最新刊期
      2020 年 第 0 卷 0 期
      • 1998(2)
        摘要：第三届“王淦昌优秀核科学和核技术论文奖”评定揭晓第三届“王淦昌优秀核科学和核技术论文奖”是评选１９９４－１９９５年两年内发表在《核技术》和《ＮｕｃｌｅａｒＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｉｑｕｅｓ》上的优秀论文。经全体评委初评及评委常委复评。再经评委主...  
          
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        发布时间：2021-04-09
      • 王淑荷,熊良钺,李辉,邓文,郭建亭
        1998(2)
        摘要：用正电子湮没技术研究了不同Ｐ含量的ＤＺ１７Ｇ合金的正电子寿命谱。结果表明，当合金中Ｐ含量≥０．０３ｗｔ％时，形成金属键的自由电子密度明显下降，其缺陷浓度明显增加，从而使合金力学性能下降，当Ｐ含量≤０．０１５ｗｔ％时，合金的体电子浓度变化不大，对合金性能影响较小。认为从不同Ｐ含量对合金缺陷组态和电子结构的影响出发，控制ＤＺ１７Ｇ合金的Ｐ含量≤０．０１５ｗｔ％是必要的  
        关键词：正电子寿命谱;高温合金;磷   
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        发布时间：2021-04-09
      • 郁伟中,杨鹏远,杨劲辉,李兴中
        1998(2)
        摘要：用计算机模拟的方法获得正电子在半导体材料中的迁移率。讨论了正电子有效质量、杂质浓度和温度对正电子迁移率的影响  
        关键词：正电子迁移率;蒙特卡洛方法;砷化镓   
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        发布时间：2021-04-09
      • 李桂芝,叶美玲,施良和,郁伟中
        1998(2)
        摘要：用正电子湮没技术研究了甲基丙烯酸甲酯－甲基丙烯酸共聚物（Ｐ（ＭＭＡ－ＭＡＡ））／梯形聚苯基硅倍半氧烷（ＰＰＳＱ）原位共混体系的自由体积孔穴尺寸及浓度与其组成的关系。具有两种不同配比的该共混物的正电子寿命温度谱表明：该共混物有两种结构转变，即：Ｔｂ、Ｔｇ，因含５％ＰＰＳＱ的共混试样Ｃ５中的自由体积分数较大，其Ｔｐ、Ｔ均小于含１％ＰＰＳＱ的共混试样．Ｃ１。研究了热历史对Ｐ（ＭＭＡ－ＭＡＡ）／梯形ＰＰＳＱ共混物结构的影响。还发现正电子平均寿命与自由体积分数有着类似的随温度变化的规律  
        关键词：P（MMA－MAA）／梯形PPSQ共混物;正电子寿命;自由体积   
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        发布时间：2021-04-09
      • 王蕴玉,张仁武,郭应焕,杨巨华
        1998(2)
        摘要：用正电子素ｏ－Ｐｓ研究以亚甲兰为光敏剂在甲酸和水体系中激光诱导单态氧￣１Ｏ＿２的形成。理论推导了ｏ－Ｐｓ湮没率的改变与亚甲兰浓度之间的关系。经与实验结果对照证实了单态氧的产生  
        关键词：正电子素;激光诱导;单态氧;光敏剂;亚甲兰   
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        发布时间：2021-04-09
      • 邓邹平,罗达玲,朱梓英,张纯样,李景德
        1998(2)
        摘要：测量了经６０ＣｏＹ辐照的热释光材料ＬｉＦ：Ｍｇ，Ｔｉ．ＬｉＦ：Ｍｇ，Ｃｕ，Ｐ和ＭｇＳＯ４的正电子湮没寿命谱，所有寿命谱都分解成三个成分。两种不同掺杂的ＬｉＦ样品，其成分寿命参数十分接近，表明正离子空位对寿命谱影响较小；并且观察到，在剂量范围为０．０５－１ｋＧｙ内，ｉ２成分寿命参数随剂量按相反趋势发生较小的变化。等时退火实验表明，ＭｇＳＯ４样品的ｉ２和ｉ３成分与硫酸基有关，其大小可能取决于Ｍｇ２＋空位和不同的硫酸基构成的复合体以及复合体之间形成的竞争  
        关键词：热释光;F心;准正电子素   
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        发布时间：2021-04-09
      • 邓文,钟夏平,熊良钺,刘起秀,龙期威
        1998(2)
        摘要：测量了定向石墨和纳米碳的正电子寿命谱。结果表明，热解法制备的纳米碳存在开空间小于单空位的自由体积以及开空间相当于约１０个空位聚集体的微孔洞。比较了热解法制备的纳米碳、ＵＦＰ冷压法制备的纳米Ｆｅ和纳米ＴｉＯ２以及非晶晶化法制备的纳米ＮｉＰ的缺陷结构特征，结果为纲米ＮｉＰ中缺陷的电子密度最高，纳米Ｆｅ和纳米ＴｉＯ２的次之，纳米碳的最低；纳米碳中的缺陷浓度最高，纳米Ｆｅ和纳米ＴｉＯ２的次之，纳米ＮｉＰ的最低。在纳米碳中没有观察到由多个晶粒围成的大孔洞  
        关键词：纳米碳;正电子寿命;微观缺陷   
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        发布时间：2021-04-09
      • 史志强,卢亚锋
        1998(2)
        摘要：室温下测量了铋系２２１２相超导体的正电子寿命参数随时间的变化，发现正电子寿命、平均寿命和体寿命都随着时间的延长而减小．直到１３０天以后各个正电子寿命参数才稳定。这说明氧化物超导体即使在室温下也是不稳定的。对由这种结构不稳定性引起的样品的电子结构、氧含量和空穴浓度等的变化进行了讨论  
        关键词：铋系超导体;正电子寿命;结构不稳定性   
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        发布时间：2021-04-09
      • 李安利,罗起,范志国,郑胜男,勾振辉,王春瑞,钱嘉裕,朱升云
        1998(2)
        摘要：采用正电子湮没寿命测量方法研究了注量为６５×１０１５／ｃｍ２和１．４×１０１４／ｃｍ２、Ｅｎ≥１ＭｅＶ的裂变快中子辐照在掺Ｓｉ、Ｎ型单晶ＧａＡｓ中产生的缺陷。此辐照在ＧａＡｓ中产生单空位和双空位缺陷。缺陷浓度正比于辐照注量，高温退火产生王空位缺陷及小空位团。单空位、双空位和三空位缺陷的退火温度分别为２５０．４５０．６５０℃  
        关键词：GaAs;裂变快中子辐照;缺陷;退火;正电子湮没   
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        发布时间：2021-04-09
      • 周先意
        1998(2)
        摘要：利用脉冲低能正电子束系统测量了脉冲激光沉积法、磁控溅射法和多源共蒸法制备的高温超导外延薄膜ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ的低能正电子寿命谱。结果表明。除块材中普遍存在的正电子浅捕获中心外，还大量含有块材中缺乏的正电子探捕获中心，并且其尺度随温度的降低而长大。脉冲激光沉积法制备高温超导外延薄膜ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ的正电子寿命和沉积条件（衬底温度及空气分压）的关系研究表明，这种深捕获缺陷的种类与沉积条件无关，而缺陷浓度随衬底温度的降低及空气分压增高而增加  
        关键词：高温超导外延薄膜;缺陷;低能正电子寿命谱   
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        发布时间：2021-04-09
      • 王宝义,张水合,王天民
        1998(2)
        摘要：回顾了正电子湮没热平衡测量的主要研究工作，讨论了β一Ｙ正电子寿命谱测量装置的原理和应用，并介绍了β一Ｙ寿命谱仪的发展过程及今后的发展趋势  
        关键词：热平衡测量;β一V寿命谱仪;金属;合金   
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      • 冯嘉祯,王玉芳,陈洪云,谭俊茹,陈秀增
        1998(2)
        摘要：用正电子湮没技术测量了云母钛珠光颜料的正电子寿命和强度与煅烧温度、包覆量等的关系，并与Ｘ射线衍射、透射电镜等方法进行了比较  
        关键词：正电子湮没;寿命;珠光颜料   
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        发布时间：2021-04-09
      • 王春瑞,罗起,苑志国,李安利,勾振辉,邦胜男,钱嘉裕,朱升云
        1998(2)
        摘要：采用正电子湮没寿命测量方法研究了５．０ＭｅＶ和９．５ＭｅＶ快中子辐照在ＧａＡｓ中产生的辐射损伤，实验结果表明１０１１－１０１２ｎ／ｃｍ２注量的中子辐照只产生单空位缺陷，而１０１３ｎ／ｃｍ２注量的中子辐照产生单空位和双空位缺陷；１０１８ｎ／ｃｍ２注量的９．５ＭｅＶ中子辐照的ＧａＡｓ经４５０－６２０℃退火产生三空位缺陷。产生的缺陷浓度随中子能量和注量的增大而增大，但缺陷产生率对中子注量更灵敏  
        关键词：GaAs;快中子;辐射损伤;缺陷;正电子湮没   
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        发布时间：2021-04-09
      • 黄远明,薛青,翟保改,胥爱军,刘社文,郁伟中
        1998(2)
        摘要：多孔硅经来自２３Ｎａ的正电子束辐照后，其光荧光谱出现两个新特点：一是主峰峰位显著蓝移。由辐照前的红色光谱区蓝移到辐照后的绿色光谱区；二是出现一个较高能量的附加发光峰。红外吸收谱表明，正电子辐照有助于增强多孔硅的表面氧化。对多孔硅经正电子辐照后光荧光结构改变的机理进行了讨论  
        关键词：正电子辐照;多孔硅;光荧光谱;空穴   
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        发布时间：2021-04-09
      • 朱升云,左涛,李安利,郑胜男,李东宏,黄汉臣,董明理,慎伟奇,勾振辉,陈峰,范志国,罗起
        1998(2)
        摘要：介绍了时间微分扰动角关联方法的基本原理及其在材料微观性质研究中的应用  
        关键词：时间微分扰动角关联;材料科学;应用   
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        发布时间：2021-04-09
      • 翁惠民,黄千峰,杜罡,韩荣典
        1998(2)
        摘要：介绍了用慢正电子束探针研究Ａａ＋以不同角度注入Ｓｉ（１００）产生的缺陷以及退火后缺陷清除效应的结果。用正电子的Ｄｏｐｐｌｅｒ展宽湮没技术对样品作无损检测，采用一维的扩散方程进行拟合，对缺陷分布求解，获得缺陷的各种信息。实验结果表明，１５°小角度注入产生的缺陷浓度比６０°注入的要大，而且两者的缺陷类型也不同；对于１５°注入产生的缺陷可用快速热退火很好地消除  
        关键词：慢正电子;Doppler展宽;S参数;缺陷;离子注入;退火   
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        发布时间：2021-04-09
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