正电子湮没技术中最常用的放射源是

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Na薄膜源。通常把

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Na的溶液滴在Ni箔或

Mylar

膜上。由于正电子在

Mylar

膜上的湮没，在寿命谱中往往有一个百分之几的长寿命成份，这对含有长寿命成份的样品的测试分析甚为不利。用1-2

µ

m左右厚度的Ni箔作为

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Na的衬底是比较理想的，但由于国内制造Ni膜受净化环境及其它条件的限制，制备的1—2

µ

m的镍箔中存在很多针孔，用它作衬底制备

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Na薄膜源就有一定的困难，也不安全。为此，我们摸索了制备

2

2

Na薄膜源的一种方法：利用有针孔的1.7

µ

m的Ni箔，涂上一层—0.5

µ

m左右的塑料薄膜作为衬底，比较安全可靠，用有无塑料膜保护的薄膜源对同一样品作了寿命谱的对比测试（见表）。