摘要:供电质量是影响模数转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC)性能的重要因素。为了研究电源噪声对ADC的影响,先从理论上分析了电源噪声对ADC性能的影响,然后设计了一个32 bit的低噪声ADC测试电路,利用电源分析仪给ADC电源加入已知频率和振幅的正弦波作为噪声,测试了该电源噪声对ADC性能的影响。测试结果表明:电源噪声会和ADC的输入信号相互调制,产生互调噪声,其中二阶互调噪声为主要成分。ADC供电电源的低频电源噪声更容易进入信号的频率范围内。测试结果还显示:对于具有高电源抑制比的ADC来说,开关电源的纹波和噪声对ADC的性能影响有限,而带有数字滤波器的ADC可以进一步降低电源噪声对ADC性能的影响。因此在追求电源使用效率的场景下,可以直接使用开关电源给ADC供电,而不必使用低压差线形稳压器(Low-Dropout linear regulator,LDO)供电方式。
摘要:平坦效率对于实现光中子反应的单中子、双中子和三中子事件的区分和截面的计算非常关键。介绍了一种用于逆康普顿散射γ源(Shanghai Laser Electron Gamma Source,SLEGS)光中子(γ,n)截面测量的4π平坦效率3He中子探测器阵列的设计与模拟。采用Geant4程序对平坦效率3He探测器的优化布局和效率进行了模拟,针对设计的由20只⌀50 mm×500 mm 5 cm 3He正比计数管和6只⌀25 mm×500 mm 3He正比计数管组成的4π平坦效率中子探测器,模拟给出探测器平均效率曲线在1 keV~6 MeV的效率为34.4%~45.9%。模拟中以209Bi靶为例,靶尺寸为⌀20 mm×4 mm,通过对产生中子的角分布,能谱的模拟计算,发现中子出射角度在90°对称,探测器的4π布局能够完全覆盖入射到聚乙烯慢化体的中子,出射中子能量随着中子分离能呈现出规律的变化关系;随着γ能量增加,出射道开放增多,出射中子的能量总是分布在1 keV~4 MeV之间,探测器阵列在这一能区的平均效率为40%~46%。