最新刊期
      2020 年 第 0 卷 0 期
      • 张中太,石新兰,张水合,王天民,王宝义
        1994(10)
        摘要：采用正电子湮没寿命谱学的方法研究了ＢＳＴｉＯ３系ＰＴＣ材料中掺Ｎｂ５＋、Ｙ３＋及不同掺杂量所引起的缺陷变化，并讨论了不同掺杂对ＰＴＣ效应的影响。  
        关键词：陶瓷;掺杂;缺陷;正电子寿命;PTC效应   
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        发布时间：2021-04-09
      • 曹惠民,王蕴玉
        1994(10)
        摘要：介绍了一种奇特原子－正电子素的基本性质及作为探针研究化学反应历程、探测中间产物的实用性。为了检验这种应用的可能性，选用Ｒｈ（Ⅲ）与乙烯作用制备Ｒｈ（Ｉ）催化剂的合成反应．根据观测到的正电子素湮没寿命及强度随反应时间的异常变化讨论了中间态的Ｒｈ（Ⅱ）的形成及反应机理。  
        关键词：正电子素化学;正电子湮没;中间态;中间过程   
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        发布时间：2021-04-09
      • 1994(10)
        摘要：第五届全国正电子湮没谱学会议论文选编根据１９９０年召开的第四届全国正电子湮没谱学会议的决定，受中国核学会、中国物理学会、中国核物理学会的委托，由兰州大学材料科学系筹办的＂＂第五届全国正电子湮没谱学会议＂于１９９３年１０月１０日－１５日在甘肃省酒泉市举...  
          
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        发布时间：2021-04-09
      • 邓文,熊良钺,郭建亭,王淑荷,龙期威
        1994(10)
        摘要：测量了二元多晶Ｎｉ３Ａｌ．含Ｂ．含Ｚｒ、Ｆｅ和含Ｈｆ、Ｆｅ的Ｎｉ３Ａｌ合金的ｅ＋寿命谱。在Ｎｉ３Ａｌ合金中加入Ｂ，Ｂ原子强烈地偏聚到Ｎｉ３Ａｌ合金的晶界上．使该处的价电子浓度与基体中的相近。含Ｚｒ、Ｆｅ和含Ｈｆ、Ｆｅ的Ｎｉ３Ａｌ合金的τ２都比二元Ｎｉ３Ａｌ的小．且以含Ｚｒ、Ｆｅ的τ２最小．表明在Ｎｉ３Ａｌ合金中加入Ｚｒ、Ｆｅ（或Ｈｆ，Ｆｅ）可增加合金中的金属键成分．使晶界处参与形成金属键的自由电子浓度增加，改善了晶界结构。  
        关键词：晶界结构;宏合金化;微合金化   
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        发布时间：2021-04-09
      • 邱万川,汪的华,甘复兴,郭海,邹津耘
        1994(10)
        摘要：分别测量了含０．００、０．０１、０．０３、０．０５、００７、０．１０ｗｔ％Ａｓ的６８ｗｔ％Ｃｕ－Ｚｎ合金在１％ＣｕＣｌ２水溶液中脱锌后的正电子寿命谱。讨论了黄铜脱锌及砷抑制脱锌的空位体扩散机制。  
        关键词：正电子寿命;α黄铜;脱锌;砷;双空位   
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        发布时间：2021-04-09
      • 邓文,熊良钺,王淑荷,郭建亭,龙期威
        1994(10)
        摘要：测量了铸态、热轧和定向结晶三种不同工艺的Ｎｉ－２０Ａｌ－３０Ｆｅ的ｅ＋寿命谱：ｅ＋这三种试样的缺陷中的寿命十分相近．说明ｅ＋在该合金的空位、应错和晶界中的寿命相近．合金晶界缺陷处的自由电子密度和空位处的相当。在ＮｉＡｌ合金中加入Ｆｅ元素后．改善了合金的晶界结构．  
        关键词：正电子湮没;缺陷;电子密度   
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        发布时间：2021-04-09
      • 王天民,赖文生
        1994(10)
        摘要：用正电子湮没技术研究了金属间化合物ＮｉＡｌ的淬火缺陷和电子辐照缺陷的回复行为。发现高温淬火试样在２８０℃左右和５００℃左右有两个明显的回复阶段。进一步采用嵌入原子法类型的势函数．角分子动力学方法对ＮｉＡｌ中的单、双空位进行了计算机模拟研究．计算了空位三种迁移机制的激活能。结果表明，空位六步跳跃循环运动是能量上有利的迁移机制。实验和计算结果的对照表明：低温回复是由于Ａｌ空位的退火，而高温回复对应于Ｎｉ空位的退火．并且ＮｉＡｌ有序合金中的扩散主要是由于空位的运动而引起的。  
        关键词：NiAl;空位;回复行为;迁移机制   
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        发布时间：2021-04-09
      • 吴奕初,滕敏康,夏元复,常香荣,田中卓,肖纪美
        1994(10)
        摘要：采用慢拉伸与多普勒展宽相结合．研究了单一试样以５×１０－５／ｓ的应变速率拉伸时，高纯铁形变作品５００Ｋ回复前后Ｓ参数随形变量的变化［Ｓ（ε）曲线］。实验结果表明．回复前的Ｓ（ε）曲线包含位错和空位的贡献．回复后仅食位错的贡献。对于同一形变量的样品．５００Ｋ回复后Ｓ参数下降．形变量越大下降量越大．对应空位贡献也越大：根据两态捕获模型计算可得：高纯铁拉伸变形产生空位和位错．空位浓度和位错密度均随形变量的增加而增加．空位浓度ＣＶ的数量级为１０１７－１０１９ｃｍ－３．位错密度ρｄ的数量级为１０９－１０１１ｃｍ－２．  
        关键词：高纯铁;位错密度;空位浓度;S参数   
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        发布时间：2021-04-09
      • 王小刚
        1994(10)
        摘要：从第一性原理和二分量密度泛函理论出发．应用离散变办法和嵌入集团模型完全自洽地计算了不同相状态的铁单空位的正电子湮没特性．同时讨论了晶格膨胀和晶格弛豫对正电子湮没特性的影响。  
        关键词：正电子湮没;二分量密度泛函理论;铁;空位   
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      • 曹必松,高乃飞,王德保,张乐
        1994(10)
        摘要：用正电子湮没技术和透射电镜研究了退火和变形纯铝中的氢致缺陷。光学显微镜和透射电镜观察结果表明充氢可以在退火铝中引入气泡、位错等．纯度较低的样品比较容易形成氢致缺陷．说明铝中杂质是氢致缺陷的成核中心。正电子湮没结果表明．随着充氮量的增加．退火铝的平均正电子寿命无显著变化．变形铝的平均正电子湮没寿命有所缩短：这一结果从实验上证实了充入铝中的氢以质子形式填充于缺陷中。屏蔽了缺陷对正电子的吸引或使缺陷内的正电子寿命下降．从而降低了正电子寿命方法对缺陷的敏感性．  
        关键词：氢脆;铝;正电子湮没;电子显微术   
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        发布时间：2021-04-09
      • 陈志权,王少阶
        1994(10)
        摘要：测量了３Ａ型及１３Ｘ型沸石分子筛在不同压强空气中的正电子寿命谱，并测量了１０Ｘ型分子筛在不同温度下焙烧后的寿命谱。测量表明：分子筛所吸附的气体对在其体内湮没的正电子有显著的影响．同时，沸石笼内水的存在也对其湮没参数有影响。研究表明，随着水的逐步脱除；笼内自由体积逐步增大；当脱水至一定程度后．笼内开始出现活性中心－质子酸。  
        关键词：正电子湮没;沸石分子筛;自旋交换;质子酸   
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        发布时间：2021-04-09
      • 徐宗亮,刘尚进
        1994(10)
        摘要：对快速激冷（冷速＞１８０Ｋ·ｓ－１）９９Ｎ８２Ｏ－Ｂ２Ｏ３熔盐、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｖ２Ｏ５和Ｎａ２Ｏ－ＴｉＯ２熔盐的正电子湮没寿命谱作了测定。结果表明：非过渡金同氧化物的光学碱度Ａ与相应的正电子寿命谱第一组分τ１有很好的线性关系Ａ＝０．１７３τ－１＋０．０６０．据此求得过渡金属氧化物ＺｎＯ、ＴｉＯ２和Ｖ２Ｏ５的Ａ实验值分别为１．００、０．６３和０７５。  
        关键词：正电子寿命;光学碱度;过渡金属氧化物   
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        发布时间：2021-04-09
      • 郁伟中,富大芊,徐文耀,宠福常
        1994(10)
        摘要：用正电子湮没寿命谱研究中子辐照前后半绝缘ＧａＡｓ在等时退火过程中的缺陷行为．发现辐照后的样品大约从７０℃起空位－填隙子对和空位－反格点缺陷开始复合．５００℃前空位和空位团可消除．７４０℃后可能会重新产生缺陷。ＶＡｓ是一种浅势阱，对正电子的束缚能大约为０．０３１－０．０３２ｅＶ。  
        关键词：GaAs;正电子湮没   
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      • 汪的华,邱万川,邹津耘,张明友
        1994(10)
        摘要：测量了α、β、γ、ε四种单相Ｃｕ－Ｚｎ合金脱锌腐蚀前后的正电子寿命谱．发现脱锌腐蚀速率与材料腐蚀过程中产生的非平衡空位的体积百分比有正变关系．进而时Ｃｕ－Ｚｎ合金脱锌腐蚀的微观机理进行了讨论。  
        关键词：黄铜脱锌;正电子寿命;空位   
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        发布时间：2021-04-09
      • 朱升云,李安利,黄汉臣,李东宏,郑胜男,勾振辉
        1994(10)
        摘要：采用正电子湮没和扰动角关联方法研究了１．４５×１０２０、３．１０×１０１７ｎ／ｃｍ２中子辐照和５×１０１１／ｃｍ２１７８Ｗ重离子辐照单晶硅引起的辐射损伤及其退火效应。实验测量的正电子湮没寿命和四极相互作用频率表明在Ｓｉ中存在氧一单空位对．高中子剂量和重离子辐照Ｓｉ后，用两种方法都观察到了双空位复合成四空位。  
        关键词：Si单晶;晶格缺陷;中子和重离子辐照;氧－空位对;正电子湮没;扰动角关联   
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        发布时间：2021-04-09
      • 朱警生,麻茂生,刘先明,吴建新,周先意,徐纪华,南征,翁惠民,韩荣典
        1994(10)
        摘要：利用飞行时间谱直接测量了低能正电子与表面相互作用时的真空Ｐｓ产额．该方法比通常的峰法和峰－谷法准确、简单：利用该方法研究了Ａｒ＋溅射在Ｓｉ（１００）面上诱导的缺陷损伤及退火行为。  
        关键词：低能正电子束;电子偶素产额;飞行时间谱;Ar＋溅射   
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        发布时间：2021-04-09
      • 史志强,钞曦旭,吴令芸
        1994(10)
        摘要：室温下测量了Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｙ－ｘＦｘ超导体的正电子寿命和掺Ｆ量的关系．结合临界温度Ｔｃ的测量．研究了Ｆ在样品中替换Ｏ的位置．以及由此引起的样品电子结构的变化．研究表明．当ｘ＝０．４时．Ｆ主要替换Ｓｒ－Ｏ面的Ｏ．并使Ｓｒ－Ｏ面的电子向Ｃｕ－Ｏ面和Ｂｉ－Ｏ层迁移。  
        关键词：正电子寿命;Bi系超导体   
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        发布时间：2021-04-09
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