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清华大学
纸质出版日期:1982-12
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何元金, 李龙土, 郁伟中. 掺La的PbTiO3压电陶瓷中Pb空位的正电子湮灭研究[J]. 核技术, 1982,05(6):63-65.
Yuanjin He, Longtu Li, Weizhong Yu. Study of Pb vacancies in the piezoelectric ceramics PbTiO3 doped with La by positron annihilation[J]. Nuclear techniques, 1982, 05(6): 63-65.
在ABO
3
钙钛矿型结构的压电陶瓷中掺入不同化合价的杂质离子会产生组分缺陷,这对材料机电性能有重要影响。Tsuda
[1
2]
等研究了掺Gd的BaTiO
3
的正电子寿命谱,证明了正电子对掺Gd所造成的Ba空位是敏感的。笔者
[3]
曾用PAT对掺Bi的Pb(Zr
0.55
Ti
0.45
)O
3
作了研究,发现正电子捕获率
K
随掺Bi量增大有减小的趋势,这可能是因为Bi大部分进入
B
位的缘故。为了证实正电子对Pb空位的敏感性,以便评价PAT作为一种研究Pb空位等陶瓷微观缺陷的手段的意义,本工作改换了La作为掺杂剂,因为La的离子半径较大,一般认为它主要进入
A
位
[4]
。
The positron lifetime spectra of the piezoelectric ceramics PbTiO
3
doped with La and Mn have been measured. It was found that the mean lifetime increased as a function of the doped quantity of La
and seemed to be flat after La/Pb=0.04 being reached. These gave an evidence of the trapping effects of the Pb vacancies created by doping with La. The lifetime of positrons in Pb vacancies was estimated to be 304ps
and
v
the volume rate of trapping by Pb vacancies
to be about 3.75×10
-11
cm
3
/s.
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