简易Si（Au）半导体电子谱仪

郑万辉; 张金洲; 朱家璧; 田家祺; 顾加辉; 周桂芬

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简易Si（Au）半导体电子谱仪

更新时间：2022-08-16

- 简易Si（Au）半导体电子谱仪
- A simple Si (Au) semiconductor electron spectrometer
- 核技术 1982年05卷第5期
- 作者机构：
  
  中国科学院上海原子核研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：1981-05-26，
  
  纸质出版日期：1982-10
- 稿件说明：
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郑万辉, 张金洲, 朱家璧, 等. 简易Si（Au）半导体电子谱仪[J]. 核技术, 1982,05(5):31-32,47.

Wanhui Zheng, Jinzhou Zhang, Jiabi Zhu, et al. A simple Si (Au) semiconductor electron spectrometer[J]. Nuclear techniques, 1982, 05(5): 31-32,47.
郑万辉, 张金洲, 朱家璧, 等. 简易Si（Au）半导体电子谱仪[J]. 核技术, 1982,05(5):31-32,47. DOI：

Wanhui Zheng, Jinzhou Zhang, Jiabi Zhu, et al. A simple Si (Au) semiconductor electron spectrometer[J]. Nuclear techniques, 1982, 05(5): 31-32,47. DOI：

摘要

金硅面垒半导体探测器Si（Au）及漂移型半导体探测器Si（Li）用于测量电子谱已有十几年的历史。F. M. Bernthal等

[1]

曾利用半导体谱仪成功地测量了短寿命核素

176

Ta的83个跃迁的电子谱，近年来，采用半导体探测器与一个小型磁谱仪相结合，同时实行能量和动量的选择，成功地实现了在束内转换系数的测量，这是目前在束能谱确定核态特性的重要方法之一。与Si（Li）相比，Si（Au）面垒探测器用于电子谱的测量有很多优点，它制备时间短、比较便宜、较易制薄窗、不易受辐射损伤，可在室温下保存。它的主要缺点是：需要高纯Si材料才能获得较大的灵敏厚度。面垒型探测器直至七十年代中期才获得1.9~3.5keV的能量分辨率（

207

Bi 1063

线）

[2][3]

。我们为了进行短寿命核素及在束电子谱的测量，制作了下述一台液氮致冷N型Si面垒型半导体电子谱仪。

Abstract

The construction and some characteristics of the Si (Au) semiconductor electron spectrometer were described. The sensitive volume of the detector was greater than 20mm

×2.2mm. The energy resolution was 2.6keV for 1063keV K-conversion line from

207

Bi decay.

关键词

Keywords

references

F. M. Bernthal et al . , Phys . Rev. , C3 , 1294 （ 1971 ）.

V. V. Avdeichikov et al . , Nucl. Instr. Meth . , 133 , 579 （ 1976 ）.

F. Shiraishi et al . , 1981 INS int. sym. on nucl. radiat. detec. Tokyo, Japan , Abstracts P. 2 .

C. M. Lederer et al . , Table of isotopes appendices-6 , 7th ed ., 1978 .

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