Si(Li)半导体电子谱仪的效率刻度

朱家璧; 郑万辉; 顾加辉; 王功庆

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Si(Li)半导体电子谱仪的效率刻度

工作简报 | 更新时间：2022-08-16

- Si(Li)半导体电子谱仪的效率刻度
- Efficiency calibration of Si(Li) electron spectrometer
- 核技术 1982年05卷第6期
- 作者机构：
  
  中国科学院上海原子核研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1981-03-18，
  
  纸质出版日期：1982-12
- 稿件说明：
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朱家璧, 郑万辉, 顾加辉, 等. Si(Li)半导体电子谱仪的效率刻度[J]. 核技术, 1982,05(6):20-22.

Jiabi Zhu, Wanhui Zheng, Jiahui Gu, et al. Efficiency calibration of Si(Li) electron spectrometer[J]. Nuclear techniques, 1982, 05(6): 20-22.
朱家璧, 郑万辉, 顾加辉, 等. Si(Li)半导体电子谱仪的效率刻度[J]. 核技术, 1982,05(6):20-22. DOI：

Jiabi Zhu, Wanhui Zheng, Jiahui Gu, et al. Efficiency calibration of Si(Li) electron spectrometer[J]. Nuclear techniques, 1982, 05(6): 20-22. DOI：

摘要

Si（Li）半导体电子谱仪与磁谱仪相比，具有探测效率高、价廉、制作方便，分辨率相当于许多透镜型磁谱仪，并能作全能谱测量等优点。它是目前核谱测量中常用的一种设备，对于短寿命弱放射性的测量尤为适宜。Si（Li）电子谱仪的效率刻度是谱仪作定量测量的基础。谱仪经效率刻度后，能精确测量电子谱线的相对、绝对强度。结合γ射线强度测量就能算出内转换系数，这是确定核跃迁多极性的重要方法，也是确定核素纲图中绝对跃迁数的重要方法。因此电子谱仪的效率刻度在核物理研究、同位素应用、核爆辐射场、天体辐射带等关于

及电子强度测量中是必不可少的。

Abstract

The detection efficiency of the Si(Li) electron spectrometer as a function of electron energy was measured using

131

I and

207

Bi calibration sources having seven different energies from 45keV to 1000keV. The curve fit and interpolation of the efficiency curve were also made. The interpolation error of the curve was about 8.7%. By measuring internal conversion coefficiency of

Zn reliability of efficiency curve was checked experimentally.

关键词

Keywords

references

R. L. Auble et al ., Nucl. Data Sheets , 17 , 598 （ 1976 ）.

J. B. Willett et al ., Nucl. Instr. Meth. , 84 , 157 （ 1970 ）.

M. S. Freedman et al ., Phys. Rev. , 151 , 886 （ 1966 ）.

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