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P-阱、沟道区离子注入分布特性的测试分析与计算机模拟

更新时间：2022-08-16

- P-阱、沟道区离子注入分布特性的测试分析与计算机模拟
- The measurements and computer simulation of ion-implantation distribution in p^- well and channel region
- 核技术 1987年10卷第1期
- 作者机构：
  
  西北电讯工程学院
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1987-01
- 稿件说明：
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张廷庆, 任建民, 刘家璐, 等. P-阱、沟道区离子注入分布特性的测试分析与计算机模拟[J]. 核技术, 1987,10(1):21-25,61.

Tingqing Zhang, Jianmin Ren, Jialu Liu, et al. The measurements and computer simulation of ion-implantation distribution in p^- well and channel region[J]. Nuclear techniques, 1987, 10(1): 21-25,61.
张廷庆, 任建民, 刘家璐, 等. P-阱、沟道区离子注入分布特性的测试分析与计算机模拟[J]. 核技术, 1987,10(1):21-25,61. DOI：

Tingqing Zhang, Jianmin Ren, Jialu Liu, et al. The measurements and computer simulation of ion-implantation distribution in p^- well and channel region[J]. Nuclear techniques, 1987, 10(1): 21-25,61. DOI：

CMOS集成电路在LSI、VLSI中占有显著地位，它是当今乃至今后一段时期集成电路发展的主流。研究CMOSIC沟道、

－阱注入杂质的分布和再分布规律，对于指导工艺实践和提高电路性能具有现实意义。

CMOS IC plays a very important role in LSI and VLSI. The understanding of ion-implantation impurity distribution and redistribution in channel and p

well will be meaningful for guiding IC technology and improving circuit functions.

This paper discusses models of ion-implantation

diffusion

oxidation and segregation which are used in computer simulation for low-dose implantation process

and gives some simulation results and measurements for comparison as well.

J. F. Gibbons and S. MyLroie , Appl. Phys. Lett. , 22 , 568 ( 1973 ).

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