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北京毛家湾出土古瓷产地的XRF分析研究
谢国喜,冯松林,冯向前,汪燕青,朱继浩,李永强,韩鸿业
2007(4)
摘要:为解决北京毛家湾发掘出土的外龙泉内青花和仿龙泉古瓷的产地归属问题,采用波散X射线荧光分析方法(WDXRF)测定这两种古瓷胎和釉中CaO、Fe2O3、MnO、SiO2、Al2O3、TiO2等10种成分的含量,利用SPSS软件对实验数据进行统计分析,分别与浙江龙泉窑、景德镇古瓷的实验数据进行比较,结果表明毛家湾出土的外龙泉内青花和仿龙泉古瓷均为景德镇产品。
关键词:古陶瓷;产地研究;WDXRF
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发布时间:2021-03-12
脉冲慢正电子束流的检测
王宝义,曹兴忠,魏存峰,章志明,马创新,张天保,魏龙
2007(4)
摘要:本工作设计了一种通过测量脉冲慢正电子湮没辐射在闪烁探测器的积分效应进行测量和标定脉冲正电子束流强度的方法。通过对探测器的刻度,定量测量了北京慢正电子强束流项目中慢正电子束流的流强和能谱发布,为脉冲正电子束流的直流化设计提供了依据。
关键词:慢正电子束流;电子直线加速器;束流强度;积分直流电位;闪烁探测器
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发布时间:2021-03-12
高LET的
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Li离子致DNA损伤的直接和间接作用研究
隋丽,郭继宇,孔福全,倪嵋楠,蔡明辉,杨明建,刘建成,赵葵
2007(4)
摘要:在HI-13串列加速器加速的具有高LET值的7Li离子辐照不同浓度的pUC19质粒DNA水溶液、加自由基清除剂(甘露醇)的DNA水溶液以及干状DNA样品,利用高分辨的原子力显微镜技术,研究7Li致DNA损伤的直接作用和间接作用。结果显示,在相同剂量下,7Li离子比低LET辐射能诱发更多的双链断裂,形成更多的集团损伤,使DSB的分布更局部和更密集。对于水溶液DNA,7Li离子的水辐解产生的自由基的间接作用在DNA分子链断裂的产生方面发挥着重要作用,而且自由基清除剂甘露醇能有效地保护DNA分子。
关键词:传能线密度(LET);重离子;质粒DNA;原子力显微镜(AFM);双链断裂(DSB);自由基清除剂
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发布时间:2021-03-12
各种自由基清除剂在γ射线辐照DNA损伤中的作用
杨明建,孔福全,展永,王潇,倪嵋楠,隋丽,蔡明辉,赵葵
2007(4)
摘要:为了对重离子辐照致DNA损伤中的自由基作用进行评估,本文利用γ射线对添加了各种自由基清除剂(甘露醇,维生素C和茶多酚)的质粒DNA进行辐照,凝胶电泳分析的结果表明,三种自由基清除剂对DNA均有很好的保护作用。在相同自由基清除剂浓度的情况下,甘露醇比维生素C具有更强的清除自由基的作用。与重离子辐照情况相比,这几种自由基清除剂对γ射线产生的自由基的清除作用更为明显。
关键词:自由基;自由基清除剂;甘露醇;微生素C;茶多酚;γ射线;质粒DNA;凝胶电泳
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发布时间:2021-03-12
碳离子辐射对空间GaAs/Ge太阳电池性能影响的研究
刘运宏,王荣,孙旭芳
2007(4)
摘要:利用2×1.7 MV串列静电加速器提供的碳(C)离子束模拟空间环境辐射,对空间GaAs/Ge太阳电池用注量为3.1×109—6.9×1012 cm-2的2 MeV C离子进行辐照。通过I-V特性和光谱响应测试,研究分析了GaAs/Ge太阳电池的C离子辐射效应。结果表明:随着C离子辐照注量的增加,GaAs/Ge太阳电池电性能参数Isc、Voc和Pmax衰降增大,其中Pmax衰降最大,Isc次之,Voc最小。该衰降规律和质子辐照的衰降规律相似。但使GaAs/Ge太阳电池的Pmax衰降到原值的50%,用C离子辐照所需注量要比相同射程的质子辐照小两个量级。在低注量辐照时,光谱响应衰降主要发生在长波范围;而注量大于3.1×1010 cm-2时,则发生明显的长、短波整个波段的光谱响应衰降;当注量增大到2.3×1011 cm-2以上,光谱响应基本消失。
关键词:GaAs/Ge;太阳电池;碳离子;辐照
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发布时间:2021-03-12
组织等效介质中质子产生的次级电子沿其径迹径向空间分布的研究
张文仲,郭勇,骆亿生
2007(4)
摘要:为探讨质子在人体组织(或组织等效介质)中能量沉积的微观特性,在对人体组织材料进行分析的基础上,确定了水蒸汽作为组织等效材料的合理性,利用蒙特卡罗方法模拟了质子在介质中的微观行为。通过对计算所得数据进行系统分析,得出质子在组织等效材料中能量沉积微观特性的一些规律与特点。质子在介质中主要把其能量交给电子,最后由电子完成其能量沉积过程,所有这些小能量沉积事件构成了质子在介质中的几何径迹。
关键词:质子;次级电子;蒙特卡罗方法;能量沉积;空间分布
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发布时间:2021-03-12
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Be(d,n)加速器中子源中子照相的研究
裴宇阳,邹宇斌,郭之虞,唐国有,胥建国,郭纪美,张国辉,郭利安
2007(4)
摘要:加速器中子源比反应堆中子源更具灵活性,北京大学正在发展基于RFQ加速器的小型中子照相装置。为了更好地设计和优化此装置,实现高品质的中子照相,我们在北京大学4.5 MV静电加速器上建立了中子照相实验平台,包括科学级制冷、高灵敏度、低噪声的CCD数字成像系统,模拟基于厚铍靶9Be(d,n)反应RFQ中子源的条件,并利用此系统开展中子成像技术的研究。实验在像平面热中子注量率为5×103 cm-2·s-1或快中子注量率为3.7×104 cm-2·s-1的情况下获得了一定质量的热中子及快中子照片。当利用RFQ直线加速器强中子源时将可获得更高质量的图片,从而可以满足大多数的应用需要。
关键词:中子照相;加速器中子源;热中子;快中子;D-Be反应
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发布时间:2021-03-12
40 keV He离子注入单晶Si引起的损伤效应研究
刘昌龙,王卓,尹立军,吕依颖,张晓东
2007(4)
摘要:室温下使用40 keV He离子注入单晶Si样品到剂量5×1016 cm-2,分别采用透射电子显微镜(TEM)、热解吸谱仪(THDS)、光致发光谱仪(PL)详细地研究了随后热处理过程中He注入空腔的形成、He气体原子的热释放以及注入损伤引起的光致发光特性。结果表明,He离子注入及随后的高温热处理会在单晶Si中产生宽度约为220nm的空腔带,同时伴随着He气体原子从注入产生的缺陷中释放出来。He气体原子的热释放可以明显地分为两个温度阶段,分别对应于He原子从小的空位型缺陷和大的空腔中的热释放。此外,He离子的注入还会在单晶Si中产生明显发光中心,导致了波长约为680nm和930nm的两个光致发光带。该光致发光带的出现可能跟He离子注入及退火过程中产生的纳米Si团簇有关。
关键词:单晶Si;He离子注入;空腔;He原子热释放;光致发光
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发布时间:2021-03-12
中子照相∑定量测量方法
霍合勇,唐彬,吴洋,薛斌
2007(4)
摘要:本文描述了一种利用中子照相进行定量分析的方法,介绍了该方法的基本原理,并应用粒子输运程序MCNP模拟分析样品内部散射中子随样品与探测器之间距离变化对中子成像的影响。为削弱散射中子对中子透射成像图像信息的影响,对穿透样品的厚度进行了定量分析。
关键词:中子照相;∑标定方法;宏观截面;MCNP程序
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发布时间:2021-03-12
裂变同位素靶管在300
#
反应堆的辐照实验
陈炜,李润东,朱世雷,王云,杨锐
2007(4)
摘要:将裂变同位素靶管放入300#反应堆特殊燃料元件盒中辐照。叙述了辐照定位装置的加工以及靶管取放、定位、热电偶导出线固定等详情,测量了轴向中子注量率分布、水隙内和靶管内外壁的中子注量率,刻度了靶管的反应性,分五个功率台阶测量了靶管壁面温度和堆池温度。测量得到的热中子注量率沉降因子与根据生产厂家报告推出的自屏因子基本符合。将计算的和测量的靶管外壁温度进行比较,可认为铀靶生产厂家给出的靶管各热物性参数是准确的。
关键词:裂变同位素靶管;300#反应堆;辐照
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发布时间:2021-03-12
中子粉末衍射谱仪垂直聚焦单色器的调试方法
谢超美,刘丽鹃,刘艳红,彭梅,李新喜,A Boulkin,V Oulianov,蒋励,唐斌
2007(4)
摘要:介绍了中子散射谱仪用的中子垂直聚焦单色器的基本原理,描述了安装在中国工程物理研究院核物理与化学研究所的中子衍射谱仪的中子垂直聚焦单色器的调节方法。在样品处利用中子照相确定了束斑的中心位置和大小,通过在水平和垂直方向上的扫描得到了可利用的中子束的面积,测量了该处的最大中子注量率,结果表明在样品处得到略大于一倍的增益。
关键词:中子衍射谱仪;垂直聚焦单色器;调试方法
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发布时间:2021-03-12
中子衍射残余应力分析技术及其应用
孙光爱,陈波
2007(4)
摘要:中子衍射方法可以用来测量材料内部的三维残余应力分布,是一种重要的无损检测分析手段。本文概述了中子衍射残余应力分析的基本原理、特点和发展现状,并简要介绍了其在工程和材料科学领域的应用情况与前景。
关键词:中子衍射;残余应力
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发布时间:2021-03-12
ZEMAX模拟中子相衬成像研究
吴洋,唐彬,霍合勇,代君龙
2007(4)
摘要:相衬成像是中子成像领域内的前沿技术,它的成像机理基于中子束的波动性。进行中子相衬成像研究,有必要对这一过程进行仿真计算,但目前尚无模拟中子波动行为的程序出现,本文探讨了利用光学仿真软件ZEMAX对热中子相衬成像过程进行模拟的可行性,介绍了具体的模拟过程和结果,研究了不同的物源距离、物屏距离、点中子源尺寸以及样品尺寸对最终成像结果的影响。仿真结果和理论较为接近,这表明使用该软件模拟中子相衬成像是具有一定的可行性的。
关键词:相衬;中子照相;ZEMAX;模拟
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发布时间:2021-03-12
D
2
/DT低温精馏分离动态模拟
夏修龙
2007(4)
摘要:本文建立了氢同位素低温精馏分离的动态模型,利用该模型针对D2/DT体系计算获得了精馏柱上DT浓度的动态变化和空间分布;研究了再沸器滞留量、回流比等参数对系统分离性能的影响。回流比的提高可以显著地提高脱氚率;再沸器中DT浓度不但与滞液量存在显著的依赖关系,而且随时间增长而增长。在理论板数为80时,塔顶与塔底DT浓度相差约3个数量级,分离效果明显。
关键词:氢同位素;低温精馏;氚
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发布时间:2021-03-12
伪双元合金Hf
0.82
Ta
0.18
Fe
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温度诱导自旋重取向的穆斯堡尔研究
黄彦君,厉淑贞,陈楠,夏元复
2007(4)
摘要:制备了伪双元合金Hf0.82Ta0.18Fe2。X射线衍射表明,合金为C14型Laves相结构,晶格常数为a=4.92133(3),c=8.0488(1)。在温度20K~380K范围内测量了穆斯堡尔谱。表明合金随温度存在两个磁相变点,一个从顺磁态(PM)到反铁磁态(AFM),相变温度为330K,另一个从反铁磁(AFM)到铁磁态(FM),相变温度约为180K。在AFM-FM相变点,6h位Fe原子自旋方向发生翻转,从沿c方向转向ab平面。相应地,2a位的Fe原子,在AFM态为顺磁性,经过该相变后,相应地呈现铁磁性排列。
关键词:Hf0.82Ta0.18Fe2;穆斯堡尔谱;自旋重取向;磁结构
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发布时间:2021-03-12
穆斯堡尔谱研究坡缕石中铁的占位
厉淑贞,李真,黄彦君,伊琳,夏元复
2007(4)
摘要:通过穆斯堡尔谱,研究了江苏盱眙龙王山收集的富铁坡缕石的热分解过程与Fe原子占位,分析结果表明,在样品中Fe呈三价,占据层链中的M1位和M2位八面体,比例为3:1。
关键词:坡缕石;穆斯堡尔谱;铁的占位
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发布时间:2021-03-12
高能α粒子辐射屏蔽的蒙特卡罗模拟
方美华,魏志勇,陈达
2007(4)
摘要:本文应用蒙特卡罗方法模拟α粒子在不同材料(铝、聚乙烯、水、液氢)中的输运。根据得到的射程与能量关系及二次粒子种类和数量,评价不同材料对α粒子的屏蔽效果。得出如下结论:在空间辐射防护中,铝并不是最佳的防护材料;在含氢物质中,随着氢含量的增加,辐射防护能力有所提高;并且α粒子随入射深度的能量沉积曲线中出现了典型的布拉格峰。
关键词:Geant4;α粒子;射程-能量关系;次级粒子
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发布时间:2021-03-12
脉冲中子在煤中所形成中子场的研究
贾文宝,徐爱国,陈晓文,王辉东
2007(4)
摘要:本文采用蒙特卡罗计算程序MCNP(Monte Carlo N-Particle Transport code),对煤炭中Ti、Si元素量的变化前后14MeV脉冲中子源在煤中形成的中子场进行了计算。其中Ti元素量的变化对中子场影响程度较大,Si元素则较小。实验事实验证了分析结果。
关键词:脉冲中子;煤炭;瞬发γ光谱;MCNP;中子场
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发布时间:2021-03-12
离子辐照后4H-SiC晶体退火前后的光谱研究
周丽宏,张崇宏,杨义涛,宋银,姚存峰
2007(4)
摘要:分析了高能Pb27+辐照预注入12C+的和未预注入12C+ 4H-SiC样品在,退火前后傅立叶变换红外光谱和拉曼散射光谱的变化。从傅立叶变换红外光谱可以知道,900℃以上的退火使损伤层发生显著恢复;在拉曼散射光谱中可以看到1200℃退火后有石墨相的存在。实验结果说明,高温退火有利于损伤的恢复,使注入到碳化硅中的碳原子发生聚集并引起相变。
关键词:离子注入;辐照;4H-SiC;FTIR;Raman谱;退火
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发布时间:2021-03-12
低速高电荷态重离子在GaN单晶中引起的辐照损伤研究
杨义涛,张崇宏,孙友梅,姚存峰,赵志明
2007(4)
摘要:利用Rutherford沟道背散射分析研究了低速高电荷态重离子(Xe26+)在氮化镓(GaN)晶体中辐照损伤的产生对剂量的依赖关系,比较了垂直照射和60o倾斜照射的差异。基于“库仑爆炸”模型对结果进行了解释。
关键词:低速高电荷重离子;氮化镓;辐照损伤
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发布时间:2021-03-12
C
60
薄膜在快重离子辐照下的结构稳定性研究
金运范,姚存峰,宋银,刘杰,王志光,孙友梅,张崇宏,段敬来
2007(4)
摘要:用傅立叶变换红外光谱、X射线衍射谱、X射线光电子谱和拉曼散射技术分析了能量为GeV量级的S、Fe、Xe、和U离子,以及120keV的H离子在室温下辐照多层堆积C60薄膜的结构稳定性,即快重离子在C60薄膜中由高密度电子激发引起的效应,主要包括C60分子的聚合、分子结构的损伤、新的高温-高压相的形成和晶态向非晶态的转变。
关键词:结构稳定性;C60薄膜;快重离子;高密度电子激发效应
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发布时间:2021-03-12
高能重离子辐照制备SiOC复合材料的研究
刘纯宝,赵志明,王志光,宋银,金运范,孙友梅,刘杰,姚存峰,臧航
2007(4)
摘要:用120keV碳离子注入非晶SiO2薄膜,再用高能Xe、Pb和U离子辐照。注碳剂量范围为2.0×1017—8.6×1017 cm-2,高能离子辐照剂量1.0×1010—3.8×1012 cm-2。辐照后的样品用傅里叶变换红外光谱仪进行系统分析。实验结果显示,高能离子辐照在注碳非晶SiO2薄膜中形成了大量的Si-O-C键和Si-C键。这些Si-O-C结构具有环链、开链和笼链等多种结构形式。随电子能损、辐照剂量或者沉积能量密度的增加,SiOC结构由类笼向环/开链结构演化。对高能重离子驱动产生SiOC结构的机理进行了简单的讨论。
关键词:重离子辐照;注入;SiOC
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发布时间:2021-03-12
电子辐照PVA/CMC共混水凝胶的成胶研究
马艺准,王志光,宋银,张丽卿,孙友梅,姚存峰
2007(4)
摘要:本试验利用电子辐照PVA/CMC共混水凝胶,通过外观透明度、凝胶分数、溶胀度和红外光谱分析,研究了样品中结构的变化与外观透明度、凝胶分数和溶胀度的关系,以及辐照剂量对样品中结构和性能的影响。结果表明,不同比例的PVA与相同比例的CMC组成的共混水凝胶,经电子辐照后呈现不同的宏观特性。辐照样品萃取后得到的凝胶比萃取前的混合凝胶拥有更强的吸水性,表明辐照PVA/CMC共混凝胶形成了网状结构凝胶。几种竞争反应导致不同辐照剂量下混合凝胶中凝胶含量随PVA含量的变化变得复杂。辐照后样品的红外光谱分析显示,辐照使凝胶中部分仲醇中C上链接的H原子被取代而转变为叔醇,从而产生交联。
关键词:水凝胶;PVA/CMC;电子束辐照
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发布时间:2021-03-12
高能重离子辐照制备碳氮化合物材料研究
王志光,宋银,金运范,孙友梅,赵志明,刘杰,张崇宏,姚存峰
2007(4)
摘要:室温下,先用100—120keV的N离子注入类金刚石薄膜和石墨中,注入剂量5×1017至5×1018 cm-2,再用高能Xe、U、C60离子分别辐照注氮后的样品,然后用显微FTIR和Raman、XRD/XPS等手段进行分析表征,研究了实验样品中由辐照引起的新化学键和新相的产生。实验结果显示,高能重离子辐照可在所有样品中产生大量的CN键,高N浓度和大密度能量沉积导致sp3/sp2键比率的增加以及形成α-和β-C3N4必需的N-sp3C键的量的增加。C60离子辐照在注氮石墨样品中引起了ta-C、N=sp2C和N-sp3C键的形成;而高能离子辐照在注氮类金刚石薄膜样品中产生了α-和β-C3N4晶态夹杂物,其尺寸在1.4—3.6nm之间。
关键词:N离子注入;高能重离子辐照;类金刚石薄膜;石墨;碳氮化合物
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发布时间:2021-03-12
快重离子在聚合物潜径迹中引起的损伤效应研究
孙友梅,刘杰,王志光,张崇宏,侯明东,金运范,段敬来,宋银,薛智浩
2007(4)
摘要:在室温和真空环境下利用不同的快重离子(1.158GeV Fe56、1.755GeV Xe136及2.636GeV U238)对多层堆叠的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸脂(PC)和聚酰亚胺(PI)进行了辐照,结合X射线衍射(XRD)、傅立叶红外光谱(FTIR)及紫外可见光谱测量技术,在较宽的电子能损(1.9-19.0 keV·nm-1)和注量范围(1×1010-6×1012 cm-2)研究了离子在不同聚合物潜径迹中引起的损伤过程,观测到了主要官能团的降解、炔基生成、非晶化及紫外吸收边缘的红移等现象随辐照注量及电子能损的变化趋势。通过对损伤过程的定量分析,应用径迹饱和模型假设,分别给出了Fe、Xe和U离子在不同电子能损下辐照PC时的平均非晶化径迹半径和炔基形成半径,并用热峰模型对实验结果进行了检验。
关键词:快重离子;聚合物;潜径迹;损伤效应
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发布时间:2021-03-12
单粒子效应辐射模拟实验研究进展
贺朝会,李永宏,杨海亮
2007(4)
摘要:应用质子直线加速器进行了静态随机存取存储器(SRAM)的单粒子效应模拟实验研究。采用金箔散射法降低质子束流,研制了弱流质子束测量系统,测量散射后的质子束流,实验测得SRAM质子单粒子翻转截面为10-14cm2/bit量级。利用重离子加速器和锎源进行了SRAM的单粒子效应实验。研究其单粒子翻转截面与重离子线性能量传输(LET)值的关系,得到了单粒子翻转阈值和饱和截面。实验表明252Cf源单粒子翻转截面与串列加速器的重离子单粒子翻转截面一致,说明对于SRAM,可以用252Cf源替代重离子加速器测量单粒子翻转饱和截面。与中国原子能研究院、东北微电子研究所合作开展了国内首次重离子微束单粒子效应实验。建立了大规模集成电路重离子微束单粒子效应实验方法,找到了国产SRAM的单粒子翻转敏感区。应用14MeV强流中子发生器进行了SRAM单粒子效应实验,测得了64K位至4M位SRAM器件14MeV中子单粒子翻转截面。用α源进行SRAM单粒子效应辐照实验,模拟封装材料中的232Th和238U杂质发射出的α粒子导致的单粒子翻转。测量α粒子射入SRAM导致的单粒子翻转错误数,计算单粒子翻转截面和失效率,比较三种器件的抗单粒子翻转能力,为器件的选型提供依据。并开展了路由器的α粒子辐照实验,复演了路由器在自然环境中的出错情况,为路由器的设计改进提供了依据。
关键词:单粒子效应;静态随机存取存储器;加速器;辐射源
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发布时间:2021-03-12
中子活化分析研究苹果中有机卤素污染物分布特征
张鸿,罗嘉玲,柴之芳,孙慧斌
2007(4)
摘要:采用中子活化分析方法,研究了苹果中有机卤素污染物的分布特征。结果显示,苹果中有机卤素呈有机氯>>有机溴>有机碘的分布,而有机氯呈种子>>果皮>>果荚≥果肉的分布。统计分析结果显示,苹果中有机氯、溴、碘具有不同的来源。其中有机溴、碘主要来自植物自身合成的天然产物,而有机氯则主要来自人造的污染物。
关键词:中子活化分析;有机卤素污染物;苹果
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发布时间:2021-03-12
PVA/PVP/ws-chitosan水凝胶伤口敷料的辐射制备及性能表征
杨小敏,刘崎,付海英,姚思德,朱智勇
2007(4)
摘要:采用γ射线辐射法制备了聚乙烯醇(PVA)/聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)/水溶性壳聚糖(ws-chitosan)共混水凝胶。研究了辐射剂量、ws-chitosan含量及增塑剂(聚乙二醇(PEG)或甘油)对水凝胶性能的影响。实验发现,随着辐射剂量的增大,凝胶分数增大,并在剂量大于27 kGy时达到饱和;ws-chitosan含量增大及加入增塑剂PEG或甘油后,水凝胶的凝胶分数和强度都会减小,而相应的溶胀度会显著增大。通过高级流变仪(ARES)对水凝胶弹性模量的测试显示,随吸收剂量的增加,凝胶强度会相应增大,但在27 kGy以上出现饱和。
关键词:水凝胶;增塑剂;流变性能;辐射合成
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发布时间:2021-03-12
HDPE/EVA/CB体系流变学性质及其辐照响应
陈西良,张聪,付海英,宋玉峰,刘崎,杨小敏,朱智勇
2007(4)
摘要:利用高级流变扩展系统(ARES)研究了碳黑(CB)填充的高密度聚乙烯—乙烯和醋酸乙烯共聚物(HDPE/EVA)体系的流变学行为。研究发现在高填充份数时低频区出现似固体的“第二平台”、损耗因子峰以及强剪切变稀行为,这些现象的出现均与CB颗粒之间以及颗粒和高分子链之间的相互作用所形成的网络结构有关。通过粘度随碳黑含量的变化可以看出,当填充碳黑的量达到20 phr时体系即出现所谓的“流变逾渗”结构。体系在辐照之后流变学行为与辐照前相比发生了很大的变化:在低频区的损耗因子峰消失,储能模量(G′)对频率的依赖关系减小,显示辐照对聚合物分子产生交联作用。而高剂量下模量的微小回复估计与聚合物分子的部分降解有关。
关键词:HDPE/EVA/CB复合材料;流变;γ-辐照
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发布时间:2021-03-12
核分析相关技术用于上海市大气污染特征研究
张元勋,王荫淞,杨传俊,陆文忠,张桂林,李燕
2007(4)
摘要:本文研究了近年来上海市区和郊区大气气溶胶颗粒物的污染状况,采用的多种核分析方法及相关技术有质子激发X荧光分析(PIXE)、激光粒径谱仪(LPS)、同步辐射X射线吸收精细结构(XAFS)和扩展X射线吸收谱精细结构(EXAFS)分析等先进技术。充分发挥核分析技术高灵敏度、快速无损、多元素微量微区同时分析的优势,从大气颗粒物的形貌特征、粒径分布、质量浓度、元素浓度、化学价态等入手,对上海大气可吸入颗粒物PM2.5和PM10展开多方位的综合研究。
关键词:核分析技术;大气颗粒物;粒径分布;元素浓度;化学价态;污染特征
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发布时间:2021-03-12
大气气溶胶中痕量贵金属元素Pt的仪器中子活化分析初步研究
李晓林,毛雪瑛
2007(4)
摘要:初步研究了仪器中子活化分析方法测定大气气溶胶中痕量Pt的干扰,建立了Ca对Pt干扰校正的数学方法。实验结果显示:所建立的用199Pt衰变子体199Au测定大气气溶胶中Pt的INAA方法是可行的。
关键词:中子活化分析;气溶胶;铂
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发布时间:2021-03-12
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I-C
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吡咯烷苯氮芥的制备和生物分布
冉铁成,刘瑞丽,诸颖,李晴暖,朱建华,李文新
2007(4)
摘要:在合成以富勒烯为载体的抗肿瘤药物C60吡咯烷苯氮芥的基础上,采用先结合稳定碘再进行同位素交换的方法制备了125I-C60吡咯烷苯氮芥。研究了125I-C60吡咯烷苯氮芥的聚乙烯吡咯烷位酮(PVP)溶液通过爪垫皮下注射在大鼠体内的生物分布。实验结果表明,125I-C60吡咯烷苯氮芥具有较理想的淋巴摄取。
关键词:125I-C60吡咯烷苯氮芥;生物分布
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发布时间:2021-03-12
一种高灵敏度环境中子剂量当量仪的能量响应计算与实验验证
魏迎光,刘森林,孙莉峰,王彦锋
2007(4)
摘要:利用MCNP4C程序计算了一种高灵敏度环境中子剂量当量仪的响应曲线。计算结果在感兴趣能量区间与ICRP建议书中的H*(10)曲线符合较好,通过实验验证,计算结果与实验数据相对偏差在-21.6%以内(对中子要求偏差在±50%以内),实验表明,用MCNP程序优化设计探测器可提高设计效率,并可同时为实验验证提供参考数据。
关键词:环境中子;高灵敏度;剂量当量仪;响应曲线;实验验证
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发布时间:2021-03-12
叠层式探测器响应函数的理论计算和实验验证
雷家荣,魏熙晔,袁永刚,赵林,赵敏智,崔高显
2007(4)
摘要:光子能谱是脉冲辐射场中的重要参数。叠层式组合探测器可用于测量脉冲辐射场光子注量谱,而组合探测器对各种不同能量的光子的响应函数是光子能谱解谱的基础。本文用MCNP/4C对其响应函数进行了模拟计算,并采用热释光探测技术对典型能量点的γ射线的响应函数进行了实验验证。结果表明,叠层式组合探测器响应函数的理论模拟值和实验测量结果在实验测定精度内符合良好。
关键词:叠层式探测器;能谱;响应函数;MCNP/4C
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发布时间:2021-03-12
γ探头刻度辐射场光子注量测量
袁永刚,雷家荣,赵敏智
2007(4)
摘要:设计了带铅屏蔽和能对空间各场点进行定点测量的照射盒。成功地解决了空间各场点定点测量的问题,克服了以前场点测量数据分散性较大的缺陷,并对探测器的屏蔽效应修正进行了实验验证。在此基础上对物理测试探测器刻度用场点的光子注量进行了实验测定,给出了刻度场点的光子注量。
关键词:光子注量;热释光探测器;质能减弱系数
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发布时间:2021-03-12
高探测效率氚测量仪
庹先国,穆克亮,雷家荣,李向阳,杨雪梅
2007(4)
摘要:本文设计的高探测效率氚测量仪是集核探测、电子、信息处理等技术于一体,利用流气式正比计数器,采用先进的微处理器、数据和信息处理技术,具有低功耗、高探测效率的便携式测量仪器。经过应用实验表明,仪器性能指标为:坪长300V,坪斜0.608%/100V,探测下限0.221 Bq·cm-2(测量时间600s),仪器稳定性0.56%/h,仪器变异系数2.88%,探测效率84%(3H源,2π表面发射率1307min-1)。
关键词:氚测量;高探测效率;性能
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发布时间:2021-03-12
基于P-Si型半导体探测器的多通道剂量计
穆克亮,庹先国,李向阳,奚大顺
2007(4)
摘要:本文介绍一种应用于辐射场在线和实时检测、在核医学领域对受检患者放疗剂量进行监测和测量的多通道剂量计。该仪器采用了高精度的P-Si型半导体探测器。仪器经过初步应用,射线敏感能量区在0.1—15 MeV之间;最低探测灵敏度为0.05 Gy/min;输入偏流约为50×10-15A;剂量线性理想,并配有打印机、LCD等设备,增加了仪器的智能性。
关键词:P-Si半导体探测器;多通道;理想线性
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发布时间:2021-03-12
便携式离子注入型半导体核辐射仪的研制
谢利平,康明杰,堵敏轩,杜毅
2007(4)
摘要:采用离子注入技术研制的便携式半导体核辐射仪,其各项技术指标均有很大的改进和提高,达到了国内先进水平,可广泛用于空间和环境中X射线和γ射线的探测领域。
关键词:离子注入;半导体探测器;核辐射仪
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发布时间:2021-03-12
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