最新刊期
      2020 年 第 0 卷 0 期

        新一代同步辐射技术及应用

      • 米清茹,郑丽芳,刘松强
        2008(1)
        摘要：为了有效地管理大型科学装置控制系统的软件系统EPICS（Expefimental Physics and Industrial Control System）的开发过程,保证系统的可靠性及可维护性,本文对EPICS的开发环境进行了分析,并通过对软件管理方法、账号权限管理及开发过程的研究,提出并建立了一个统一、便捷和可靠的EPICS软件开发平台。  
        关键词：EPICS（Experimental Physics and Industrial Control System）;目录结构;账号管理;版本控制   
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        发布时间：2021-03-12
      • 吴金杰,衡月昆,刘树彬,郭建华,封常青,安琪,孙志嘉,赵玉达
        2008(1)
        摘要：讨论了北京谱仪（BESⅢ）飞行时间探测器（TOF）前端电子学的物理需求。因光电倍增管信号为前端电子学实际使用,而以光电倍增管信号作为信号源测试电子学性能是一种方便易行的方法,所以本文采用光电倍增管信号作为信号源测试电子学的性能。测试结果表明现行设计的电子学性能已达到BESⅢ飞行时间探测器对电子学的预期目标。  
        关键词：北京谱仪;飞行时间探测器;电子学;时间性能;幅度性能   
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        发布时间：2021-03-12

        低能加速器技术、射线技术及应用

      • 江炳尧,冯涛,任琮欣,柳襄怀
        2008(1)
        摘要：采用低能Ar离子束辅助沉积方法,在Mo/Si（100）衬底上分别沉积Cu、Ag、Pt薄膜。实验发现,若辅助轰击的Ar离子束沿衬底法线方向入射,当离子/原子到达比为0.2时,沉积的Cu膜呈（111）晶向,而Ag、Pt膜均呈（111）和（100）混合晶向。当辅助轰击的Ar离子束偏离衬底法线方向45°入射时,沉积的Cu、Ag、Pt膜均呈（111）择优取向。采用Monte Carlo方法模拟能量为500eV的Ar离子入射单晶Ag所引起的原子级联碰撞过程,分别算得Ar离子入射单晶Ag（100）面、（111）面时,Ar离子的溅射率与入射角和方位角的关系。对离子注入的沟道效应和薄膜表面的自由能对薄膜择优取向的影响作了初步的探讨和分析。  
        关键词：离子束辅助沉积;Cu、Ag、Pt薄膜;择优取向   
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        发布时间：2021-03-12
      • 程峰,钟玉荣,王宝义,王天民,魏龙
        2008(1)
        摘要：采用热蒸发法在玻璃衬底上沉积CsI薄膜,然后进行不同温度的真空热处理。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜对CsI薄膜样品进行分析,测得241Am的脉冲高度谱,通过单光子法测量样品的光产额。结果表明,该CsI薄膜沿（200）晶面择优取向生长。退火温度对CsI薄膜的晶体结构和闪烁性能有很大的影响。CsI薄膜经过250℃退火后,（200）晶面衍射峰明显增强,结晶状态最佳,光产额最高,而退火温度达400%时,薄膜结构发生显著变化,闪烁性能急剧下降。  
        关键词：CsI薄膜;热蒸发;闪烁性能   
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        发布时间：2021-03-12
      • 何玉娟,师谦,罗宏伟,恩云飞,章晓文,李斌,刘远
        2008(1)
        摘要：辐射偏置条件是影响MOSFET（Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor）,总剂量辐射效应的主要因素之一,因为辐射时栅氧化层中电荷的产生、传输与俘获都与辐射偏置有关。本文采用10 keV X射线对MOSFET在不同频率的动态偏置条件下进行总剂量辐射,分析了MOSFET辐照前后的阈值电压的漂移量和辐射感生电荷对阈值电压的影响。实验结果表明,动态偏置频率越高,辐射对MOSFET电特性的影响越小,产生的辐射感生电荷越少。  
        关键词：X射线;总剂量辐射;辐射偏置;频率   
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        发布时间：2021-03-12
      • 马庆力,唐世彪,胡炳全,蒋敏,曾代敏,方桢云
        2008(1)
        摘要：本文采用蒙特卡罗方法对高能中子下针孔成像系统的点扩展函数进行了模拟研究。研究中采用高斯函数拟合的数学方法分析比较了该系统在两种不同探测器材料下的点扩展函数,并在此基础上得出相应的调制传递函数。研究结果表明,在较高能量的中子入射下,采用塑料闪烁光纤代替传统的无机闪烁体作为成像探测器材料将能够提高针孔成像系统的点扩展函数,进而得出若采用闪烁光纤阵列作为探测器将能够提高系统的调制传递函数的结论。  
        关键词：针孔成像;点扩展函数（PSF）;调制传递函数（MTF）;GEANT4   
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        发布时间：2021-03-12
      • 程昌明,唐德礼,赵杰
        2008(1)
        摘要：本文介绍了自行研制的直流非转移弧等离子体炬的结构和工作原理,研究了不同阳极结构等离子体射流的特性与气体流量、弧功率的关系,以及侧向垂直送气对射流形貌的影响。结果表明,阳极结构对等离子体射流特性的影响较大,弧压随着阳极压缩角的增大而下降,较小压缩角的射流稳定性更好;通道直径较小的等离子体射流刚性更强;不同阳极结构的等离子体炬可以有不同的应用领域。  
        关键词：等离子体炬;等离子体射流;阳极压缩角;伏安特性   
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        发布时间：2021-03-12
      • 赵慧杰,何世禹,肖志彬,孙彦铮,肖景东,张益君
        2008(1)
        摘要：用固定能量（100 keV）不同注量(1×1011-3×1012cm-2)或固定注量(3×1012cm-2)不同能量（50-170 keV）的质子,照射GaAs/Ge太阳电池,获得材料的光谱响应特性随质子能量和注量的变化关系。结果表明,质子辐照对材料的光学性能有破坏性的影响。这种破坏性源于质子辐照引入的大量缺陷,使品格空间的完整性受到破坏,导致少子的扩散长度降低、表面复合速度增加。在质子能量相同的条件下,电池光学性能衰降随照射注量增大;在注量相同的条件下,辐射能量越高,太阳电池光学性能衰降越大。  
        关键词：GaAs/Ge太阳电池;质子辐射;光谱响应   
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        发布时间：2021-03-12
      • 杨治虎,朱可欣,张小安,赵永涛,殷纬纬,李宁溪
        2008(1)
        摘要：在2×1.7串列加速器上,利用装有CCD的Spectrapro-500i光谱单色仪的测量装置,采用束-箔方法,在2 MeV束能下研究350-450 nm波长范围的离化态氧原子光谱。本文报道在350-450 nm范围已确定的182条光谱线,这些谱线大都属于O II到O IV原子的n、1能级间的跃迁的弱谱线。实验结果与现有的一些理论一致。实验发现,有28条谱线在以前的文献中没有报道。  
        关键词：串列加速器;氧离子;CCD（Charge Coupled Device）;光谱   
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        发布时间：2021-03-12
      • 杨丙凡,关遐令,曹小平,张天爵,李振国,储诚节,崔保群,周立鹏,彭朝华,包轶文,唐洪庆,吴海诚
        2008(1)
        摘要：中国原子能科学研究院的"HI-13串列加速器升级工程"是在现有的HI-13串列加速器的基础上,前端新建一台100 MeV、200μA紧凑型质子回旋加速器（CYCIAE-100）和质量分辨为20000的在线同位素分离器（ISOL）,后端新建一台能量增益为2 MeV/q的超导直线增能器（SCB）,形成一加速器组合装置。各加速器可单独使用,也可联合使用。回旋加速器单独使用时主要用于中子物理、辐射物理、生物医学的研究及同位素研发。联合使用时,回旋加速器的质子束将用于轰击靶源,产生放射性同位素束,经在线同位素分离器后注人串列加速器加速,为用户提供放射性核素束流。  
        关键词：串列加速器;回旋加速器;在线同位素分离器;超导增能器;放射性核束   
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        发布时间：2021-03-12
      • 刘运宏,孙旭芳,王荣
        2008(1)
        摘要：用0.28、0.62和2.80 MeV质子束模拟空间辐射对国产MOCVD方法制备的GaInP/GaAs/Ge多结电池进行质子辐射效应研究。辐照注量为1×1012cm-2。对电池的辐射效应用I-V特性和光谱响应测试进行分析。结果表明:随质子辐照能量的增加,太阳电池性能参数Isc,Voc,pmax和光谱响应的衰降幅度均减小,0.28MeV质子辐照引起电池性能衰降最显著;低能质子辐照引起中间GaAs电池光谱响应衰降更明显。  
        关键词：GaInP/GaAs/Ge太阳电池;质子辐照;光谱响应   
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        发布时间：2021-03-12
      • 温新竹,王宇鑫,陈真英,黄宇阳,邓文
        2008(1)
        摘要：采用双探头符合技术,大幅度地降低了正电子湮没辐射Doppler展宽谱的本底,使谱线的峰高与本底之比高于104,从谱线的高能端提取正电子与过渡金属原子中d或f电子湮没的信息。测量了Zr、Nb、Mo、Ag、Hf、Pt、Au等纯金属和单晶Si样品的符合Doppler展宽谱,并以单晶Si样品为参考作出了这些金属的商谱。结果表明:金属Zr、Nb、Mo、Ag的商谱随原子的4d电子数目的增多而升高;金属Hf、Pt、Au的商谱出现了双峰,其峰高均随原子序数的增加而升高。  
        关键词：正电子湮没;符合技术;d电子;f电子;过渡金属元素   
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        发布时间：2021-03-12
      • 卫增泉,孙珂珂,孙启银,宋明涛,李强
        2008(1)
        摘要：首先简要回顾了重离子束治癌在我国的兴起与发展的情况。随后着重介绍了重离子束治癌装置及部分关键技术:总体布局方案、束流引出模式、束流配送系统、束流旋转机架、辐照门控系统、PET成像等。  
        关键词：重离子束;肿瘤治疗;束流引出;束流配送;门控系统;PET成像   
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        发布时间：2021-03-12

        核化学、放射性药物和核医学

      • 庞洪超,罗顺忠,龙兴贵,安竹,刘宁,段艳敏,吴兴春,彭述明,杨本福,王培禄,宋应民,郑思孝
        2008(1)
        摘要：为研究不同晶粒尺寸纳米钛膜的储氦行为,在He-Ar混合气体下,用磁控溅射方法沉积纳米晶钛膜,利用PBS（proton backscattering）、XRD（X-ray diffraction）对膜的氦含量和微观结构及晶粒大小进行了研究。结果表明:在其它实验参数不变的情况下,当沉积温度从60℃升至350℃时得到均匀分布的含氦量（指原子百分比）从38.6%逐渐降至9.2%的钛膜,其平均晶粒由13.1nm增加到44.2nm;当He/Ar分压比分别为6、10、15、19时得到均匀分布的含氦量分别为17.6%、47.2%、48.3%和38.6%的钛膜。He的引入引起（002）晶面衍射峰向小角度移动,但（100）晶面衍射峰不变,即晶胞参数c增加,a不变化;随膜中He含量的增加,衍射峰展宽,晶粒变小,显示出氦的掺入有抑制纳米晶粒长大的趋势。  
        关键词：磁控溅射;纳米晶钛膜;晶粒大小;氦含量   
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        发布时间：2021-03-12

        核电子学与仪器

      • 郭洪雷,龚培荣,刘平,王君,林叶春
        2008(1)
        摘要：EBS（Electron Beam System）加速器是专为橡胶乳液的辐照硫化加工而研制的。本文简述了加速器电源控制系统的软硬件组成,目前该系统已经完成研制组装,并进行了空载试验。  
        关键词：电子帘加速器;电源;可编程序逻辑控制器（PLC）   
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        发布时间：2021-03-12
      • 王坚,谢树欣,董健,王庆琪,虞孝麒,金革
        2008(1)
        摘要：本文介绍了基于Win32实验物理和工业控制系统（Expefimental Physics and Industrial Control System,EPICS）输入输出控制器（Input/Output Controller,ioc）的设计和实现,提出了EPICS IOC和微软技术的衔接方案,结合高性能数字示波器,将基于Win32的IOC很好地融入整个EPICS控制系统。  
        关键词：EPICS（Experimental Physics and Industrial Control System）;IOC（Input/Output Controller）;DLL;COM;ActiveX Control   
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      • 梁平,唐世彪,蒋连军,晏冀,梁飞,阴泽杰
        2008(1)
        摘要：中国环流器二号A（HL-2A）装置是我国第一个具有偏滤器位形的托卡马克装置。掌握聚变等离子体随时间的变化规律对实现受控核聚变有十分重大的意义,HL-2A在新一轮改建中对电子学探测提出了更高、更快的要求。为HL-2A研制的USB新型多路分时定标器具有USB接口和PC图形化操作界面,可同时定标5路以上信号,分时间隔2-50ms可选,计数率达2MHz以上,一次可获取放电后20s内所有信息,并给出离线后的数据分析与图形显示。  
        关键词：HL-2A;分时定标;磁约束受控核聚变;USB   
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      • 赵翠兰,浦世节
        2008(1)
        摘要：本文简要介绍了能谱放大器的工作原理,特别是新研制的放大器根据CdZnTe探测器的特点在原有能谱仪的基础上进行的改进和完善,及仪器性能、实际测量结果等。它具有高计数率时比原有放大器分辨率和稳定性都好。本放大器还适用于Si（Li）探测器、正比计数管和闪烁探测器。  
        关键词：能谱放大器;CdZn Te探测器;基线恢复器;能量分辨率   
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