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2020
年
第
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高纯
15
N
2
气体的制备方法
李星洪,田德详,王永民
1998(1)
摘要:报道了自行研制的制备高纯同位素
15
N
2
气体的装置和方法。其特点是一次可制备0.5-10L间任何量的
15
N
2
气体。用该装置,以(15NH4)2SO4为原料,得到
15
N
2
气体的产率为96.9%-98.4%,
15
N
2
气体中15NH3和15NO的含量在1μg/L以下,其纯度能满足生物固氮研究的要求。
关键词:同位素;15N2气体;生物固氮
16
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78
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发布时间:2021-04-09
轻便型γ能谱测井仪几个关键技术问题的探讨
魏彪,贾文懿
1998(1)
摘要:为研制性能好、功能强、微机化程度高的轻便型γ能谱测井仪,针对非油气测井工作的井口径小(<60mm)、井身浅(<1000m)等特点,探讨了γ能谱测井仪的轻便化、测量精度、信号传输技术、稳谱技术及微机化等关键技术问题。
关键词:γ能谱测井仪;电流脉冲模拟传输;计算机软件稳谱;笔记本微机系统
9
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67
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2
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发布时间:2021-04-09
快淬Nd
3.8
Fe
74.8
B
21.4
合金的磁性和结构的研究
金慧娟,黄钢祥,许桂琴,夏朝珲,朱建发
1998(1)
摘要:采用X射线衍射和穆斯堡尔效应等实验方法研究了快淬Nd
3.8
Fe
74.8
B
21.4
合金的磁性和微结构。实验结果表明:经15m/s辊速快淬得到的非晶条带在650℃退火4min后获得的各向同性细晶粉末具有良好的磁性能。分析还表明此时样品主要由Fe3B和Nd2Fe14B两相组成,另可能有极少量的Fe2B相存在,其中软磁相Fe3B为主相,约占90%;而均匀分布于主相的硬磁相Nd2Fe14B仅占10%。
关键词:快淬永磁材料;磁性能;穆斯堡尔效应;微结构
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46
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发布时间:2021-04-09
岩石痕量铼的中子活化分析
汪小琳,刘亦农,傅依备,陈银亮
1998(1)
摘要:研究了岩石试样中痕量铼的分离分析方法,并比较了两种放化分离中子活化分析(RNAA)流程。研究结果表明冠醚萃取中子活化法可较好地用于岩石和复杂体系中痕量铼的分离分析。测得岩石中铼的含量为~1ng/g。
关键词:岩石;铼;中子活化分析;冠醚
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48
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发布时间:2021-04-09
电镀法制备Pa测量源
李宗伟,杨维凡,方克明,袁双贵,郭俊盛,潘强岩
1998(1)
摘要:用233Pa作示踪剂,对影响电镀Pa的主要因素(如pH值、电镀时间和电流密度等)进行了实验和讨论。用HPGe能谱仪对镀源进行测量,以确定化学效率。并在不锈钢片上获得了薄而均匀的Pa镀源,其厚度为1mg/cm2。
关键词:镤源;化学分离;电镀法;γ能谱分析法
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40
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发布时间:2021-04-09
离子束辅助沉积制备Al/Al
2
O
3
双层膜及其性质
薛建明,赵渭江,WolfGK
1998(1)
摘要:利用离子束辅助沉积的方法在CK45号钢和AlTi合金的基体上制备了具有不同厚度Al层或Al
2
O
3
层的Al/Al
2
O
3
双层膜系统。Al与Al
2
O
3
层之间是厚度为100nm的梯度界面层。利用电化学方法测量了样品在近中性水溶液中耐腐蚀性能。实验中还测量了样品的表面硬度和耐摩擦性能,研究了双层膜系统中Al或Al
2
O
3
层厚度变化对样品物理性质和化学性质的影响。
关键词:离子束辅助沉积;Al/Al2O3膜层;抗腐蚀
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90
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发布时间:2021-04-09
GH903合金的离子注入表面改性研究
彭郁卿,朱金元,翁惠民
1998(1)
摘要:用离子注入、氧化和慢正电子束分析研究了GH903合金的氧化性能的改善与微观作用机理。注入的Cr+.Y+的能量均为60keV,注入的剂量分别由1x1017.cm-2(Cr+)、1x1015Cm-2(Y+)和[1x1015.cm-2(Y+)+1x1017·cm-2(Cr+)]。结束显示,注入样品与未样品相比。氧化增重分别减少4.8%(注Cr+)、24.2%(注Y+)和32.3%(注Y++Cr+)。这表明合金氧化性能改善的作用机理主要是注入离子对样品浅表层内缺陷的填充与退火。同时,注入元素的化学性能和使样品表面更致密也起了重要作用。
关键词:GH903;离子注入;氧化;慢正电子束分析
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42
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发布时间:2021-04-09
30MeV/u
40
Ar+
159
Tb反应中用于中等质量碎片测量的BGO阵列探测器
李祖玉,贺智勇,靳根明,段利敏,王宏伟,张保国,符彦飚,戴光曦
1998(1)
摘要:报道30MeV小40Ar+159Tb反应中用于中等质量碎片(Z≥3)测量的△E(Si)+E(BGO)望远镜阵列的测试结果,实验表明该探测器阵列对中等质量碎片有较好的粒子鉴别能力。
关键词:△E(Si)-E(BGO)望远镜阵列;中能重离子反应;中等质量碎片
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34
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1
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发布时间:2021-04-09
硅光电器件两种辐照效应的比较
陈炳若,李世清,鄢和平,高繁荣
1998(1)
摘要:比较了硅光电器件和MOS电容经300keV质子和1.25MeV射线辐照后光电参数的变化,讨论了Υ射线辐照的样管在150℃和200℃的退火效应。在硅器件的光谱响应范围内。将分光光度法得到的光电流谱用于上述实验,有助于了解不同辐照引起的损伤在器件中的空间分布。
关键词:光电器件;光电流谱;辐照效应;空间分布
15
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发布时间:2021-04-09
188
W-
188
Re发生器的研制
胡伟青,蔡锡明,刘静怡,何蔚瑜,李文新,盛荣,于俊峰,马隽,顾嘉辉,曹玉祥,汪勇先,JrKnappFF
1998(1)
摘要:采用国产层析用氧化铝为吸附剂研制了
188
W-
188
Re发生器。以生理盐水为淋洗剂,在10mL的收集体积内,188Re的收率至少在三个月内可稳定在70%-80%(在衰变校正后)。淋洗曲线的重现性很好,峰位置基本不变。得到的188Re组分有极高的核纯度和放化纯度(>95%),且其中铝的含量、钨的漏穿都很低。
关键词:188W;188Re;氧化铝;发生器
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发布时间:2021-04-09
沉积有机质痕量元素的中子活化分析及其在有机质类型研究中的应用
童纯菌,李国栋
1998(1)
摘要:采用中子活化技术测定了沉积有机质中的无机组分──痕量元素,并以此作为划分有机质类型的依据。以松辽盆地北部深层高成熟度有机质为例进行了探索。结果表明沉积有机质中V.Ni等元素的丰度与有机质母质类型的关系密切,特别是当有机质的演化程度很高时,这些元素的丰度仍有十分显著的差异,这就为划分高成熟度沉积有机质类型提供了一种新的方法。
关键词:痕量元素;沉积有机质;中子活化分析
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55
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1
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发布时间:2021-04-09
P沟MOSFET/FIPOS的γ射线总剂量辐照特性
竺士炀,黄宜平,高剑侠
1998(1)
摘要:采用高选择和自终止多孔氧化硅全隔离技术制备了高质量的SOI材料。研究了在该材料上采用2μmCMOS工艺制备的不同沟道长度的P沟MOSFET的60Coγ射线总剂量辐照特性,表明经5kGy(Si)辐照后,器件仍有特性,但阈值电压有较大的漂移,这主要是由栅氧化层中的辐照感生电荷而引起。不同沟道长度PMOSFET的辐照特性基本相同。经一段时间室温退火,阈值电压出现回漂。
关键词:FIPOS;SOI材料;PMOSFET;总剂量辐照
10
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发布时间:2021-04-09
高能Ar离子辐照聚酯薄膜潜径迹蚀刻
孙友梅,李长林,刘刚,马峰,金运范,刘杰,候明东
1998(1)
摘要:通过对000MeVAr离子辐照聚酯(PET)薄膜潜径迹蚀刻过程的研究,给出了表征PET聚合物材料特性的径迹可蚀刻性的能损阈值(dE/dX)c,并通过不同方法讨论了PET膜的径迹蚀刻速度和体蚀刻速度。
关键词:PET潜径迹;Ar离子辐照;临界能量损失率;蚀刻速度
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发布时间:2021-04-09
合肥200MeV直线加速器的束流能谱测量系统
孙葆根,方志高,王贵诚,李辉,王筠华,谢荣胜,王霁虹,张丹红
1998(1)
摘要:介绍了用分析磁铁、荧光靶、光学系统、光电二极管阵列和处理电路、示波器以及CCD摄象系统构成的合肥200MeV直线加速器的束流能谱测量系统,并用该系统对200MeV束流能量和能散进行了测量,给出了测量结果。
关键词:直线加速器;束流能谱;光电二极管阵列
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发布时间:2021-04-09
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