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厦门大学
纸质出版日期:1985-11
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方江陵, 陈荣钦, 姚士冰, 等. 用正电子湮没寿命谱法研究退火对镍镀层结构的影响[J]. 核技术, 1985,08(8):11-12.
方江陵, 陈荣钦, 姚士冰, 等. 用正电子湮没寿命谱法研究退火对镍镀层结构的影响[J]. 核技术, 1985,08(8):11-12. DOI:
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1981年Vertes等人采用正电子湮没技术研究镍电镀层的结构时,在退火研究中却忽略了对镍镀层的物理性能有重要影响的渗氢和杂质的化学聚团作用。本文论述用正电子湮没寿命谱法研究暗镍和亮镍两类镀层退火时结构缺陷的运动规律,杂质化学聚团作用和再结晶行为。
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