邱万川, 王少阶, 罗守礼, 等. 无位错Si单晶中自无序缺陷的正电子寿命研究[J]. 核技术, 1985,08(8):37-38.

邱万川, 王少阶, 罗守礼, 等. 无位错Si单晶中自无序缺陷的正电子寿命研究[J]. 核技术, 1985,08(8):37-38. DOI：

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