最新刊期

    2020 年 第 0 卷 0 期
    • 王祝文,程业勋,章晔
      1995(10)
      摘要:提出了影响系数法强度校正模型,较好地克服了不同岩性基质成分的基体效应的影响,达到了一次测量确定多种元素含量值的目的.  
      关键词:XRF分析;影响系数法强度校正模型;基体效应   
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      发布时间:2021-04-09
    • 赵新,付日强,杜有如,叶朝辉
      1995(10)
      摘要:用13CCPMAS方法监测了丙烯酰胺的辐射聚合过程,确定了丙烯酰胺固态临界辐射聚合剂量在1.1—5.5kGy。研究了辐射聚合产物结构及其大分子链运动的有关信息。  
      关键词:丙烯酰胺;固态聚合;NMR   
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      发布时间:2021-04-09
    • 徐步进,张永熙
      1995(10)
      摘要:用14C-标记的化合物研究了p,p'-DDE在我国亚热带地区杭州黄松土旱地和淹水的土壤中的行为。P,P'-DDE在旱地土壤中的消失速度要比淹水土壤中快。在淹水土壤中,它的总残留半减期为43天,而在旱地土壤中仅为25天.在两种条件下P,P'-DDE在分布模式上无明显差异.14C-p,p'-DDE残留的大部分集中在土壤剖面的2cm以内。无论在旱地中还是在水田中,14C-p,p'-DDE都是很稳定的,它的残留提取物中大部分(90%以上)仍然是p,p'-DDE。  
      关键词:P;P′-DDE;土壤;残留   
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    • 王培禄,刘仲阳,姜景云,杨兴富
      1995(10)
      摘要:从轰击离子种类、辅助沉积方式、不同衬底材料以及存放环境湿度等因素对离子束辅助沉积的MoSx膜特性的影响作了研究,发现这些因素在膜的沉积或使用过程中对其品质和特性都产生不能忽视的影响  
      关键词:二硫化钼;离子束辅助沉积;润滑;摩擦;磨损   
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      发布时间:2021-04-09
    • 马忠权
      1995(10)
      摘要:用能损的二分量理论详细讨论了快速荷电粒子(H+)在同素异形态Si薄膜中的能量沉积过程.在Bethe-Bloch公式中引入了一个能损修正因子η(E,p)<1.由入射粒子在固体中产生传导电子的集体激发(等离子体)和附有修正因子η(E,P)的内壳层电子单体电离-激发之和解释能损的同素异形态效应的实验结果,通过对实验数据的拟合,求得η(E,P).  
      关键词:快离子束;体密度效应;二分量理论   
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      发布时间:2021-04-09
    • 赵秉熙,陈道勇,阎立峰,朱清仁
      1995(10)
      摘要:给出了甲基丙烯酸三丁基锡酯(TBTM)辐射聚合反应的动力学方程,阐述了辐照引发的大致过程。动力学研究表明,该体系辐照聚合仍属于自由基聚合机制,其引发过程则为TBTM的双分子反应。  
      关键词:辐射聚合;甲基丙烯酸三丁基锡酯;聚合动力学   
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      发布时间:2021-04-09
    • 张通和,吴瑜光
      1995(10)
      摘要:Y离子注入硅得到特性优良的硅化钇薄层。采用高深度分辨率的掠角背散射和掠角沟道技术分析了注入层结构.结果发现注入层是具有不同晶格畸变密度的三层结构:表面层为100-120nm厚的连续多晶硅化钇,对于注入束流密度为25、50μA/cm2的晶格畸变密度分别为25%和52%;中间层是高密度的缺陷区;底层是120nm厚的低密度晶格畸变区,其晶格畸变率从18%下降至5%。用掠角沟道和掠角背散射都能得到Y与硅原子比深度分布,这对于Y离子注入硅合成钇的硅化物种类提供了重要信息.  
      关键词:掠角沟道分析;掠角背散射;Y离子注入硅;多层结构   
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      发布时间:2021-04-09
    • 郭子丽,朱京荣,魏紫萍,周瑞菊,张雨龙
      1995(10)
      摘要:报道了N-甲基-14C苄基胺和N-甲基-14C苄基亚硝胺的合成,比活度约为9.2×1011Bq/mol。由高压液相色谱仪测得的化学纯度和放化纯度均大于95%。  
      关键词:14C-甲基苄基胺;14C-甲基苄基亚硝胺;14C标记化合物   
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      发布时间:2021-04-09
    • 韩光武,卫增泉,马受武,崔明启
      1995(10)
      摘要:用Si(Li)探测器实测了Na、Mg、S、Cl的特征X射线在有机膜中的相对衰减以及与O、K元素的特征X射线能量相当的X射线或轫致辐射在有机膜中的相对衰减,分别得出了它们衰减的数学描述,并把实验得到的不同能量的X射线在有机膜中的质量吸收系数与Berkeley的OCG软件计算出的结果相比,相差都小于30%.外延实验数据曲线得到这些特征X射线在有机膜中衰减到原来的千分之一时的作用范围,并讨论了低能重离了产生生物效应的可能机理。  
      关键词:低能重离子;特征X射线;质量吸收系数;等效生物材料   
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      发布时间:2021-04-09
    • 孙友梅,李长林,马峰,刘刚,徐荣辉,权晶明,侯明东,刘杰,金运范
      1995(10)
      摘要:用22.5MeV/u的高能氩离子辐照叠层聚酰亚胺(Kapton/PI)薄膜,对辐照样品的导电性测量及紫外可见光吸收分析表明,随单位体积中能量沉积的增加,薄膜的导电性增强,光吸收度增大,且光吸收边缘由近UV区向可见区移动.结果显示,单位体积中的电子能损效应在聚合物膜的体改性中起关键作用。  
      关键词:体效应;能量沉积;电性能;光学吸收谱   
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      发布时间:2021-04-09
    • 赵镪,赵小风
      1995(10)
      摘要:上海宽波段自由电子激光用户装置(SFEL)正在中国科学院上海原子核研究所FEL实验室设计建造。这里介绍了两个典型偏转系统的设计考虑,并讨论了设计结果  
      关键词:自由电子激光器;束流传输系统;消色散;等时性   
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      发布时间:2021-04-09
    • 金勇为,张耀,王文君
      1995(10)
      摘要:介绍了地那米加速器的一种自动控制系统。可编程序控制器采用OMRON-C200H,其软件用OMRON-LSS2000。微机采用PARAGON500软件,该系统简单可靠,特别适用于工厂环境运行  
      关键词:地那米加速器;自动控制;PARAGON监控软件;可编程序控制器;回路控制调节器   
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      发布时间:2021-04-09
    • 严荣良,张国强,余学峰,任迪远
      1995(10)
      摘要:对干O2和H2+O2栅氧化注F的Si栅P沟和N沟MOSFET进行了8MeV和12MeV质子辐照试验,通过分析阈电压和Ids-Vgs亚阈特性的辐射响应,发现MOS结构栅介质中F的引入能明显抑制辐射感生氧化物电荷的积累和Si/SiO2界面态的产生,导致PMOSFET较小的阈电压负向漂移和NMOSFET阈电压正向回漂,且不受质子辐照能量的影响.栅介质中F释放Si/SiO2界面应力,替换部分在辐照场中易成为电荷陷阱的Si-H、Si-OH弱键和Si-O应力键与Si结键的正效应是导致实验结果的主要原因.  
      关键词:质子辐照;界面态;氧化物电荷;MOSFET;阈电压   
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