合金正电子寿命测量结果。用两态捕获模型分析，得出正电子湮没平均寿命与形变量的关系。  
        关键词：超塑性形变;空位;面缩率   
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      • 曹必松,郁伟中,熊家炯,常香荣,田中卓
        1985, 08(8)
        摘要：几十年来，人们对金属的氢致损伤问题的研究主要集中于金属的宏观力学性能和半微观性能。本文用正电子湮没技术研究氢对金属中小到原子尺度的微观结构的影响。  
        关键词：正电子湮没;金属;氢脆   
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      • 黄懋容,顾华,张予民
        1985, 08(8)
        摘要：Al-Ni二元系δ相理想成份为Ni2Al3o有文献报道，在其富A1端形成替代固溶体，而在富Ni端，Ni原子填在空缺的位置上，β相理想成份为NiAl，富Ni端形成替代式固溶体，在富A1端，形成Ni的缺位固溶体。按这样模型算出了价电子密度（Dv）和总电子密度（Dt）。计算的Dv和测得的S线型参数以及计算的Dt和测得的正电子湮没寿命τ1分别列在图1和图2。  
        关键词：二元系;正电子湮没   
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      • 彭郁卿,郑万辉,张怡萍,王景成,李炳仁
        1985, 08(8)
        摘要：Fe-Si-Al合金具有优异的磁性能，已知它是一种在冷却过程中含有有序-无序转变的材料，当Fe3Si1-xAlx的原子化学配比变化时出现两种有序结构：B2型和DO3型，如x＜0.5，则转变顺序为α-DO3型，它的临界转变温度为1050℃，有序度与热处理温度关系甚大。为了观察该合金空位对有序过程的影响，材料经高温固溶处理后在临界转变温度下于不同温度淬火，然后测湮没辐射多普勒展宽谱。  
        关键词：正电子湮没;Fe-Si-Al合金;空位;有序度   
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      • 王少阶,朱光渠,刘善宜
        1985, 08(8)
        摘要：用正电子湮没技术研究了新型永磁合金Mn-Al-C在500℃和550℃下的等温转变动力学过程和温热挤压对其微观结构的影响。下图示出了在相应温度下正电子平均寿命随退火时间的变化。高温ε相和挤压样品中的正电子平均寿命分别用□和Δ标出。  
        关键词：相变;挤压;位错;晶界   
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      • 何永枢,季国坤,石岩,金汉民
        1985, 08(8)
        摘要：SmCo5从～900℃急冷后，有很高的矫顽力，在～700℃回火后却急剧地下降，其原因至今还未完全搞清楚，我们对SmCo5的回火效应进行了研究。合金含36—36.5wt. %Sm，经1135℃烧结后，先降至1100℃保温30分钟，再降至900℃保温1小时，而后空冷至室温。样品在710℃氩气气氛保护下进行0—80分钟回火处理。实验结果见下图。  
        关键词：正电子湮没;内禀矫顽力   
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      • 彭郁卿,郑万辉,张怡萍,朱家璧,王景成,周长林,李炳仁,浦美芳
        1985, 08(8)
        摘要：所用材料是将1mm的带钢加热至1000℃进行固溶处理，再于冰水中淬火。冷轧NiCr和NiCrFe样品的压下量分别为60%和35%。样品的热处理均是在不同温度保温三小时后炉冷至室温。用分辨率为1.3keV（对25Sr 514keV γ）的Ge（Li）探测器系统测展宽谱。  
        关键词：正电子湮没;K－状态;NiCr;NiCrFe   
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        发布时间：2022-09-13
      • 刘尚进,周上祺,胡振纪
        1985, 08(8)
        摘要：本文测定了45钢试样从820℃淬火并经200℃、400℃、600℃和740℃保温1小时后炉冷的正电子寿命谱。实验在一般的快慢符合正电子谱仪上进行。22Na放射源的强度约为20µCi，仪器分辨率300ps左右，总计数约3×105。寿命谱的数据处理在微型计算机上进行，程序在单高斯函数拟合分辨函数的基础上作了近似处理，所得结果如图1所示。由图1可见，对于淬火试样，τ1和τ2的数值比较接近，I2＞I1。随着回火温度的增加，τ1减少I1增加，τ2增加I2减少，这与回火温度增加位错密度和点阵静畸变减少以及空位集中形成空位团相关。  
        关键词：金属;正电子湮没   
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        发布时间：2022-09-13
      • 刘尚进,胡振纪,周上祺
        1985, 08(8)
        摘要：本文利用正电子对金属微观结构的敏感性，测定了在不同淬火条件下低碳钢的正电子寿命谱，分析了在Ac3以上不同温度加热淬火时，正电子寿命与淬火温度和组织的关系。实验在快慢符合正电子谱仪上进行，用60Co测得的仪器时间分辨率约300ps，道宽44ps，源强约20µCi，谱搜集时间1×104秒，总计数3×105左右。用微机进行了数据处理，程序按最小二乘迭代法拟合实验谱，并在单高斯函数拟合分辨函数的基础上作了近似处理。配合定量金相法，分析了在两相区加热淬火时，铁素体与马氏体混合组织对正电子寿命的影响（图1—3）。按计权平均计算了两相区的正电子湮没寿命值（式中，为计权平均的正电子湮没率；为混合相的计权平均正电子寿命；λ1M和λ1F分别为马氏体和铁素体的正电子湮没率；VM和VF分别为马氏体和铁素体的相对含量）。计算结果和实验结果比较吻合，结果表明：  
        关键词：金属;正电子湮没   
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        发布时间：2022-09-13
      • 郁伟中,曹必松,熊家炯,石涌江,马莒生,陈祖方
        1985, 08(8)
        摘要：铁镍钴合金（型号4J29）是能和玻璃封接的定膨胀合金，主要用于晶体管、集成电路外引线等。由于存在延迟断裂问题，影响了元件的可靠性。本文用正电子湮没方法对4J29合金中氢损伤行为进行了探讨。  
        关键词：正电子湮没;合金;氢损伤   
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        发布时间：2022-09-13
      • 何永枢,黄懋容,王欣竹,马如璋,于恩华
        1985, 08(8)
        摘要：我们对含Ni量28～37wt.%的十一种合金的马氏体相变进行了研究。加工态合金（变形量＞60%）经液氮淬火后，正电子平均寿命和S参数值不变。因为冷加工产生的缺陷对正电子的捕获已达到饱和。  
        关键词：正电子湮没;马氏体相变   
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        发布时间：2022-09-13
      • 黄懋容,殷定贞,曹玔,张玉苓
        1985, 08(8)
        摘要：Co-Ga合金β相的点阵常数随at.%Ga成份而变化，在48at.%Ga处有一最大值。在富Co端能被解释为替代式固溶体，但在富Ga端存在什么类型固溶体？本文用正电子湮没寿命和S参数来研究Co-Ga体系中β相固溶体的类型。  
        关键词：正电子湮没;固溶体   
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        发布时间：2022-09-13
      • 王天民,下斗米道夫,堂山昌男
        1985, 08(8)
        摘要：Ni Al是一种金属间化合物，其结构与有序合金Cu3Au相同，是Ni基超耐热合金的主要强化相。在室温，成分范围为72.5～77at.%，化合比两侧形成替代式固溶体。理想成分的Ni3A1，到接近熔点附近仍保持有序结构。  
        关键词：金属;正电子湮没   
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        发布时间：2022-09-13
      • 顾华,何永枢,杨建华,张春生,赵连城
        1985, 08(8)
        摘要：Cu-Al-Zn-Mn-Ni为形状记忆合金。本文采用正电子湮没寿命和多普勒展宽参数的测量对该合金在不同工艺处理后的内部结构作进一步研究。熔炼两种成份合金，其化学成份和相变点如下表所示，试样均在865℃加热20min，然后分别淬入200—-196℃不同温度的冷却介质中，及热轧后水冷、热轧后冷轧和热轧后退火等14种不同的工艺处理。  
        关键词：正电子湮没;形状记忆合金;有效空位浓度   
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        发布时间：2022-09-13
      • 刘善宜,朱光渠,王少阶
        1985, 08(8)
        摘要：AlNiCo8永磁合金是目前国内外应用较为广泛、性能优异的磁性材料，但该材料磁性能的实际值只及理论值的25%。为了对宏观磁性及微观结构有深入的了解，应用正电子湮没技术对不同热处理及磁能积的样品，测试了正电子平均寿命。  
        关键词：正电子湮没;AlNiCo8合金   
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        发布时间：2022-09-13
      • 于恩华,任文贤,何永枢,黄懋容
        1985, 08(8)
        摘要：殷钢在使用中，如果发生马氏体相变，往往导致不良后果。例如Ni30-Fe因瓦型合金，由于马氏体的存在，会使磁性能变坏，从而限制了它在仪器仪表中的应用。本实验测量了Fe-Ni及含微量稀土元素的八种成分合金的多普勒展宽线形参数。由表可见，含Ni量28.22～30.04wt.%的三种退火态合金，经液氮淬火后，由于发生了马氏体相变，结果使S值增加了20%。  
        关键词：正电子湮没;殷钢;马氏体   
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        发布时间：2022-09-13
      • 杜凤牡,桂嘉年,王子孝
        1985, 08(8)
        摘要：本文采用电化学渗透法测定40CrNiMo钢840℃淬火、不同温度回火（100—700℃保温1小时空冷）对氢扩散系数D、表面溶解度C及正电子湮没多谱勒展宽线型参数S的影响，论证了正电子湮没参量与氢扩散行为间的关系。试料于840℃淬火，再进行不同温度（100—700℃）保温1小时空冷回火处理。实验观察到D、C及S随回火温度变化有对应关系，D较小时C较大，S也较大。淬火马氏体D值较低，C较大，S也较大，这是由于淬火组织主要是板条状位错缠结马氏体和部分片状孪晶马氏体，并包含较多淬火空位，这些点阵缺陷会捕获氢和正电子所造成的。100℃、200℃回火，D、C及S的变化不明显；300℃回火时D升高而C及S降低，300°C回火与材料回火脆性区对应。这表明S参数对伴随回火脆性的显微结构变化较敏感。从400℃起随回火温度升高，D增加而C及S均减低。这是由于400℃以上回火，马氏体中位错、孪晶等缺陷大量减少，碳化物质点长大，组织粗化，相界面明显减少，材料捕获氢及正电子的量逐渐减少所造成的。氢的扩散系数D与正电子湮没参量二者变化规律具有对应关系表明，在渗氢量不大的情况下，氢在缺陷处的填充效应与正电子在缺陷处的捕获效应近似对等。由于材料中部分氢可能以正离子形式存在，而质子与正电子具有相同电性，故可用正电子摸拟氢的行为。正电子湮没参量可在一定程度上提供氢在材料中扩散能力、溶解度等的讯息。正电子湮没技术可用于研究回火脆，似也可用于研究氢脆。  
        关键词：氢扩散;多谱勒展宽线性参数;回火脆性   
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        发布时间：2022-09-13
      • 饶建锡,林大航,蒋晓勤,王少阶
        1985, 08(8)
        摘要：在中、高速筒型柴油机中，缸套穴蚀现象极为普遍。穴蚀造成的破坏是严重的，它是一个主要常发故障。本文试图用正电子湮没技术探索研究穴蚀对材料破坏的微观过程。  
        关键词：正电子寿命;高磷合金;穴蚀   
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        发布时间：2022-09-13
      • 郁伟中,曹必松,顾秉林,冯平义,陈念贻
        1985, 08(8)
        摘要：实验所用非晶合金样品是由液态合金轧辊法制备的非晶薄带材，有Fe38Ni40Mo4B18、Fe82 Si5B13、（Fe0.5Ni0.5）78Si8B14、（Fe0.1Ni0.3Co0.55Mo0.05）78Si8B14等不同成分的非晶合金。各种材料又经过适当的热处理后完成非晶态的晶化过程作为相应的晶化样品。  
        关键词：正电子湮没;非晶合金Fe38Ni40Mo4B18   
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        发布时间：2022-09-13
      • 郑万辉,彭郁卿,张怡萍,王景成,苗建新
        1985, 08(8)
        摘要：若干作者已用角关联方法研究了晶态与非晶态合金的角关联曲线，发现差异甚小。本文尝试将Doppler展宽技术用于非晶电子结构研究，估测了Fe78Si5B17和Fe76Si15B9两组非晶合金及其晶化处理样品的动量分布和费米能。非晶材料由单辊急冷制成，探测器为锗探测器。实测的γ谱必须去除探测器的影响还原为本征谱，去卷积用迭代分解法，其分辨函数用85Sr的514 keV γ射线测定，去卷积的结果是满意的（图1）。动量分布、费米能和电子浓度由下式给出：  
        关键词：多普勒展宽;非晶合金;电子动量分布;费米能   
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        发布时间：2022-09-13
      • 朱警生,周军红,承芦华,熊良钺
        1985, 08(8)
        摘要：我们对x=0、0.5和1的三种非晶样品测量了正电子平均寿命和Doppler加宽线形参数。为了确定寿命值的微小变化，采用了差分方法。将正电子实验的结果与X射线径向分布函数的测量结果作了比较。三种样品的平均寿命τ为151—148ps，正电子取样的平均原子半径～1.67 Å，径向分布函数估计的平均原子间距r1/2～1.25Å，这表明正电子被局域在原子密度低于平均值的区域内。忽略库仑相互作用的非线性项，我们估计与这种低密度区相联系的自由体积～0.77（以Fe中一个单空位的自由体积为单位）。X射线的结果表明，随Cu浓度增加平均原子间距略有增加。但寿命和H、D参数却下降，W上升。这表明正电子并未被深度捕获，冻结在Cu邻近自由体积和Fe邻近自由体积中的赝势差足以造成正电子的空间分布在Cu邻近自由体积中的局部增强，导致湮没特性趋向Cu。冻结在Cu和Fe邻近自由体积之间的赝势差估计为～0.84eV。它可以作为局域势上限的一个粗略估计。  
        关键词：正电子湮没;非晶态   
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        发布时间：2022-09-13
      • 徐英华,王少阶,田德诚
        1985, 08(8)
        摘要：用正电子湮没寿命技术研究了非晶合金（Co0.85Ni0.08Fe0.06Nb0.01）75Si10B15的结构弛豫和晶化过程。样品取自宽42mm、厚0.035mm的快淬非晶条带，经X射线衍射证明是非晶态。样品在真空中不同温度下等时退火40分钟，处理后的样品在室温下进行正电子湮没寿命测量。同样样品在室温下进行热电动势测量，将结果和正电子寿命结果比较。  
        关键词：正电子湮没;非晶合金   
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        发布时间：2022-09-13
      • 殷定贞,顾华,曹玔
        1985, 08(8)
        摘要：我们测定了不同价态和化学性质差异较大的Fe2O3、CuO、Al2O3、ZnO、TiO2、BaO、PbO和MgO的正电子湮没率和湮没γ线的多普勒加宽线形参数。结果表明寿命谱的第一谱组份湮没率λ1和多普勒加宽线形参数S与鲍利提出的化合物的单键离子度基本上是线性关系。式中xA和xB分别为化合物中原子A和原子B的电负性。由图可见，随着键的离子度增大（共价成份减少），湮没率和多普勒加宽谱的宽度都要变小。  
        关键词：氧化物;正电子湮没;单键离子度   
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        发布时间：2022-09-13
      • 唐忠勋,田德诚,王少阶
        1985, 08(8)
        摘要：我们对金属玻璃（Fe0.6Ni0.4）82Si6B10在等温退火过程中的正电子寿命进行了测量（结果如图），退火温度为425℃。图中所示的正电子寿命值是单分量拟合的结果。为便于讨论，我们在图中还示出了同样样品的ΔS-ta曲线，ΔS是相对于Cu的热电势，X射线相分析证明了热电势显著变化的阶段与样品析出新的晶化物相对应。与热电势测量的结果相比较，整个寿命随退火时间的变化分为两大部分（以d点为界）：结构弛豫部分和晶化部分。  
        关键词：正电子湮没;金属玻璃   
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        发布时间：2022-09-13
      • 顾华,黄懋容,李从周,常英传
        1985, 08(8)
        摘要：钛酸锶（SrTiO3）单晶可作为红外光学材料和人工宝石，还可作为电极材料，在光的作用下分解水产生氢气，是开发太阳能源的研究途径之一。本工作测定了SrTiO3单晶在具有不同氧缺位浓度下的正电子湮没寿命谱和多普勒增宽谱。  
        关键词：正电子湮没;钛酸锶;氧缺位;准F心模型   
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      • 刘尚进,周上褀,郁伟中,曹必松,常伟,李存英
        1985, 08(8)
        摘要：掺钕的钇铝石榴石Y3Al5Oi2Nd（YAG/Nd）在位错密度较低时，晶体中心的高折射率心（核心）和色心是它的主要缺陷。用正电子寿命和多普勒增宽线形测量对YAG/Nd晶体进行研究，使用的寿命谱仪对60Co的FWHM约为285ps，源22Na约为10µCi，总计数为1×106，以三成分拟合，用Positronfit—Extended程序作数据处理。晶体样品1#均匀性较差，2#色心重,3#和4#均匀性较好。样品厚均为2mm，1#、2#、4#经1400℃退火处理，降温速率为40℃/h。测量是沿晶体中心向边缘逐点进行。多普勒增宽线形S参数如图1所示。样品1#的S参数变化无规则，表明缺陷分布不均；样品2#的S值最大，说明缺陷（色心）最多；样品3#的S参数变化小，说明它的均匀性好，但因未退火，缺陷还是较多，故S值仍较高；样品4#亦是比较均匀的，经退火，效果好、边缘缺陷明显下降，其S参数比其它样品都小。图2是色心重样品2#的缺陷捕获态正电子寿命τ2和强度I2。图中表明：心部强度高，说明中心的缺陷（色心）严重，而τ2值表明边缘的缺陷尺寸比心部大。  
        关键词：正电子湮没;缺陷;YAG/Nd晶体   
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      • 杨洪宁,林步镇,方俊鑫
        1985, 08(8)
        摘要：弛豫现象是碱卤晶体中非局域正电子素（简称dPs）的重要特性。已有的关于弛豫机制的研究表明，理论上还不能很好解释这种现象，计算结果也与实验值相差大。本文从碱卤离子晶体的微观特性出发，力图阐明弛豫机制来自离子电子云极化波对e+-e-的库仑屏蔽作用。注意到e+-e-间距离很小，考虑到了屏蔽势中短程力成份，理论上提出了半唯象模型。给出了电子云极化场与dPs互作用的总Hamiltonian:  
        关键词：非局域正电子素;弛豫;碱卤晶体   
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        发布时间：2022-09-13
      • 林步镇,杨洪宁,黄木贞,王江平
        1985, 08(8)
        摘要：实验所用的晶体沿＜100＞解理。60Co γ辐照剂量分别为5×104rad、5×105rad、1×106rad、5×106rad、1×107rad。吸收光谱测量使用岛津UV-360型光谱仪。为计算色心密度，全部测量均设置于同一吸收档。正电子寿命谱测量使用快－慢符合正电子寿命谱仪。谱仪的双高斯分辨函数的参数为：半高宽度W1=（0.35±0.02）ns，W2=（0.46±0.04）ns，相对强度I1=（68.7±1.0）%，I2=（31.3±1.0）%，中心相对位移为（0.061±0.002）ns。正电子源为10μCi的22Na，每个谱总计数不少于9×105，环境温度T=23.5±0.5℃。数据处理采用positronfit程序在B-1955计算机上进行。  
        关键词：正电子湮没;LiF晶体色心   
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        发布时间：2022-09-13
      • 林步镇,杨洪宁,李胜华
        1985, 08(8)
        摘要：本文研究了掺Ni2+的LiF晶体的正电子湮没特性。寿命谱测量使用快-慢符合正电子寿命谱仪，其双高斯分辨函数的参数为：半高宽度W1=242ps，W2=399ps；相对强度I1=61.4%，I2=38.6%；中心相对位移29ps。晶体由上海光学仪器研究所提供，用火焰原子吸收光谱仪测定Ni的含量。每个寿命谱总计数不少于9×105。测试的环境温度T=23±0.5℃。采用Posi-tronfit程序以三寿命成份拟合实验数据。结果（见表）表明，第三个成份的寿命和强度基本上不随样品变化（τs=（1.0±0.3）ns，I3=（2.0±0.5）%）,可以归结为源的影响；而另两个成份随着Ni2+浓度的增加，τ1稍微变长，I1增大；τ2基本上不变，但I2减小。  
        关键词：正电子湮没;LiF:Ni+2晶体   
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        发布时间：2022-09-13
      • 沈德勋,王文山,尹传元,滕敏康,耿兆华
        1985, 08(8)
        摘要：铌酸钾（简称KN）晶体是一种优良的非线性光学材料。它不仅在激光技术应用上有广阔的前景，而且对晶体缺陷、结构相变等基础理论研究亦可提供丰富的信息。  
        关键词：正电子寿命;色心;铌酸钾晶体   
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        发布时间：2022-09-13
      • 彭郁卿,郑万辉,张怡萍,李胜华
        1985, 08(8)
        摘要：LiF晶体是一种新型的激光物质，辐照能使其产生色心。我们用吸收光谱和湮没辐射多普勒展宽方法作了研究。  
        关键词：正电子湮没;吸收光谱;LiF单晶;γ－辐照;色心   
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        发布时间：2022-09-13
      • 徐远超,李凤霞,高乃飞,曹必松,郁伟中
        1985, 08(8)
        摘要：我们采用样品熔融－气体色谱分析方法测得氢气氛区熔的硅单硅中含氢量为1-1.5× 1017cm3，将这种硅单晶放在反应堆内辐照到2×1017n/cm2的中子剂量，然后作等时和等温退火，测量电阻率、正电子湮没寿命谱。  
        关键词：硅;辐照;正电子湮没   
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        发布时间：2022-09-13
      • 邱万川,王少阶,罗守礼,王荣敏,郭云英
        1985, 08(8)
        摘要：对于无位错Si单晶中的第三类自无序缺陷，究竟是空位型还是间隙型，已争论许多年。尚未得到统一的结论。这是因为对空位的直接观测，目前尚有困难。由于正电子湮没谱（PAS）对空位型缺陷具有选择的灵敏性，有可能为解决这一问题提供新的实验依据。  
        关键词：Si;缺陷;正电子寿命   
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        发布时间：2022-09-13
      • 邱万川,王少阶,罗守礼
        1985, 08(8)
        摘要：根据Brandt-Reinheimer模型，用一个与禁带宽度有关的增强因子f（rs, Eg）来考虑半导体中出现的禁带，而与正电子发生湮没的价电子，则仍然被当作自由电子气，得到半导体中正电子湮没的寿命：  
        关键词：半导体;硅;正电子湮没   
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        发布时间：2022-09-13
      • 戚盛勇,陈玲燕
        1985, 08(8)
        摘要：在80～300K的温区范围内测试了掺铬、掺碲的砷化镓单晶及中子辐照后高阻P型直拉硅及区熔硅的正电子湮没寿命谱。谱仪的FWHM为350ps，每个数据点的积分计数约106。实验结果如图1所示。  
        关键词：捕获截面;正电子湮没   
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        发布时间：2022-09-13
      • 施士元
        1985, 08(8)
        摘要：固体单体经γ射线辐照后所形成的离子或自由基会引起低温聚合。聚合过程中自由体积有变化。o-Ps的撞击湮没速率会有变化，Ps的形成也会受到影响。在PE及PS中辐照会使寿命谱改变。最长成份的I3会减少，这表示Ps形成遭到抑止。  
        关键词：自由基;角关联;构象体积   
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        发布时间：2022-09-13
      • 李光吉,龚克成,曹必松,郁伟中
        1985, 08(8)
        摘要：本文研究了以陶土作填充剂的顺丁硫化胶（BR）在热空气中老化后的正电子湮没寿命谱特性。正电子寿命谱用POSITRONFIT程序进行三寿命自由拟合分析。实验结果如表所示。  
        关键词：顺丁硫化胶;正电子湮没   
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        发布时间：2022-09-13
      • 陈玲燕,何求,丁亥,孙琳
        1985, 08(8)
        摘要：本文通过寿命谱和多普勒增宽谱测量来了解正电子在不同结晶度Teflon中的湮没机制。同时为获得长寿命驻极体提供信息。用FWHM=440ps的寿命谱仪测量了由等温退火和淬火而获得不同结晶度的Teflon样品。用X衍射测得等温退火样品的结晶度为74%称TEF（c），而淬火样品几乎看不到结晶峰称TEF（a）。用对106Ru的分辨率为1.14keV的高纯锗测量两种不同结晶度的多普勒增宽谱，算得S参数见表。  
        关键词：正电子湮没聚合物   
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        发布时间：2022-09-13
      • 王蕴玉,周光明,朱道本
        1985, 08(8)
        摘要：本工作用正电子湮没方法研究了几种新的电荷转移复合物型的有机导体。测定了在这些材料中正电子湮没的线形参数S、湮没寿命和3γ湮没相对产额。实验结果见下表。  
        关键词：正电子湮没;有机导体;电荷转移复合物   
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        发布时间：2022-09-13
      • 王淑英,殷定贞,蒋惠林,承芦华,周军红
        1985, 08(8)
        摘要：聚四氟乙稀中正电子湮没寿命谱已被分解为四个成份（见表1）。其中τ3的来源尚有争议。我们利用中国科技大学的一维角关联装置测量了从商品聚四氟乙烯棒材切下经不同处理的试样（φ20mm，厚2mm）中正电子湮没一维角关联曲线。根据X－衍射谱用纸样称重法估算了不同试样的结晶度，见表2。由图定性看出：（1）原始样和淬火样的角关联曲线中，相应于p-Ps自湮没的低动量成份显著高于退火样品。这与前二者中无定形区域比例较大因而Ps形成几率较高是一致的。（2）γ辐照剂量足够大（为21 Mrad）时，角关联曲线中低动量成份显著减少。这与试样在该条件下结晶区域增大有关，这时Ps形成受到抑制。以上趋势表明结晶度与Ps形成几率是关联的。  
        关键词：聚四氟乙烯;正电子湮没;一维角关联;寿命谱;结晶度   
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        发布时间：2022-09-13
      • 滕敏康,尹传元,沈德勋,薛美娜
        1985, 08(8)
        摘要：我们对国产聚四氟乙烯材料在空气中进行了60Co γ射线辐照，辐照剂量为1-6Mrad。测量、分析了不同辐照剂量时的正电子湮没寿命谱。得到的结果是：（1）τ3随剂量的增加轻微地降低；（2）I3随剂量的增加明显地下降；（3）I2/（I2+I3）值随剂量的增加明显地上升；（4）I2等其它参数基本上不受辐照的影响。  
        关键词：结晶度;C-F键;C-C键   
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        发布时间：2022-09-13
      • 刘武,沈德勋,施士元,周彩华,滕敏康
        1985, 08(8)
        摘要：硅橡胶是一种特种橡胶材料，用途十分广泛。我们用正电子湮没寿命谱方法对硅橡胶材料进行了测量分析。经过分析，第一寿命τ1看作为自由正电子湮没和p-Ps自湮没的结果；第二寿命τ2为正电子处在生胶大分子缠绕、交叠处和高温硫化胶交联处湮没的结果，第三寿命τ3应为样品中形成的o-Ps的Pick-off湮没的结果。正电子在硅橡胶中的寿命参数与硅橡胶的分子量、交联密度、大分子链的缠绕交叠等情况紧密相关。  
        关键词：正电子湮没;聚合物   
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        发布时间：2022-09-13
      • 曹必松,郁伟中,徐端夫
        1985, 08(8)
        摘要：薄片状的聚对苯二甲酸乙二酯（PET）样品由化学研究所的关家玉同志提供，密度为1.337 g/cm3，试样结晶度很小，几乎是非晶态的。将样品和源一起放入控温样品室内，在不同温度下测样品的正电子湮没寿命谱。  
        关键词：正电子湮没;PET;玻璃化转变   
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        发布时间：2022-09-13
      • 林后松,江逢英,洪茂椿,刘执平
        1985, 08(8)
        摘要：带有未配对电子的顺磁离子，能使溶液中形成的o-Ps转换成p-Ps，这个现象在五十年代就已开始研究，六十年代已做了较完整的理论分析。但用正电子湮没与电子自旋共振配合研究钼络合物尚未见到报告。  
        关键词：正电子湮没;酸解;Mo2O4   
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        发布时间：2022-09-13
      • 沈子威,钟毅,赵南明,陆祖荫
        1985, 08(8)
        摘要：生物膜是一个多脂组份系统，前人的工作是利用PAT测量生物膜的模型系统的结构相变，都采用单脂或双脂组份的磷脂脂质体为实验对象，根据测量结果推测多脂系统的行为。为了使模型系统更接近真实的生物膜，本工作以多脂的大豆磷脂（九种组份）脂质体为对象，用PAT测到了在-25℃—+20℃范围内－18℃、-4℃、+12℃处的三个相变点并与DSC测量结果作了比较，PAT结果给出了DSC未测出的－4℃处的相变点。  
        关键词：正电子湮没;相变   
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        发布时间：2022-09-13
      • 林后松,吴彰亮
        1985, 08(8)
        摘要：我们对水溶液体系做过除氧和不除氧的测量，结果表明低酸性（pH～5.8）一次去离子水受氧的影响不大，由此配制的溶液体系还能表现出Ps寿命的相对变化。  
        关键词：正电子素化学;实验基础   
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        发布时间：2022-09-13
      • 沈子威,高飞,赵南明
        1985, 08(8)
        摘要：本文通过对甲氧基苄叉丁基苯胺液晶相变的研究来解释这种液晶相变机理—分子自旋模型。液晶相变测量采用正电子湮没寿命谱仪，从本实验看这种方法比示差量热法优越，其敏感参量τ2，I2能很好地反映液晶分子的状态。  
        关键词：正电子湮没;液晶   
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        发布时间：2022-09-13
      • 张曼维,孙群,张志成
        1985, 08(8)
        摘要：本工作研究了顺磁性分子O2对液体苯、环己烷及异辛烷中o-Ps寿命的影响。已知，O2在液体中可以猝灭o-Ps，使o-Ps的寿命τ3下降，但对强度I3没有明显影响。本工作做了各种不同氧气分压下o-Ps寿命的变化情况，如图1、2所示。  
        关键词：o-Ps的猝灭;云团;顺磁性粒子   
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        发布时间：2022-09-13
      • 吴绪模,王东光
        1985, 08(8)
        摘要：对于多普勒增宽测量，必须精确定出增宽谱线的形状，配置的谱仪是否有极好的能量分辨率（FWHM）和极高的稳定度尤为重要。（1）根据湮没光子的能量范围（511keV），选用中等体积的单开端同轴型或平面型Ge（Li）、HPGe探测器为宜，既能节省投资，又能保证有足够的探测效率和极好的能量分辨率。  
        关键词：多普勒增宽;Ge(Li)谱仪   
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        发布时间：2022-09-13
      • 沈子威,陆祖荫
        1985, 08(8)
        摘要：本文是关于慢正电子束的获得及其应用的文献综述。（1）能量为leV左右慢正电子束的获得，通常是用22Na、58Co、68Ga、64Cu作为正电子源；还有用电子直线加速器的电子轰击Ta靶得到脉冲正电子源，由正电子源发射的正电子经慢化器（Cu、W叶片、复式MgO）就可以得到leV—几百eV的正电子慢化效率极限为10-3，一般可达10-5左右。为了使慢正电子单色化还要经一系列电子光学透镜才行。  
        关键词：慢正电子   
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        发布时间：2022-09-13
      • 钟毅,沈子威,陆祖荫,孙伯尧,桂立明
        1985, 08(8)
        摘要：本文介绍了我们自己设计的低能极化正电子装置及设计计算方法。首先用拉格朗日正电子运动方程计算电子枪I和电子枪Ⅱ的结构。电子枪I由六节圆筒和一对偏转镜组成，其作用是尽量收集由慢化器出来的能量为eV左右的慢正电子，并聚焦成半径为4mm的斑点，然后进入能量分析器。电子枪Ⅱ由九节圆筒和一对偏转镜组成，其功能是把由能量分析器出来的单色正电子再次聚焦成直径为4mm的光斑，而慢正电子能量可调节，分成400eV、1000eV二档。我们用有限差分法计算了轴对称场，模拟正电子轨迹。  
        关键词：低能极化正电子   
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        发布时间：2022-09-13
      • 王少阶
        1985, 08(8)
        摘要：正电子寿命谱仪是正电子湮没实验的基本装置，探头是影响谱仪时间分辨率的关键部件之一。目前国内正在工作的二十余台寿命谱仪中，进口设备占绝大多数。故探讨用国产光电倍增管及塑料闪烁体组装性能良好的探头具有现实意义，也为自建寿命谱仪提供合用的方案。  
        关键词：光电倍增管;时间分辨率   
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        发布时间：2022-09-13
      • 纪国林,丁亥,赵卫东
        1985, 08(8)
        摘要：VM（Vuilleumier）制冷机是一种直接使用热能来制冷的闭循环气体回热式制冷机，它应用气体热胀冷缩的原理，采用两个推移活塞，分别推动工质气体He在高、中、低不同温区迁移，由气体平均温度的变化来实现高温压缩、低温膨胀制冷。上海技术物理研究所研制的风冷式双级微型VM制冷机采用磁力往复直线联动装置，靠磁力传递机械能，将活塞与工质气体He完全密封在工作腔内，避免使用密封轴承，不存在一般制冷机中润滑轴承与保持工质气体纯度的矛盾，因此这种制冷机具有振动小、噪声低、磨损少、寿命长以及结构紧凑、效率高等优点。我们在样品架上增加一个加热线圈后，使控温范围为77～400K，控温精度在低温区为±0.3K，高温区为±0.2K，装上样品后从室温降到77K需要70min，加热时升温速率为2～3K/min。在降温使用时VM制冷机的制冷功率受热源功率和电机转速双重控制，我们用DWT-702温控仪的手动控制部分设置热源功率不变，再利用祥品架上装的铜－康铜热电偶与毫伏定值器比较，得出了一个差值信号，经放大及PID调节后去控制电机电源。我们使用铜－康铜热电偶测得控温精度在0.01mV以内。在室温以上使用时，制冷机不工作，将电机电源供给加热线圈，切换和控制不影响实验进行。  
        关键词：VM制冷机;磁力传动   
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        发布时间：2022-09-13
      • 陈翔光
        1985, 08(8)
        摘要：本文介绍三种时间游动测量方法并评价其优缺点。时间测量误差主要来源于三种形式：时间漂移、时间跳动和时间游动。后者是由于输入脉冲幅度和波形变化而引起，它在谱仪系统定时误差中是至关重要的。因此在许多场合需要测量它。根据我们工作实践的体会，归结出下面三种方法：  
        关键词：时间游动   
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        发布时间：2022-09-13
      • 李作前,戚盛勇
        1985, 08(8)
        摘要：正电子湮没技术中最常用的放射源是22Na薄膜源。通常把22Na的溶液滴在Ni箔或Mylar膜上。由于正电子在Mylar膜上的湮没，在寿命谱中往往有一个百分之几的长寿命成份，这对含有长寿命成份的样品的测试分析甚为不利。用1-2µm左右厚度的Ni箔作为22Na的衬底是比较理想的，但由于国内制造Ni膜受净化环境及其它条件的限制，制备的1—2µm的镍箔中存在很多针孔，用它作衬底制备22Na薄膜源就有一定的困难，也不安全。为此，我们摸索了制备22Na薄膜源的一种方法：利用有针孔的1.7µm的Ni箔，涂上一层—0.5µm左右的塑料薄膜作为衬底，比较安全可靠，用有无塑料膜保护的薄膜源对同一样品作了寿命谱的对比测试（见表）。  
        关键词：正电子源;寿命谱   
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        发布时间：2022-09-13
      • 刘年庆,王蕴玉
        1985, 08(8)
        摘要：本文介绍一个正电子湮没多普勒加宽能谱去褶积分解程序。作者采用最小二乘褶积法分解出正电子在材料中湮没的本征谱；计算电子动量分布及动量密度分布；并把本征谱分解成高斯成分和倒抛物线成分（或者二个高斯成分）。程序主要分成二部分，第二部分参照Kiyoshi shizuma提出的与模型无关的褶积法分解出湮没的本征谱。第二部分是用非线性最小二乘拟合迭代法分解本征谱，并计算弗米能Ef和湮没比值f。  
        关键词：正电子湮没;多普勒加宽;褶积   
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        发布时间：2022-09-13
      • 廖常庚,郑月兰,周瑞,袁俊谦,何海燕
        1985, 08(8)
        摘要：正电子湮没辐射角关联技术是正电子湮没谱学的基本手段之一。湮没辐射角关联曲线的测定能提供有关电子动量密度和费米面等方面的信息，并应用在金属、合金和固体材料等的研究中。本装置是测量2γ湮没辐射的一维快－慢符合角关联装置，它由一个扇形测量台和一个可移动的平台组成，总长约为4m。可动探头与样品装在测量台上，固定探头装在可移动的平台上，探头表面与样品之间的距离为1.5m，并可根据工作需要和辐射源强度的变化作适当的改变。转动手轮可驱动可动探头绕着样品的中心轴转动，转动的角度由测量台上的标尺读出。可动探头中心的角扫描范围为±30毫弧度。辐射源为10mCi的Na22，由专用架定位。辐射源和探头均用铅屏蔽。样品由样品架定位，其角度可作微小的调整。样品中产生的湮没辐射经过主、次两个准直器后由探头吸收测量。准直器的形状（圆孔或长缝）和大小（1—4mm）可以更换。典型的几何角分辨为0.66毫弧度。装置的对中由激光校准，水平由水准仪校准，移动平行度由加工精度保证。整个装置拆装和移动均比较方便。  
        关键词：角关联;角分辨;快－馒符合   
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        发布时间：2022-09-13
      • 尹传元
        1985, 08(8)
        摘要：本文提供一个消除仪器的时间分辨函数影响作多指数函数拟合计算正电子湮没寿命谱程序（NFIX ED）,其源程序是美国乔治亚大学徐孝华教授赠送的。这个程序只有一个主程序，无子程序，结构简单，适合用小型计算机处理数据。程序流程中，根据不固定或固定（寿命和强度）成分的需要分十二种情况进行处理，由指示变量（J6）来选择，变化灵活，效果显著。又使用解行列式的方法求修正参变量，进行迭代运算，避免了解方程的复杂程序设计。用此程序要注意以下几点：  
        关键词：正电子湮没;寿命谱;程序   
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        发布时间：2022-09-13
      • 冷满华,单六六
        1985, 08(8)
        摘要：该程序将正电子寿命谱看作是一至多个指数衰减函数与仪器分辨函数的卷积，使用最小二乘法进行拟合，从而可将寿命谱分解成一或多个寿命成份，并得到各成份的寿命值τl和相对强度Ij，以及正电子湮没的平均寿命τmean。与POSITRONFIT程序相比，它们的拟合结果是一致的，拟合方差可达到1～3左右。该程序在微处理机上就可运行，且计算结果与初值的选择无关，使用方便。  
        关键词：正电子湮没;寿命;程序   
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        发布时间：2022-09-13
      • 陈耀华,于文涛,邓新绿
        1985, 08(8)
        摘要：在正电子寿命谱测量中，要处理的数据有两类——分辨函数及寿命谱数据。由于二者同属非线性函数的拟合问题，故可归于同一程序中解决。本程序就是利用最小二乘原理观点而设计的。处理分辨函数是先用二次曲线拟合原始数据，而后用单高斯线型对原始数据进一步拟合，从而得到仪器的分辨率等重要参数。处理寿命谱是按多指数拟合。其初值的给出有两种形式，一种是由程序用剥皮法求得初值；另一种是人为输入初值，并可根据计算过程偏差的变化，方便地对输入初值进行调整。  
        关键词：分辨函数;寿命谱;非线性函数的最小二乘拟合   
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        发布时间：2022-09-13
      • 江少林,曹必松,何元金,郁伟中,熊家炯
        1985, 08(8)
        摘要：为了寻求一种能被正电子湮没寿命谱唯一确定而本身又有一定物理意义的谱参数，我们对正电子湮没寿命谱的归一化峰顶计数Sp进行了分析。  
        关键词：寿命谱;归一化峰顶计数;用于谱分析的可能性   
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        发布时间：2022-09-13
      • 席志刚,杨炳雄
        1985, 08(8)
        摘要：在正电子寿命谱的测量中，常用60Co源的瞬发符合分辨曲线以监测谱仪的时间分辨率。本文介绍一种用三个高斯曲线拟合分辨曲线计算仪器分辨率的计算机程序（根据需要可改为N高斯拟合曲线的计算机程序）。程序用BASIC语言编成，用小容量微处理机即可进行计算。  
        关键词：正电子湮没;分辨函数;程序   
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        发布时间：2022-09-13
      • 邓新绿,吴桂林
        1985, 08(8)
        摘要：在多寿命成分的情况下，当不存在长寿命成分时，首先利用实测分辨函数对实测寿命谱加以去卷积处理求得本征寿命谱，然后对多指数成分的本征谱进行一种特殊的线性化处理，从而求得各指数成分的参数。  
        关键词：分辨函数;实测谱;去卷积;本征谱;线性化   
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        发布时间：2022-09-13
      • 朱警生,周军红,承芦华
        1985, 08(8)
        摘要：本文叙述了当谱仪的时间分辨函数可以用单高斯曲线近似时，利用仅含一个寿命成份的标准样品寿命谱的分析确定寿命谱仪在正电子条件下分辨函数的方法。  
        关键词：正电子湮没;寿命谱仪;分辨函数   
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        发布时间：2022-09-13
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