摘要:金硅面垒半导体探测器Si(Au)及漂移型半导体探测器Si(Li)用于测量电子谱已有十几年的历史。F. M. Bernthal等[1]曾利用半导体谱仪成功地测量了短寿命核素176Ta的83个跃迁的电子谱,近年来,采用半导体探测器与一个小型磁谱仪相结合,同时实行能量和动量的选择,成功地实现了在束内转换系数的测量,这是目前在束能谱确定核态特性的重要方法之一。与Si(Li)相比,Si(Au)面垒探测器用于电子谱的测量有很多优点,它制备时间短、比较便宜、较易制薄窗、不易受辐射损伤,可在室温下保存。它的主要缺点是:需要高纯Si材料才能获得较大的灵敏厚度。面垒型探测器直至七十年代中期才获得1.9~3.5keV的能量分辨率(207Bi 1063K线)[2][3]。我们为了进行短寿命核素及在束电子谱的测量,制作了下述一台液氮致冷N型Si面垒型半导体电子谱仪。
摘要:1979年,P. P. Pronko等人在美国橡树岭国家实验室(ORNL)发现:在散射角θ=179.45°的背散射能谱比较,如图所示。在样品表面下的浅层(约为数百Å)内,出现一个出乎意料之外的增强峰,而且这个异常的RBS产额增强峰是被限制在围绕180°的非常小的椎体之内。这是一种前人没有见到过的新现象,其作用机制尚不清楚,正引起人们的注意。