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1.武汉大学
2.有色金属研究总院
纸质出版日期:1985-11
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邱万川, 王少阶, 罗守礼. 半导体中的正电子湮没研究[J]. 核技术, 1985,08(8):38.
邱万川, 王少阶, 罗守礼. 半导体中的正电子湮没研究[J]. 核技术, 1985,08(8):38. DOI:
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根据Brandt-Reinheimer模型,用一个与禁带宽度有关的增强因子
f
(
r
s
E
g
)来考虑半导体中出现的禁带,而与正电子发生湮没的价电子,则仍然被当作自由电子气,得到半导体中正电子湮没的寿命:
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