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1.中国科学院高能物理研究所
2.中国科学院物理研究所
纸质出版日期:1985-11
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黄懋容, 顾华, 张予民. 用正电子湮没研究Al-Ni二元系的固溶体类型[J]. 核技术, 1985,08(8):14-15.
黄懋容, 顾华, 张予民. 用正电子湮没研究Al-Ni二元系的固溶体类型[J]. 核技术, 1985,08(8):14-15. DOI:
DOI:
Al-Ni二元系
δ
相理想成份为Ni
2
Al
3o
有文献报道,在其富A1端形成替代固溶体,而在富Ni端,Ni原子填在空缺的位置上,
β
相理想成份为NiAl,富Ni端形成替代式固溶体,在富A1端,形成Ni的缺位固溶体。按这样模型算出了价电子密度(
D
v
)和总电子密度(
t
)。计算的
和测得的
S
线型参数以及计算的
和测得的正电子湮没寿命
τ
1
分别列在图1和图2。
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CSCD
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