最新刊期

    2020 年 第 0 卷 0 期

      综述

    • 陈鹤鸣
      1982, 05(6)
      摘要:聚合物辐射化学这一新的领域,在当今原子能-宇航-高分子时代中获得颇大的进展。聚合物辐射接枝系聚合物辐射化学的重要分支,至今国内外研究盛行,已发表了400多种接枝体系,大部分处于研究状态,若干品种已投入生产。  
        
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      发布时间:2022-08-16

      科研成果报告

    • 郑金山,牛木林,代纲,刘淑媛,张慧敏,张强,陈克勤,袁学根
      1982, 05(6)
      摘要:本文用穆斯堡尔效应,分析了在400℃、500℃、600℃、700℃、800℃及900℃的温度下,在还原、中性、氧化气氛中,分别焙烧40分钟后,铁矿石样品中各含铁矿物的铁的相对含量,在最佳磁化焙烧温度(650~700℃)下磁性矿相(Fe3O4+γ-Fe2O3)的相对含量达80~90%,从而为选矿工艺提供了有价值的数据。  
        
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      发布时间:2022-08-16
    • 郑万辉,朱家璧,顾加辉,田家祺
      1982, 05(6)
      摘要:使用Si(Li)电子谱仪和Ge(Li)γ谱仪测定了67Zn的5个跃迁的K内转换系数αK。测量中使用归一化γ峰比电子峰的方法(NPG)。对以上二种探测器进行效率刻度,用BASIC语言编制γ谱和e谱的寻峰、求面积程序,在DIDAC-MULTI(8)系统上运算。  
        
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      发布时间:2022-08-16
    • 赵尧阶
      1982, 05(6)
      摘要:放射性数据的水平分类研究是充分利用实验数据提供的情报,评价或解释实验结果是否有效的基本依据。它对实验方案的合理设计,测量系统的优劣比较,操作规程的质量控制,以及实验数据的预测估算等方面都有指导意义。  
        
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    • 王振松
      1982, 05(6)
      摘要:众所周知,1950年勒文(H. D. Levine)等用计数管做成轻便剂量率仪,计数管便在剂量测定应用中得到发展。在直流供电下,特别是在高照射率时,由于计数管死时间的影响,其计数率N与照射率P之间不是线性关系。例如J405型的线性测量上限只在100~200R/h左右,测到1000R/h的非线性误差可达45%左右;又如J404型的线性上限只在1~2R/h左右,测到10R/h的非线性误差达35%左右。  
        
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      发布时间:2022-08-16
    • 黄耀章,王泳鑫,吴亚农,孙文江,包伯荣,施锡昌
      1982, 05(6)
      摘要:从1972年开始,我们先后对亲肿瘤核素67Ga、111In、169Yb和标记化合物111In-争光霉素、57Co-争光霉素进行了动物研究[1],有些已应用于临床[2]。本文初步研究67Ga-枸橼酸镓、111In-争光霉素、57Co-争光霉素、111InCl、111In-枸橼酸铟和169Yb-枸橼酸镱对S160肿瘤鼠的亲和力、动力学变化和鼠肿瘤部位的扫描。  
        
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    • 马如璋,王蕴玉,徐安泰
      1982, 05(6)
      摘要:正电子湮灭技术对于有序相具有一定的识别能力。继Дехтяр[1]研究CuAu系和Ni3Mn合金的有序结构对正电子湮灭角关联曲线的影响之后,Doyama[2]、Kuribayashi[3]和Fukushima[4]等相继测得在有序转变过程中正电子湮灭参数的变化。  
        
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    • 王蕴玉,刘年庆,常香荣,田中卓,吕荣邦,肖纪美,曹必松
      1982, 05(6)
      摘要:置换型杂质原子和正电子的相互作用的研究,在七十年代已取得一些进展。Dekhtjav[1]用角关联在Pd-1at.%Fe中发现导电子湮灭率增加17%,实电子湮灭率减少7%。Tanigawa等[2]在Cu-0.5at.%Mn单晶中,观察到退火状态θ=0和θ=8mrad的符合计数的比值[N(0)/N(8)]归一比纯铜小,作者认为是由于锰离子相对于铜离子来说离子价较小,如果以铜离子的平均电荷为零,则锰离子相当于一个负电荷,因而吸引正电子,而且锰离子的实电子湮灭率比铜离子高。Doyama[3]等在分别含0.5at.%的Ni、Co、Fe、Cr和Ge的五种铜基固溶体中观察到类似的现象,而且比值N(0)/N(10)随着杂质在周期表中的位置左移而线性下降,作者认为按Ni、Co、Fe、Cr的顺序正电子和杂质的d电子的波函数交叠增加。  
        
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      发布时间:2022-08-16
    • 王子孝,桂嘉年,王少阶,郁伟中
      1982, 05(6)
      摘要:Cu-Zn-Al合金具有形状记忆效应、超弹性和高阻尼本领,其潜在用途与特征性能的某些参量例如正,反马氏体转变温度、在Ms以上给定温度感生马氏体所需的应力以及在任一温度的阻尼本领等的稳定性和“预马氏体转变”相关。因此在形状记忆合金的研究中时效效应问题一直受到重视,而预马氏体转变作为一个新颖的研究领域正引起人们极大的兴趣。  
        
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      发布时间:2022-08-16
    • 薛嘉渔,季国坤,田中卓,常香荣,吕荣邦,肖纪美
      1982, 05(6)
      摘要:本文用多普勒加宽谱研究了钢材裂纹顶端塑性区内的应变分布及其充氢后的变化。  
        
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    • 彭郁卿,郑万辉,朱家璧,王景成
      1982, 05(6)
      摘要:早在1951年,H. Thomas[1]在Ni-Cr等合金中观察到,在进行热处理后于较低的温度范围内合金出现硬度、电阻率等增大的现象,他把此现象归因于固溶体中的一种特殊的组织状态——K状态的形成。我们在Ni75Cr15Fe10上也观察到类似的硬度增大现象。  
        
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    • 彭郁卿,郑万辉,朱家璧,王景成
      1982, 05(6)
      摘要:非晶态合金的结构及结晶机制,是许多科技工作者感兴趣的课题。H. S. Chen和S. Y. Chuang从冷轧、电子辐照和退火处理等不同方面用正电子湮灭技术研究过非晶态合金[1~3],结论是:无定形合金中只含有可忽略的类空位缺陷;局部原子可能重新排列,形成原子团;排除微晶无序结构的可能性。M. Doyama等测量了无定型合金Ni0.79P0.21和Ci0.81P0.19的角关联,他们提出:无定形合金是一种过冷均匀液态。S. Tanigawa等人研究了正电子湮灭特性随样品处理温度变化的动态过程,给出无定形合金Pd-Si,Ni-P晶化过程的五个阶段。  
        
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    • 熊良钺,姜键,曹玔,王蕴玉,熊兴民
      1982, 05(6)
      摘要:范性形变时,金属中不仅产生空位,同时也产生位错及其它缺陷。在退火过程中,这些缺陷逐渐消失。这个过程也就是形变样品恢复与再结晶的过程,是研究金属的一个重要课题[1]。  
        
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    • 陈克勤,金运范,程洁,侯明东,李长林,罗保平,姚玉英,吴美珍,曹玔,童志琛,侯耀永,李理
      1982, 05(6)
      摘要:用正电子湮灭技术研究金属中的缺陷,最近十多年来有着迅速的发展。正电子湮灭寿命、湮灭光子的角关联和多普勒加宽这三种实验方法对于晶体的缺陷都很灵敏。尤其对于空位、位错、空位聚集体等空位型缺陷特别灵敏。因此,这些方法在金属材料的辐照损伤研究中引起了人们特有的兴趣。本文用正电子湮灭技术研究了72.5MeV的碳离子(12C+4)轰击镍和不锈钢的辐照效应,测量了它们的正电子湮灭寿命和多普勒加宽线形参数S。另外,还用高压透射电子显微镜和位错热激活法进行了测量。并对经过辐照和未经过辐照样品的测量结果进行了对比。这三种实验方法给出了一致的定性结果。  
        
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    • 顾华,黄懋容,高佩钰
      1982, 05(6)
      摘要:氢引起材料破坏的问题,长期以来一直是被广泛研究的课题。随着工业,特别是能源工业的发展,诸如在石油开采和精炼过程,核电站反应堆等领域中,其结构材料的破坏与氢密切相关[1,2],即使采用奥氏体不锈钢作为抗氢材料,它们的破裂现象也日见增多,这就引起了广泛的注意。与体心立方结构的材料不同,氢在奥氏体不锈钢中,特别是在亚隐奥氏体不锈钢中,除了降低塑性、抗拉强度和造成裂纹外,还诱发马氏体相变[3,4]。  
        
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    • 何元金,郁伟中,熊家炯,谢宏祖,程敏杰,梁尚兰
      1982, 05(6)
      摘要:SmCo5永磁合金是一种用途广泛的永磁材料,其居里点约为740℃[1]。为找出材料在400℃以上性能变坏的原因,尝试进行了室温至740℃温度范围内等时(2小时)退火处理的SmCo5合金的正电子湮灭研究。结果发现,材料中明显地存在着沉淀相的析出。作者认为,至少不能排除这一过程作为影响磁性的重要原因。  
        
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    • 郁伟中,饶建锡,何元金,熊家炯,张金增,顾家琳,沈万慈,陈南平
      1982, 05(6)
      摘要:氢损伤是目前材料科学中的一个重大课题,一般认为氢会造成氢脆、发裂、白点等缺陷。在氢损伤机制的研究中,搞清固溶氢以什么形态存在及固溶氢是否会导致钢的晶体缺陷是很有意义的。  
        
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    • 王蕴玉,刘年庆,李国栋
      1982, 05(6)
      摘要:本工作利用正电子湮灭方法研究了时效退火处理对两种磁性材料Fe-Cr-Co-Si和Sm2(Co、Fe、Cu、Zr)17微观结构的影响。Fe-Cr-Co-Si永磁合金具有机械加工性能好,最大磁能积高的优点,适于在需要加工的情况下应用[1]。Sm2(Co,Fe,Cu,Zr)17是一种性能十分优良的第二代稀土化合物的永磁材料。它的最大磁能积高达30兆高•奥[2]。这两种永磁材料经时效退火处理,磁性能(矫顽力和磁能积)明显提高。为了进一步提高磁性能和继续设计新的磁性材料,就需要深入探讨材料的宏观性能和微观结构之间的联系。这是当前磁性材料物理研究的一个显著的趋势。目前在研究这类问题的实验中,国外已经使用了核磁共振[3]、穆斯鲍尔效应[4]和μ介子自旋共振(μSR)等较新技术。最近李国栋[5]等用穆斯鲍尔效应的手段研究了Fe-Cr-Co-Si,认为经过磁场热处理和时效处理的样品在室温存在着顺磁相和铁磁相。但对Sm2(Co-Fe-Cu-Zr)17未能得到清晰的穆斯鲍尔谱。  
        
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    • 曹必松,王蕴玉,张天宝,田中卓,常香荣
      1982, 05(6)
      摘要:包头钢铁公司利用加入微量稀土试制成功抗氢脆钢40MnNbR(含Mn 1.25%, Nb 0.04%,R代表稀土)[1],但抗氢脆性能的机理尚有待进一步研究。本文通过测量各种热处理的40MnNbR和16MnR(含Mn 1.25%)钢样的多普勒增宽线形参数随稀土含量的变化,研究加入稀土对钢的微观结构的影响,研究正电子在Fe和稀土之间的亲合性,以探索稀土钢的抗氢脆机理。  
        
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    • 王蕴玉,曹必松
      1982, 05(6)
      摘要:正电子湮灭多普勒增宽方法测得的直接信息是湮灭光子按能量的分布I(E)(见图1,图中选511keV作为能量坐标的零点,即511keV能峰又称多普勒增宽线形)。能峰的形状可用线形参数来表征,常用的有S、H参数等。如果把线形看成连续的曲线,则S、H参数的定义是:  
        
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    • 殷定贞,顾华
      1982, 05(6)
      摘要:近年来,有可能成为新能源材料的金属氢化物受到了广泛重视。不少工作表明,正电子湮灭技术对研究它们的化学结构等问题是一个有价值的方法[1,2]。1968年,A. Gainotti等[3]测定了一系列金属氢化物的正电子湮灭寿命谱,观察到湮灭速度Γ1和Γ2与分子密度有线性关系。苏联O. K. Алексеева等[4]用寿命谱和角关联方法研究了BeH2和AlH3的化学键性质。他们在BeH2的角关联曲线中观察到窄成份,认为是形成了正电子素,并提出离子晶体一般具有较宽的禁带,易形成正电子素,因此BeH2是离子键,不形成正电子素的AlH3是共价键。  
        
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    • 何元金,李龙土,郁伟中
      1982, 05(6)
      摘要:在ABO3钙钛矿型结构的压电陶瓷中掺入不同化合价的杂质离子会产生组分缺陷,这对材料机电性能有重要影响。Tsuda[1,2]等研究了掺Gd的BaTiO3的正电子寿命谱,证明了正电子对掺Gd所造成的Ba空位是敏感的。笔者[3]曾用PAT对掺Bi的Pb(Zr0.55Ti0.45)O3作了研究,发现正电子捕获率K随掺Bi量增大有减小的趋势,这可能是因为Bi大部分进入B位的缘故。为了证实正电子对Pb空位的敏感性,以便评价PAT作为一种研究Pb空位等陶瓷微观缺陷的手段的意义,本工作改换了La作为掺杂剂,因为La的离子半径较大,一般认为它主要进入A位[4]。  
        
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    • 赵南明,曹必松,何元金,郁伟中,熊家炯
      1982, 05(6)
      摘要:正电子在分子材料中的湮灭寿命通常与多种因素有关,例如密度及分子排列结构等。若试图用正电子湮灭方法来研究分子材料中的结构效应,我们希望寻求这样一种材料,它在不宽的温度范围内有尽可能多的相变。液晶就是这样一种理想材料,因为它在一般的温度范围内常常具有多种中介相(Mesophases),特别是伴随着相变的发生,正电子的寿命参数常会产生显著的变化,因此,正电子湮灭方法可以灵敏地探测液晶中的相变。  
        
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    • 季国坤,黄懋容,刘年庆
      1982, 05(6)
      摘要:国外用正电子湮灭技术对电子[1]、质子[2]、中子[3,4]辐照过的硅单晶进行了研究。证明辐照过的硅单晶都产生缺陷,这些缺陷都能捕获正电子,引起正电子湮灭寿命谱的变化。  
        
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    • 黄懋容,殷定贞
      1982, 05(6)
      摘要:在静电场下,α-LiIO3单晶[1]一系列异常的物理特性引起科学工作者很大的兴趣,根据质谱分析,该单晶含有多种阳离子杂质。由顺磁共振研究证明:在α-LiIO3单晶中,Fe+2能取代格位Li+。从离子半径和α-LiIO3结构判断,一些高价阳离子杂质也可能取代格位Li+。因而就必然伴生大量的空位。本文用正电子湮灭寿命谱,研究在静电场下α-LiIO3单晶中,正电子湮灭机制及阳离子空位浓度的变化。  
        
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    • 曹必松,何元金,郁伟中,麦振洪,崔树范
      1982, 05(6)
      摘要:氢气氛区熔硅单晶中含有较高浓度(~1016/cm3)的氢,在常温下,一部分氢与单晶中的硅原子通过硅氢链相结合,硅氢键的存在对硅单晶的性能有很大的影响[1,2]. X射线形藐观察发现,当氢气氛区熔硅单晶样品温度升至660℃左右时,样品内突发性地产生大量宏观缺陷,经过1000℃一小时的热处理,样品内产生许多雪花形缺陷[2],文献[2]的作者提出了硅氢键断裂和缺陷形成过程的机理。以上这些发现和微观机理,需要进一步的实验验证。  
        
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    • 中国科学院固体物理研究所,中国科学院高能物理研究所,沈阳科学仪器厂协作组
      1982, 05(6)
      摘要:本文描述了为测量固体中的电子动量分布及费米面而设计的装置,这一装置也可用于正电子素化学及其它正电子方面的研究。采用垂直长缝结构。样品至主缝中心的距离为3米,系统典型的几何角分辨率为0.33mrad。正电子源用22Na,强度约30mCi。对能量0.511MeV的湮灭光子用Nal(Tl)闪烁探头,其长度为300mm。核测量采用快-慢符合方案。实验操作采用简易自动控制方式。  
        
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      发布时间:2022-08-16
    • 张天保,林后松,吴彰亮,陈再得
      1982, 05(6)
      摘要:采用XP2020及PM2106两支快速光电倍增管,Pilot U、KL236及国产ST401塑料闪烁体,进口恒比定时甄别器等快电子学插件及国产512道脉冲高度分析器等慢电子学仪器,按通常快-慢工作方式装配和调整了一套正电子湮灭寿命谱仪。在注意到塑料闪烁体的封装、光电倍增管工作状态的选择及恒比定时甄别器“位移”调节与过零延时选定等条件后,谱仪达到了较好的时间分辨能力。图1给出使用KL236(ϕ32×18)时谱仪测得的60Co双γ射线瞬发符合分辨的动态曲线,表明谱仪能够工作于很宽的能量选择范围;图2给出在正电子湮灭测量条件(22Na窗)下谱仪对60Co的瞬发符合分辨曲线,得到时间分辨率(FWHM)=224ps,FW0.1M=428ps,FW0.01M=623ps,曲线两臂对称,并且下落到0.1%峰高以下仍不出现宽分布,表明用谱仪所获取的寿命谱将可以比较顺利地进行寿命组份的分解;在实验室恒温下,谱仪具有较好的长期稳定性,由室温变化所致时间漂移约为6ps/℃;为了提高计数率,可以换较大体积国产塑料闪烁体ST401(ϕ40×25),此时22Na窗下时间分辨率下降到FWHM=309ps,FW0.1M=576ps, FW0.01M=852ps,累计一个寿命谱(10µCi的22Na源,积分计数106)所需时间不到4小时。  
        
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      发布时间:2022-08-16
    • 张天保,王少阶
      1982, 05(6)
      摘要:把寿命谱仪和锗γ能谱仪组装在一起的联合谱仪可以同时研究正电子湮灭寿命和辐射能谱两种参数[1,2],可以获得对湮灭过程更直观的了解。我们建立了此种谱仪并已经运用到正电子(PS)湮灭的实验研究中。  
        
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      发布时间:2022-08-16
    • 曹必松,何元金,郁伟中,江少林,吴绪模,王东光
      1982, 05(6)
      摘要:测量不同温度下的正电子寿命谱,对于研究凝聚态物质的微观结构、缺陷以及相变具有重要意义。实验所用温度装置的好坏,对于能否顺利地进行变温测量起着重要作用。一个好的温度装置应该具备以下性能:1.合适的温度控制范围和较好的控温精度。2.不因为使用控温装置过多地增大两探头间的距离使寿命谱仪系统计数率下降。3.对谱仪时间分辨率影响较小。  
        
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      发布时间:2022-08-16
    • 刘年庆,季国坤,王淑英
      1982, 05(6)
      摘要:在Ge(Li)γ射线能谱仪上,连接一个NaI探测装置进行正电子湮灭辐射的多普勒加宽能谱的符合测量时,测到能谱的本底可以降低。这将有利于观察高动量电子在能谱中的贡献,并能给低能尾部谱形分析带来好处。  
        
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      发布时间:2022-08-16
    • 王淑英
      1982, 05(6)
      摘要:多指数曲线拟合是最小二乘拟合分析正电子湮灭寿命谱的方法之一。它与最小二乘褶积拟合法[1]不同,数学模型中不考虑谱仪分辨函数的影响。对分析寿命谱的一些实际问题,文献中很少有具体的介绍。  
        
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      发布时间:2022-08-16
    • 高乃飞,范守善
      1982, 05(6)
      摘要:正电子在某些材料中的寿命与现有仪器的时间分辨率很接近,要从这些材料的实验数据中得到寿命的正确结果,一定要考虑仪器的分辨函数。为此调试了Positronfit-Extended程序[1,2](简称P-E程序)和编排了提供近似分辨函数的程序,并用这组程序探讨了以近似分辨函数代替仪器精确分辨函数的可能性。  
        
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      发布时间:2022-08-16
    • 刘执平,林后松
      1982, 05(6)
      摘要:如何从寿命谱曲线中分析并给出各种成份的寿命、强度和相应的误差估计,是大家关心的问题[1,2]。本文以多指数函数为拟合函数,利用最小二乘法原理给出拟合的计算公式,导出误差分析公式。并用ALGOL语言编制了通用程序。最后,给出二、三指数计算结果。  
        
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      发布时间:2022-08-16
    • 温琛林,沈冠仁
      1982, 05(6)
      摘要:我们初步建立了正电子寿命测量的实验条件。为了谱仪正常工作和取得较好的时间分辨率,我们对仪器的工作状态做了调整。这里,我们主要介绍自己在谱仪时间分辨调试方面的一些做法。  
        
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      发布时间:2022-08-16
    • 沈关涛
      1982, 05(6)
      摘要:PbS能应用于制造激光用的Q转换开关及高效率太阳能吸收薄膜,澳大利亚P. J. Martin等人用1500eV氩离子在真空系统中作整块PbS靶的离子束溅射制取PbS薄膜。  
        
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      发布时间:2022-08-16

      工作简报

    • 朱家璧,郑万辉,顾加辉,王功庆
      1982, 05(6)
      摘要:Si(Li)半导体电子谱仪与磁谱仪相比,具有探测效率高、价廉、制作方便,分辨率相当于许多透镜型磁谱仪,并能作全能谱测量等优点。它是目前核谱测量中常用的一种设备,对于短寿命弱放射性的测量尤为适宜。Si(Li)电子谱仪的效率刻度是谱仪作定量测量的基础。谱仪经效率刻度后,能精确测量电子谱线的相对、绝对强度。结合γ射线强度测量就能算出内转换系数,这是确定核跃迁多极性的重要方法,也是确定核素纲图中绝对跃迁数的重要方法。因此电子谱仪的效率刻度在核物理研究、同位素应用、核爆辐射场、天体辐射带等关于β及电子强度测量中是必不可少的。  
        
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      发布时间:2022-08-16

      知识介绍

    • 刘圣康
      1982, 05(6)
      摘要:中子水分计是检测水分的一种中子计,它由中子源、中子探测器及相应的计数装置所组成。从测量方法分有:插入型、表面型、透射型和散射型等。用于工农业自动化生产的是固定式中子水分计,其特点是不取样、快速和连续测量,除直接显示水分外,还输出讯号供自动记录和控制水分用。用于农业和水文等野外科研的是手提式中子水分计,其特点是轻便、不取样和快速测量,只显示水分。用于室内科研的是取样式中子水分计,其特点是取样和快速测量,除显示水分外,也可以自动记录水分。  
        
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      发布时间:2022-08-16

      快讯

    • 沈关涛
      1982, 05(6)
      摘要:过去由于宇生放射性同位素10Be(t1/2=1.5×106年)极低的丰度(全球平均生成率为1.8atoms·cm-2·min-1)及与自然水中9Be分析有关的困难,因而不能把10Be应用于地质年代测定,加速器技术的应用,使之得到改观。  
        
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