退火温度对CsI薄膜闪烁特性的影响

程峰; 钟玉荣; 王宝义; 王天民; 魏龙

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退火温度对CsI薄膜闪烁特性的影响

低能加速器技术、射线技术及应用 | 更新时间：2021-03-12

- 退火温度对CsI薄膜闪烁特性的影响
- Effects of annealing temperature on scintillation properties of thermally evaporated CsI films
- 核技术 2008年第1期
- 作者机构：
  
  1. 兰州大学物理科学与技术学院
  2. 中国科学院高能物理研究所
  3. 北京航空航天大学理学院
  4. 中国科学院高能物理研究所兰州 730000 中国科学院高能物理研究所,北京,100049
  5. ,北京,100083
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O484.4
- 纸质出版日期：2008-01-01
- 稿件说明：
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[1]程峰,钟玉荣,王宝义,王天民,魏龙.退火温度对CsI薄膜闪烁特性的影响[J].核技术,2008(01):15-18.

CHENG Feng~. Effects of annealing temperature on scintillation properties of thermally evaporated CsI films[J]. Nuclear techniques, 2008, (1): 15-18.
[1]程峰,钟玉荣,王宝义,王天民,魏龙.退火温度对CsI薄膜闪烁特性的影响[J].核技术,2008(01):15-18. DOI：

CHENG Feng~. Effects of annealing temperature on scintillation properties of thermally evaporated CsI films[J]. Nuclear techniques, 2008, (1): 15-18. DOI：

摘要

采用热蒸发法在玻璃衬底上沉积CsI薄膜

然后进行不同温度的真空热处理。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜对CsI薄膜样品进行分析

测得

241

Am的脉冲高度谱

通过单光子法测量样品的光产额。结果表明

该CsI薄膜沿（200）晶面择优取向生长。退火温度对CsI薄膜的晶体结构和闪烁性能有很大的影响。CsI薄膜经过250℃退火后

（200）晶面衍射峰明显增强

结晶状态最佳

光产额最高

而退火温度达400%时

薄膜结构发生显著变化

闪烁性能急剧下降。

Abstract

CsI films were prepared on glass substrates by thermal evaporation and annealed under various tempera- ture.Structure and scintillation properties of films were examined using X-ray diffraction

scanning electron micro- scope and scintillation pulse height spectrometry.The results show that the crystalline structure and scintillation properties of the CsI films depend on the annealing temperature.The samples annealed at 250℃have a good crystal- line state and scintillation properties.As the annealing temperature goes up to 400℃

the light output of samples de- creases seriously.

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