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      2020 年 第 0 卷 0 期

        全国离子注入学术讨论会论文选编

      • 林成鲁
        1987, 10(1)
        摘要：自1977年以来，为了摸索离子注入半导体的新退火方法，各国学者进行了大量的研究工作。这种努力是从激光退火的研究开始的。激光与半导体材料相互作用的研究，已派生出若干很有生命力的应用项目，其中，快速热退火、SOI（Semiconductor on Insulator）技术等已显示了重要的应用前景，并正在走向实用化。  
        关键词：快速热退火;离子注入半导;体SOI技术;InP   
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        发布时间：2022-08-16
      • 王震遐,陶振兰,郑里平,曹德新,陈淼,周祖尧
        1987, 10(1)
        摘要：荷能离子轰击固体复合材料表面时某种成分的择优发射现象，是人们很感兴趣的研究课题。这是因为，择优发射机制至今尚不清楚。同时，很多现代表面分析设备，诸如俄歇电子能谱仪（AES）和二次离子质谱仪（SIMS）等等，都是利用离子剥层技术来进行深度剖面分析的。因此，在对复合材料样品进行上述分析时，也极需了解各元素在溅射过程中的部分产额以及角分布知识。  
        关键词：溅射;角分布;择优发射   
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        发布时间：2022-08-16
      • 陈鹤鸣,马春来,白新德,陈清明,和志刚,冯嘉尤,章祝春
        1987, 10(1)
        摘要：离子束技术（包括离子注入、离子束混合、离子束分析等）在腐蚀科学领域中的应用是近十年来一个引人注目的新发展。  
        关键词：离子束技术;腐蚀;氧化   
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      • 李毅,林荫浓,张健波,王忠烈
        1987, 10(1)
        摘要：离子束混合的理论研究目前集中在混合机制。已提出的机制主要有碰撞级联混合[1,2]与辐射增强扩散混合[3,4]。在文献[5、6]中我们给出了这两种机制统一处理的模型与数学表述。  
        关键词：离子束混合;扩散;热扩散;化学反应;碰撞级联混合;辐射增强扩散混合;化学推动力   
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        发布时间：2022-08-16
      • 胡兆民,张伟国,刘凤英,邵统义,项续扬,高凤琴,李公攀
        1987, 10(1)
        摘要：离子注入技术已超出了半导体工业的范围，成为材料科学中强有力的研究手段，并在材料改性领域中开始了工业应用。有人认为离子束技术是进行“材料设计”的手段[1]，是实现“从天然材料到人造材料时代的关键”[2]。稀土元素在冶金中的应用很有前途，加入适量稀土可改善钢的机械性能、加工性能和耐蚀性能。但稀土元素改善钢的耐蚀性的作用和机理都有待深入研究，而用离子注入技术系统研究稀土元素改善钢的耐蚀性的工作尚未见报道。我国稀土资源丰富，系统地研究注入稀土元素的作用有重要意义。为了改善航空发动机轴承的抗局部腐蚀性能，美国海军实验室曾将Cr、Mo等常规耐蚀合金元素注入到轴承钢表层，并取得良好效果[3]。本工作亦显示了注入稀土元素改善轴承钢抗点蚀特性的潜力。  
        关键词：稀土;离子注入;腐蚀;点蚀   
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        发布时间：2022-08-16
      • 周勉,忻尚衡,史常忻
        1987, 10(1)
        摘要：GaAs集成电路要求FET有一致的夹断特性，而半绝缘GaAs衬底的质量对Si全离子注入的MESFET有着重大影响。这是由于高阻衬底中的Cr在离子注入和高温退火后的再分布，注入后载流子分布出现翘尾，使部分器件呈现出异常输出特性，表现为夹断电压偏高，小电流时跨导偏低，难以获得均匀的夹断电压。在N型有源层之下，用离子注入工艺形成一个隐埋的P型层，可以大大改善夹断电压的均匀性[1]。已有报道，通过在沟道层和衬底之间引入一P型层，亚微米栅GaAs MSFET的短沟道效应有效地被抑制了[2]，背栅效应对于GaAs集成电路无疑是有害的，模拟计算也表明，使用近补偿的衬底材料或缓冲层可使背栅沟道电容减至最小[3]。  
        关键词：GaAs;Si＋Be＋离子注入   
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        发布时间：2022-08-16
      • 张廷庆,任建民,刘家璐,崔进炜,王研
        1987, 10(1)
        摘要：CMOS集成电路在LSI、VLSI中占有显著地位，它是当今乃至今后一段时期集成电路发展的主流。研究CMOSIC沟道、P－阱注入杂质的分布和再分布规律，对于指导工艺实践和提高电路性能具有现实意义。  
        关键词：P－阱;沟道;离子注入;计算机模拟   
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      • 北京市机电研究院加速器室
        1987, 10(1)
        摘要：离子注入机经过20多年的发展，其主要技术指标已达较高水平。最近几年除了用于半导体掺杂的弱流机外，用于材料改性的强流机及用于超大规模集成电路研制的高能、超高能（MeV）注入机都有了较大的发展。  
        关键词：离子源;离子注入机;分析磁铁;注入均匀性;加速管   
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      • 程世昌,张辉,刘石柱,凌高宏
        1987, 10(1)
        摘要：由离子和离子束技术形成的非晶碳膜具有良好的电绝缘性、对红外及可见光透明、硬度大、耐腐蚀等优良性质，可望在半导体器件、激光器件、太阳电池和材料保护等方面得到应用而受到重视。近年来很多作者先后报道了用未经质量分析的低能碳离子束直接沉积[1,2]、离子束溅射沉积[3]、离子镀[4]、射频辉光放电离化碳氢化合物的等离子体沉积[5,6]、经质量分析的低能碳离子束沉积[7]等方法在单晶硅、玻璃、不锈钢等不同衬底上形成非晶碳膜的结果。碳膜的物理性质与沉积条件有密切关系，根据物理性质非晶碳膜大致可以分为三类，即导电、不透明的类石墨膜；绝缘、透明、质软的类聚合物膜；透明、绝缘、硬度大的类金刚石膜。  
        关键词：射频等离子体法;非晶碳膜   
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        发布时间：2022-08-16
      • 熊兆奎,徐培光,汪德志,郑思孝,林锡刚
        1987, 10(1)
        摘要：能量为几十千到几百千电子伏离子射入材料表面，使表面层的组成与结构发生改变，从而引起材料表面的物理与化学性质的变化，这种材料改性方法有极其重要的应用。如摩擦、润滑性、耐磨损性、表面硬化、抗高温氧化性、耐腐蚀性、催化及附着力改善等。虽然离子注入可改善材料这些性质，但由于经济与技术上的原因，最重要的研究集中在耐磨损性、抗高温氧化性及某些耐蚀性上，而耐磨性的研究以工具上的应用为最多[1]。  
        关键词：离子注入;切削刀具;耐磨性;耐用度   
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      • 周平,徐培光
        1987, 10(1)
        摘要：1979年英国的N. E. W. Hartley[1]采用注入CO+的方式注碳，经CO+注入的工具插件（4NilCr）和拉丝模（WC—6%CO），获得了磨损降低、寿命延长的好效果。1976年英国的I. H. Willson[2]和1978年苏联的I. M. Belii[3]曾分别报道用N+注入Ti膜成功地合成了TiN，并对其电性能进行了系统研究。1981年中国台湾的P. A. Chen和T. T. Yang[4]也用N+轰击沉积在Si片上的1200Å厚的Ti膜，成功地合成了化合物TiN，并用RBS和X-ray衍射对合成的化合物进行了鉴定。本实验采用CO+注入高速钢，N+注入高速钢表面镀Ti样品，与常规的N+注入及空白样品进行对比，对注入后表面硬度和耐磨性的变化、注入层的成份、组织结构等进行了研究。实验结果表明，这两种注入工艺获得了比N+注入更佳的效果。  
        关键词：离子注入;耐磨性;硬度   
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      • 赵育敏,王震西,赵中仁,刘家瑞,周俊思,杨宝山,赵大如,罗文浩
        1987, 10(1)
        摘要：离子注入用于金属材料表面改性，特别是提高金属表面的耐磨损、耐腐蚀能力的试验研究已开始向工业应用的方向过渡。目前这方面的研究成果已在英国、美国、日本、苏联等国申请了专利[1-4]，其中用于磁头表面处理的专利申请就占有两项。为此，我们分别试验了硼离子、氮离子注入坡莫合金磁头材料，研究其组织、结构的变化，测量了坡莫合金离子注入前后的磁性能、表面硬度、表面光洁度、耐磨损性能以及成品磁头离子注入前后的电声性能，取得了一些初步的试验结果。  
        关键词：离子注入;坡莫合金;磁头   
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      • 张通和,何树声,卢殿通,曾庆城
        1987, 10(1)
        摘要：通过SiO2而将As、P和B注入到硅中去的方法通常是制备MOS电路和双极电路的重要掺杂手段。这种方法的优点在于可防止离子对硅单晶表面的溅射、污染和减少辐射损伤。  
        关键词：砷注入;反冲氧的计算;在硅中的反冲氧的影响;剩余缺陷;注入能量;密集缺陷   
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      • 潘显政,何新明,王滨,章利球
        1987, 10(1)
        摘要：离子束辅助沉积（以下简称IVD）方法是将离子束技术与真空沉积薄膜技术相结合的一种新的制膜方法。它具有沉积速率高、薄膜吸附强度大、薄膜外延温度低并能消除膜应力等优点。因此，近年来在国际上受到重视和发展。  
        关键词：离子束辅助沉积法;Ag/Si薄膜   
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        发布时间：2022-08-16
      • 王培录,韩文淑,陈元儒,刘仲阳,王宜荣,陈锦
        1987, 10(1)
        摘要：离子束混合对金属耐蚀性影响的研究已屡见报道。该技术以其固有的特点正引起人们的重视。已有一些报道肯定了它对金属腐蚀研究的作用[1-5]。  
        关键词：离子束混合;合金;腐蚀   
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      • 周凤生,华明达,彭建华
        1987, 10(1)
        摘要：有关液态金属离子源的研究，国内已有报道[1-3]。我们也开展了这方面的工作。图1是镓液态金属离子源的结构示意图。要获得稳定的离子发射，关键是在钨针尖上充分浸润镓液。钨针的电镜照片如图2所示。由图2可以估算针尖的曲率半径在2—3µm左右。针尖的清洗用电解清洗较为简便，效果也很好。挂镓时，针尖的加热可用电子轰击的方法，镓液的温度控制在700℃左右。温度过高，镓的蒸发明显增加；温度过低，对钨的浸润不好。各电极与电源连接的极性如图1所示。源的初聚采用不对称单透镜。荧光屏中间有φ5mm的小孔，它除可看束斑外还兼有抑止来自法拉第筒上打出的二次电子的作用。各电源输出的最大电压是：UG=10kV; UG=3kV; Uf=10kV; US=300V; UH=0—10V（4A）。  
        关键词：栅极控制特性;能散度;束流噪声   
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        发布时间：2022-08-16
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