质子在硅中能量损失的体密度效应的研究

马忠权

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质子在硅中能量损失的体密度效应的研究

更新时间：2021-04-09

- 质子在硅中能量损失的体密度效应的研究
- A study of mass density effect on specific energy loss for H￣+ ions in silicon
- 核技术 1995年第10期
- 作者机构：
  
  中国科学院新疆物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O572.341
- 纸质出版日期：1995-10-01
- 稿件说明：
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[1]马忠权.质子在硅中能量损失的体密度效应的研究[J].核技术,1995(10):587-592.

Ma Zhongquan. A study of mass density effect on specific energy loss for H￣+ ions in silicon[J]. Nuclear techniques, 1995, (10).
[1]马忠权.质子在硅中能量损失的体密度效应的研究[J].核技术,1995(10):587-592. DOI：

Ma Zhongquan. A study of mass density effect on specific energy loss for H￣+ ions in silicon[J]. Nuclear techniques, 1995, (10). DOI：

摘要

用能损的二分量理论详细讨论了快速荷电粒子（Ｈ＋）在同素异形态Ｓｉ薄膜中的能量沉积过程．在Ｂｅｔｈｅ－Ｂｌｏｃｈ公式中引入了一个能损修正因子η（Ｅ，ｐ）＜１．由入射粒子在固体中产生传导电子的集体激发（等离子体）和附有修正因子η（Ｅ，Ｐ）的内壳层电子单体电离－激发之和解释能损的同素异形态效应的实验结果，通过对实验数据的拟合，求得η（Ｅ，Ｐ）．

Abstract

The energy deposition process for swift charged psrticles （H+） in allotropic silicon film is discussed in detail with the two component assumption of energy loss.An energy-loss correction factor η（E

p）< 1 has been introduced into the Bethe-Bloch formula and by fitting the experimental data and the η（E

p） value is obtained. As a result

all of the experimental phenomena on the allotropic effect of energy loss can be explained.

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