氢气氛区熔硅单晶等时退火过程中的正电子寿命谱研究

曹必松; 何元金; 郁伟中; 麦振洪; 崔树范

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氢气氛区熔硅单晶等时退火过程中的正电子寿命谱研究

更新时间：2022-08-16

- 氢气氛区熔硅单晶等时退火过程中的正电子寿命谱研究
- Positron lifetime change during isochronal annealing of hydrogen FZ silicon crystal
- 核技术 1982年05卷第6期
- 作者机构：
  
  1.清华大学
  2.中国科学院物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1982-12
- 稿件说明：
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曹必松, 何元金, 郁伟中, 等. 氢气氛区熔硅单晶等时退火过程中的正电子寿命谱研究[J]. 核技术, 1982,05(6):70-72.

Bisong Cao, Yuanjin He, Weizhong Yu, et al. Positron lifetime change during isochronal annealing of hydrogen FZ silicon crystal[J]. Nuclear techniques, 1982, 05(6): 70-72.
曹必松, 何元金, 郁伟中, 等. 氢气氛区熔硅单晶等时退火过程中的正电子寿命谱研究[J]. 核技术, 1982,05(6):70-72. DOI：

Bisong Cao, Yuanjin He, Weizhong Yu, et al. Positron lifetime change during isochronal annealing of hydrogen FZ silicon crystal[J]. Nuclear techniques, 1982, 05(6): 70-72. DOI：

摘要

氢气氛区熔硅单晶中含有较高浓度（~10

/cm

）的氢，在常温下，一部分氢与单晶中的硅原子通过硅氢链相结合，硅氢键的存在对硅单晶的性能有很大的影响

[1，2]

. X射线形藐观察发现，当氢气氛区熔硅单晶样品温度升至660℃左右时，样品内突发性地产生大量宏观缺陷，经过1000℃一小时的热处理，样品内产生许多雪花形缺陷

[2]

，文献[2]的作者提出了硅氢键断裂和缺陷形成过程的机理。以上这些发现和微观机理，需要进一步的实验验证。

Abstract

The positron lifetimes spectra of hydrogen floatingzone silicon crystal isochronally annealed at different temperatures and other three kinds of silicon crystals have been measured. It is found that after annealed at a temperature above 550℃ the new micro defects appeared. The defect concentration of the silicon crystal grown in hydrogen atomosphere is higher than that of other silicon crystals. It can be seen from the experimental results that the temperature at which the Si-H bonds begin to dissociate is about 550℃.

关键词

Keywords

references

H. J. Stein , J. Electron. Mat. , 4 , 159 （ 1975 ）.

麦振洪等， The 12th int conf. crystallography , Audjust , 1981 .

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