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低温下正电子在GaAs和中子辐照硅中的湮没特性
更新时间：2022-09-13
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    • 低温下正电子在GaAs和中子辐照硅中的湮没特性

    • 暂无标题

    • 核技术   1985年08卷第8期

    • 纸质出版日期：1985-11

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  • 戚盛勇, 陈玲燕. 低温下正电子在GaAs和中子辐照硅中的湮没特性[J]. 核技术, 1985,08(8):38-39. DOI：

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