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碰撞能量对荷能团簇碰撞沉积TiN薄膜的结构、形貌及摩擦学特性的影响
陈景升,俞国庆,潘浩昌,朱德彰,徐洪杰,郑志豪,阎逢元
2000(9)
摘要:在室温下,以硅(100)为衬底,在不同的衬底偏压(即团簇不同碰撞能量)的条件下,用荷能团簇碰撞沉积方法制备了TiN薄膜。用原子力显微镜和X射线衍射等技术对TiN薄膜的表面形貌和结构进行了研究,并且在维式硬度计和SRV微动摩擦磨损试验机上对其摩擦学性能进行了考察。结果表明,在低的偏压情况下,团簇比较松散地堆积在衬底上;而在高偏压时团簇和衬底碰撞破碎,形成附着力强、致密性好及表面非常光滑的薄膜;在一定的偏压范围内,TiN薄膜是(220)择优取向,TiN薄膜具有较高的硬度、较低的摩擦系数和较好的耐磨损性能。
关键词:荷能团簇;结构;形貌;摩擦学性能
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发布时间:2021-03-12
钼离子注入硅薄层硅化钼的合成
张通和,吴瑜光
2000(9)
摘要:用大束流密度的钼金属离子注入硅,能够直接合成性能良好的薄层硅化物。随着束流密度的增加,硅化钼生长,薄层硅化物的方块电阻Rs明显下降,当束流密度为0.5A/m2时,Rs达到最小值90 Ω,说明连续的硅化物已经形成。X衍射分析结果表明,注入层中形成了3种硅化铝Mo3Si、 Mo5Si3和MoSi2经过900℃退火后, Rs下降至4Ω,电阻率可小到0.16μΩ·m,说明硅化钼薄层质量得到了进一步的改善。大束流密度注入和退火后,硅化钼优先生长有所不同。透射电子显微镜的观察表明,连续硅化钼薄层厚度为80nm。
关键词:钼离子注入;注入硅;硅化物合成;快速退火;大束流密度
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发布时间:2021-03-12
冷轧低碳钢表面乳化斑迹的穆斯堡尔研究
施英,金慧娟
2000(9)
摘要:测定了有乳化斑迹的冷轧低碳钢表面的内转换电子穆斯堡尔谱,分析了乳化斑的成分、相对含量及其形成的影响因素。
关键词:穆斯堡尔效应;低碳钢;乳化斑迹
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发布时间:2021-03-12
多种矿石多元素X荧光分析技术
童运福,庹先国,周建斌,刘磊,成毅,邵书钧,孙连有,姜宝禄,张庆丰,张爱民
2000(9)
摘要:介绍了在CIT-2000M管、源激发X荧光仪上采用双激发、高精度测量、神经网络解谱、自动分类和多种矿石分析几种关键分析技术后,使多种矿石多元素X荧光分析取得了良好的效果,分析结果达到验收标准。
关键词:多种矿石;多元素分析;X荧光;管-源激发
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发布时间:2021-03-12
低能氘离子束轰击固体靶产生的远程D-D核聚变现象研究
王铁山,落合谦太郎,丸田胜彦,饭田敏行,高桥亮人
2000(9)
摘要:利用强流低能氘离子束轰击由吸氢金属形成的氘自吸收靶,研究固体内D-D聚变反应规律。并通过对实验测得的D-D聚变伴随粒子能谱,探索D-D聚变反应与靶材料结构的相关性。同时,利用氘团族离子(d3+)和氘核(d+)来轰击吸氘固体,研究固体内D-D聚变反应的特性。实验中观测到了伴随离子能谱中介于质子峰(3MeV)和氚峰(1MeV)之间的一个宽峰。结果分析表明。该峰是由固体靶内超出离子射程几倍至十几倍处发生的D-D聚变反应出射的质子所形成。同时还发现独立氘核产生的这种深部D-D核聚变的反应率高于速度相同的氘团簇离子中的氘核的反应率。
关键词:低能氘离子束;固体氘自吸收靶;远程D-D核聚变
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发布时间:2021-03-12
EACVD沉积金刚石过程中气相化学研究
朱晓东,温晓辉,詹如娟,周海洋
2000(9)
摘要:利用热阴极直流等离子体化学气相沉积技术分别在CH4-H2和C2H5OH-H2两种不同的工作环境中沉积金刚石膜,同时利用发射光谱对等离子体气相环境进行了原位诊断。在CH4-H2和C2H5OH-H2两种体系中,探测到H原子和CH、CH+、C2等多种碳氢粒子,发现CH和CH+有益于金刚石生长,而C2是非金刚石相的生长基因.与CH4-H2体系所不同的是,在C2H5OH-H2体系中,还产生了CHO、CH2O、O2基因,故可增加碳源浓度,提高金刚石膜的生长速率,同时保证金刚石膜的晶体质量。含氧碳源的使用对金刚石膜合成的影响主要是因为沉积过程中气相环境变化所致。
关键词:金刚石膜;生长基团;光发射谱
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发布时间:2021-03-12
氦屏蔽效应的实验与分析
张强基,张海涛,陆明,周德惠,杨勋,廖彬,周燕良
2000(9)
摘要:为了解氢屏蔽效应的机理,进行了储氢材料的表面分析工作.结果表明,Ar-与储氢材料间没有可察觉的电相互作用。提出了一个将吸氢过程分为整体流和扩散流两阶段的模型。用以描述整个吸氢过程.该模型能够解释吸氢全过程。
关键词:储氢材料;氦屏蔽效应;整体流;扩散流
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发布时间:2021-03-12
克服矿化不均匀效应的X荧光取样最佳测网
周四春,赵友清,张玉环
2000(9)
摘要:以“随机抽样”的数学模型为基础,探讨了X荧光取样中矿化不均匀效应产生的原因,提 出了采用最佳测网以最大限度减少矿化不均匀效应的方法.理论估算与实验检验均表明,采用 最佳测网后,矿化不均匀效应影响可以控制在可能的最小范围。
关键词:X荧光取样;矿化不均匀效应;随机抽样;最佳测网
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发布时间:2021-03-12
CMOS运算放大器内部电路电离辐射损伤研究测试系统
郭旗,陆妩,任迪远,余学锋,张国强,范隆,严荣良
2000(9)
摘要:为了从内部研究CMOS运算放大器的电离辐射损伤机理,用由计算机控制的运算放大器内部单元电路损伤试验测试系统测量运放电路整体性能参数在电离辐射环境中的变化,观察电路内部各功能单元电路和MOSFET的辐照损伤特性;该系统能将不同功能单元电路的损伤对电路整体性能的影响进行测试。
关键词:运算放大器;电离辐射;辐射损伤;测试
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发布时间:2021-03-12
PMOS剂量计的长期室温退火
范隆,严荣良,张国强,余学锋,陆妩,郭旗,赵元富
2000(9)
摘要:为掌握PMOS剂量计的应用方式并提高其应用精度,研究了PMOS剂量计的辐照剂量记录-阈电压在室温下的长期退火表现。结果表明:氧化物电荷的隧道退火与界面态的后生长效应是造成退火的原因,PMOS剂量计辐照及贮藏偏置是决定其退火方向和程度大小的重要因素。负偏置条件能较好地保持其辐照记录,在正偏置贮存下的退火较大。
关键词:MOS剂量计;阈电压;退火
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发布时间:2021-03-12
一种测量辐射加工用加速器电子束能量的方法
张达明
2000(9)
摘要:根据射程法原理,在上海二级标准剂量学实验室对辐射加工用加速器电子束能量的测量 方法进行了实验研究,并在3个辐射工厂对3台3MeV、20mA高频高压型加速器的电子束进行 了能量测定。结果表明,在1-3MeV能量范围内,能量测定准确度优于± 10%。
关键词:电子束能量测定;射程法;辐射加工
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发布时间:2021-03-12
具有Pb衬的Tb薄靶的制备
王秀英
2000(9)
摘要:采用滚压法制备Tb靶,采用滚压法或真空蒸发法制得Pb膜,两者通过滚压或真空蒸发法结合制得了带Pb村的Tb薄靶。
关键词:Tb用Pb覆盖;滚压;真空蒸发
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发布时间:2021-03-12
同位素
106
Cd金属自支撑靶的制备及废靶的再生利用
尹建华
2000(9)
摘要:用滚压技术制备出同位素106Cd自支撑靶,并成功地利用破靶膜的再生方法。制备出可供使用的靶膜。
关键词:液压技术;自支撑;再生利用
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发布时间:2021-03-12
HLS单束团时序系统的参数测试及在线实验
王贵诚,裴元吉,冷用斌,赵枫,周跃华,高云峰,张鹏杰,刘树彬
2000(9)
摘要:为实现合肥同步辐射光源(HLS)单束团注入,研制出一套单束团时序系统[1,2]。其主要特 点是系统输出各时序信号与贮存环高频信号保持同步以及各时序信号时间抖动小。实验结果显 示,快速通道时序信号的时间抖动小于200ps.该系统在线实验获得成功。
关键词:单束团注入;时序系统;时间抖动
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发布时间:2021-03-12
NFZ-10工业辐照电子直线加速器束流控制方法
赵明华
2000(9)
摘要:在NFZ-10工业辐照电子直线加速器上,分析了以输出束流来负反馈控制轰击型二极电子枪灯丝电压进而稳定输出束流的方法及存在的缺点。提出了新的控制轰击高压的方法,在此加速器上得到了高稳定性和高精度的输出束流。
关键词:工业辐照电子直线加速器;轰击型二极电子枪;高稳定束流
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发布时间:2021-03-12
扫描磁铁的研制
苏以蕴
2000(9)
摘要:根据3MeV/40mA高频高压加速器总体设计要求,对扫描磁铁的结构进行了改进,在芯管壁上安置了热敏电阻,增加了风冷装置。由钛窗挡板的束流性能测定结果表明,扫描磁铁的性能已达到设计指标,扫描频率为50-200周,扫描均匀度好于±7%。
关键词:扫描磁铁;叠装系数;涡流损耗;蠕变效应;热强性;热疲劳组织稳定性
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发布时间:2021-03-12
包含酰胺类萃取剂的微胶囊萃取铀酰离子
张明祖,倪沛红,曹正白,沈耐勤,包伯荣,王高栋
2000(9)
摘要:用制备的包覆酰胺类萃取剂的微胶囊研究了其在水溶液中对UO22+的萃取条件。并对反萃取及微胶囊的重复使用作了初步探讨.结果表明,微胶囊包覆萃取剂后,隔开了有机相和水相,可避免乳化及三相的产生。
关键词:微胶囊;酰胺;萃取铀;反萃取
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发布时间:2021-03-12
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