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1.重庆大学
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纸质出版日期:1985-11
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刘尚进, 周上褀, 郁伟中, 等. 正电子湮没技术对YAG/Nd晶体缺陷的研究[J]. 核技术, 1985,08(8):32.
刘尚进, 周上褀, 郁伟中, 等. 正电子湮没技术对YAG/Nd晶体缺陷的研究[J]. 核技术, 1985,08(8):32. DOI:
DOI:
掺钕的钇铝石榴石Y
3
Al
5
O
i2
Nd(
YAG
/Nd)在位错密度较低时,晶体中心的高折射率心(核心)和色心是它的主要缺陷。用正电子寿命和多普勒增宽线形测量对
/Nd晶体进行研究,使用的寿命谱仪对
60
Co的
FWHM
约为285ps,源
22
Na约为10
µ
Ci,总计数为1×10
6
,以三成分拟合,用
Positronfit
—Extended程序作数据处理。晶体样品1
#
均匀性较差,2#色心重
3#和4#均匀性较好。样品厚均为2mm,1#、2
、4
经1400℃退火处理,降温速率为40℃/h。测量是沿晶体中心向边缘逐点进行。多普勒增宽线形
S
参数如图1所示。样品1
的
参数变化无
规则,表明缺陷分布不均;样品2
值最大,说明缺陷(色心)最多;样品3
参数变化小,说明它的均匀性好,但因未退火,缺陷还是较多,故
值仍较高;样品4
亦是比较均匀的,经退火,效果好、边缘缺陷明显下降,其
参数比其它样品都小。图2是色心重样品2
的缺陷捕获态正电子寿命
τ
2
和强度
I
。图中表明:心部强度高,说明中心的缺陷(色心)严重,而τ
值表明边缘的缺陷尺寸比心部大。
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