您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
用蒙特卡洛方法计算砷化镓中的正电子迁移率
更新时间:2021-04-09
    • 用蒙特卡洛方法计算砷化镓中的正电子迁移率

    • A study of positron mobility in GaAs by the Monte Carlo simulation

    • 核技术   1998年第2期
    • 中图分类号: TL329.2
    • 纸质出版日期:1998-02-01

    移动端阅览

  • [1]郁伟中,杨鹏远,杨劲辉,李兴中.用蒙特卡洛方法计算砷化镓中的正电子迁移率[J].核技术,1998(02):65-67. DOI:

    YU Weizhong YANG Pengyuan YANG Jinhui LI Xingzhong. A study of positron mobility in GaAs by the Monte Carlo simulation[J]. Nuclear techniques, 1998, (2). DOI:

  •  
  •  

0

浏览量

180

下载量

1

CSCD

文章被引用时,请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

用蒙特卡洛方法研究大气簇射契仑柯夫光与初级宇宙线特性之间的关系
用单能慢正电子束测量Si中的正电子迁移率
高能(MeV级)氧离子注入本征型GaAs的电性能及注入损伤退火行为的研究

相关作者

孙洛瑞
孙韶丛
周先意
朱凯
叶邦角
张天昊
周永钊
杜江峰

相关机构

郑州大学
中国科学技术大学
中国科学院国际材料物理中心沈阳
北京大学
0