最新刊期
      2020 年 第 0 卷 0 期
      • 郁伟中,宋英磊,王静,朱震刚,于庆凯,徐远超
        2000(6)
        摘要：用正电子湮没寿命方法和超声衰减方法对金属铝合金和钢疲劳样品进行了测量。结果表明，在疲劳加载次数较小时，正电子参数将随着疲劳加载次数的增加而增加；但当疲劳加载次数足够大时，金属样品内部发生了结构的变化，如空位之间发生合并而形成空位团，位错之间发生合并、缠绕，这些结构的变化导致正电子平均寿命在到达最大值后下降。在用超声方法对金属疲劳样品进行测量时，观察到衰减常数有类似的变化趋势。  
        关键词：正电子湮没;超声衰减方法;金属疲劳   
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        发布时间：2021-03-12
      • 黄龙,王荣,徐勇军,朱升云
        2000(6)
        摘要：用正电子湮没寿命技术研究了2.4×1015／cm2和2．2×1016／cm285MeV19F离子辐照GaP的辐照损伤及其退火效应。结果表明，高低两种注量辐照在GaP中产生浓度较高的单空位。在300—1023K温度范围内测量了正电子湮没寿命随退火温度的变化。低注量辐照样品在退火过程中有双空位的形成；而高住量辐照样品中观察到比双空位更复杂的缺陷形式，其完全被退火的温度比低剂量辐照的高250K。  
        关键词：GaP;19F离子;辐照损伤;退火效应;正电子湮没   
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        发布时间：2021-03-12
      • 赵保钢,马忠平,刘存业,李建,林跃强
        2000(6)
        摘要：对CoFe2O4磁性液体进行了正电子湮没谱研究。结果显示，CoFe2O4磁性液体的正电子湮没谱存在3种寿命成分，分别为τ1=151．0ps，τ2=457．9ps，τ3=2325．6ps。表明在CoFe2O4超微粒表面存在大量空位和空位团。  
        关键词：磁性液体;正电子湮没;CoFe2O4超微粒;空位;空位团   
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        发布时间：2021-03-12
      • 白人骥,赵杰
        2000(6)
        摘要：用氦离子等离子体辅助分子束外延（PAMBE）方法生长了InP（InGaAsP）／IuP结构。结果发现，PAMBE外延层具有很高的电阻率和很快的光反应特性。用慢正电子湮没方法研究了这一外延层，测量结果说明这些特性与等离子体造成的缺陷及缺陷随温度变化有直接关系。  
        关键词：慢正电子湮没;氦离子等离子体;分子束外延   
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        发布时间：2021-03-12
      • 李喜贵,魏淑桃,张瑞英,程国生,戴宪起,张金仓,邢怀民
        2000(6)
        摘要：利用正电子寿命谱（PAS）对Sol－gel法制备的ZnO压敏陶瓷材料进行了研究，分析了寿命参数与材料致密度和非线性系数a之间的关系，讨论了不同的烧结温度及时间对ZnO压敏特性的影响。  
        关键词：ZnO压敏陶瓷;Sol－gel技术;正电子寿命谱   
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        发布时间：2021-03-12
      • 刘键,魏龙,王辉耀,马创新,王宝义
        2000(6)
        摘要：用正电子湮没技术和扫描电子显微镜研究了阳极氧化法制备的多孔硅材料。正电子湮没实验表明，随着阳极氧化时间的延长，平均寿命值增大，空位缺陷增多。长寿命（正电子素）成分较少。扫描电子显微镜显示，在阳极氧化过程中有尺寸为几um的单晶球形成。并观察到部分单晶球脱离后形成的微米坑。空位缺陷增多的原因可能是随着阳极氧化时间的延长，多孔硅结构向内层延伸增加了空位缺陷。但扫描电子显微镜的观察结果并不排除另一种可能：部分表面结构的变化增大了表面层的空位缺陷浓度。  
        关键词：正电子湮没;扫描电子显微镜;多孔硅   
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        发布时间：2021-03-12
      • 魏龙,王文华,王宝义,巨新,吴忠华,奎热西,李毅军,谈晓臣,马勉军
        2000(6)
        摘要：采用正电子湮没寿命谱方法对空间微重力及重力条件下生长的呼银汞（MCT）材料中的微观缺陷进行了研究。结果表明，在空间微重力条件下生长的MCT晶体中，其空位型缺陷浓度低于地球上有重句条件下生长的晶体，并且缺陷浓度沿轴向的分布比较均匀。  
        关键词：微重力;缺陷;碲镉汞   
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        发布时间：2021-03-12
      • 冯嘉祯,刘宝钧,杨文英,李莹
        2000(6)
        摘要：用正电子湮没寿命谱研究了对聚四氟乙烯和聚全氟乙丙烯进行γ辐照接枝的反应机理。结果表明；γ辐照和辐照接枝便聚合物的凝聚态结构发生了变化。随着辐照剂量的增加，接技率不断提高，而正电子湮没长寿命产生明显改变，说明了辐照接枝主要发生在非晶区以及非晶区和晶区的交界处。将实验结果与红外光谱进行了比较。  
        关键词：正电子湮没寿命;辐照;辐照接枝   
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        发布时间：2021-03-12
      • 马创新,王宝义,王文华,魏龙,张天保,王三益,徐昌华,漆宗能
        2000(6)
        摘要：采用正电子湮没对添加聚丙烯酸酯类（ACR）增韧粒子的聚氯乙烯（PVC）共混材料进行了研究。结果表明，随ACR比例的上升，PVC结构中氯原子的强电负性受到削弱，PVC主链区和结构改性剂中自由体积缺陷尺寸及数量增加。  
        关键词：正电子湮没;聚氯乙烯;改性;自由体积   
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        发布时间：2021-03-12
      • 王宝义,马创新,魏龙,王天民,阎逢元,李飞,周惠娣
        2000(6)
        摘要：采用正电子湮没方法对聚四氟乙烯、尼龙以及聚对苯二甲酸丁二醇酯材料微动摩擦后自由体积缺陷的变化规律进行了研究；结果表明，微动摩擦造成了材料内部平均自由体积尺寸增大，导致了材料的磨损及失效。  
        关键词：正电子湮没;聚合物;微动摩擦;自由体积   
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        发布时间：2021-03-12
      • 雷海乐,应三丛,张一云,徐家云
        2000(6)
        摘要：用Monte－Carlo方法模拟计算了22Na源的正电子在不同厚度Mylar膜、Ni膜衬底中的湮没几率，得出Si、Fe、PE、PP4种样品在不同Mylar膜厚度下的衬底效应。结果显示，对PE、PP样品衬底效应较Si、Fe等样品强。表明用Monte－Carlo方法计算衬底效应是可行的。  
        关键词：Monte-Carlo模拟;正电子湮没寿命谱;衬底效应   
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        发布时间：2021-03-12
      • 于润升,王宝义,魏龙,刘鹏
        2000(6)
        摘要：用成像板对常用正电子源22Na进行了一系列感光实验。结果显示，激发辐射的光子强度值f（p）与成像板所记载的正电子流强f（e+）成正比关系。在北京慢正电子束设备上进行了单能慢正电子的感光实验，结果表明，成像板是慢正电子的一种优良的二维位置灵敏探测器。  
        关键词：成像板;正电子;慢正电子束   
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        发布时间：2021-03-12
      • 于润升,魏龙,裴国玺,王宝义,陈红民,张天保,孟伯年,李大庆
        2000(6)
        摘要：介绍基于BEPCLINAC和BFELLINAC（北京正负电子对撞机和北京自由电子激光装置电子直线加速器）慢正电子束设备中正电子源部分的Monte－Carlo模拟过程。结果表明，从Ta靶出射的快正电子产额在BEPCLINAC和BFELMNAC运行于兼容模式时分别为184×1010/s和3．9×1011/s。若慢化体慢化效率在10-4量级，基于BEPCLINAC和BFELLINAC慢正电子束的慢正电子产额分别为106－107/s和107－108/s。  
        关键词：EGS4;电子直线加速器;慢正电子束流设备   
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      • 郁伟中,孙翼展
        2000(6)
        摘要：对基于Laplace变换的大型正电子寿命解谱程序CONTIN（PALS2）的原理和使用作了简要说明，在实验基础上，对用CONTIN（PALS2）程序计算的结果进行了分析，并与用POSITRONFIT程序的结果进行了比较。  
        关键词：正电子寿命谱程序;CONTIN（PALS2）   
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      • 要华,承焕生
        2000(6)
        摘要：用质子激发X荧光技术对资股、瓷釉的化学成分进行了测量，选用瓷釉和瓷胎相结合的判别方法，可以将清代的仿品与明代的真品区分开来。  
        关键词：PIXE;古代仿古瓷;青花瓷;瓷胎;瓷釉   
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      • 郁伟中,郭应焕
        2000(6)
        摘要：从正电子出发，综述了近三年多来人们在反物质和反氢方面的研究进展。  
        关键词：反物质;反粒子;正电子;反氢   
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        发布时间：2021-03-12
      • 周瑞敏,刘兆民,王锦花
        2000(6)
        摘要：介绍了橡胶辐射硫化研究的发展；橡胶辐射硫化的特点及其应用领域。国内橡胶辐射硫化的状况和国外橡胶辐射硫化工业化的规模。  
        关键词：橡胶辐射硫化;橡胶辐射预硫化;轮胎制造;轮胎组分;辐射硫化   
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