最新刊期
      2020 年 第 0 卷 0 期
      • 高正耀,陈松华,晋佩章
        1992(3)
        摘要：本文详细研究了元代钧瓷釉和仿古蓝钧釉的穆斯堡尔参数（结构铁的同质异能移、四极分裂）与烧制温度的关系,并将元代钧釉和仿古蓝钧釉的结构铁的同质异能移、四极分裂作了详细比较。从而确定元代钧窑的烧成温度在1250℃以上,烧制气氛为中等还原气氛,元代钧釉中的结构铁(Fe2+和Fe3+)的配位数可能为4。仿古蓝钧釉料具有宽阔的脱羟基和玻璃化过程.这对形成钧瓷的独特釉色是有益的。烧制温度高于1200℃时,仿古蓝钧釉的配位数与元代钧瓷釉相同。仿古蓝钧釉的材料基本上是合适的,但与元钧釉料还略有差别。  
        关键词：元代钧瓷釉;烧制条件;穆斯堡尔谱学   
        9
        |
        185
        |
        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 8402727 false
        发布时间：2021-04-09
      • 张顺开,林成鲁,周祖尧,朱文化,邹世昌
        1992(3)
        摘要：对注N+形成的SOI材料,在不同条件下注入Si+,分别使上层硅的表面、与埋层的界面及整个上层硅区域无定形化;再注入B+:能量为25keV,剂量为1×1015/cm2,并在500—900℃的温度范围内退火30min。掠角背散射沟道测试表明:上层硅的表面或与埋层的界面区域被无定形化后,在后续热退火过程中分别存在由上层硅的内部向表面及由表面向内的固相外延过程;当上层硅被全部无定形化后,在500—600℃的温度范围内,上层硅由无定形相转变成多晶相,改变退火温度没有出现固相外延过程;扩展电阻测试发现:注入硼杂质在注N+形成SOI材料上层硅中的激活率比其在单晶硅中的激活率低,利用Si+注入使上层硅的表面或与理层的界面区域无定形化及在后续热退火过程中的固相外延再生长过程能提高注入硼杂质在注N+形成SOI材料上层硅中的激活率。  
        关键词：SOI;离子注入;激活率   
        8
        |
        38
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 8402545 false
        发布时间：2021-04-09
      • 熊兴民
        1992(3)
        摘要：用正电子湮没寿命测量方法研究了在中子辐照硅单晶缺陷中正电子捕获的温度效应。寿命谱被成功地分成两个组分,长寿命组分在109—300K的温度范围有325±9 ps的常数寿命值,它被认为是在负荷电双空位捕获的正电子寿命。正电子捕获率显示一个强的负温度效应.这个捕获特征能用正电子在负荷电双空位的级联捕获来描述。在低温区正电子捕获截面以T-1.7随温度变化。  
        关键词：中子辐照;空位缺陷;正电子捕获   
        11
        |
        38
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 8402581 false
        发布时间：2021-04-09
      • 史子康,俞贤椿
        1992(3)
        摘要：本文用正电子湮没寿命谱学法研究石英片上LM皂膜的晶体质量。发现制膜工艺对质量影响很大,并分析了影响质量的原因。最后提出了合理的热处理有可能提高LM晶体膜质量。  
        关键词：正电子湮没;皂膜;热处理   
        9
        |
        16
        |
        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 8402589 false
        发布时间：2021-04-09
      • 王维洁,韩培刚,王天民,黄良甫,刘定权
        1992(3)
        摘要：用114keV的C+束,在2×1016ions/cm2和1×1017ions/cm2两种剂量下对双离子束溅射淀积DLC膜（即类金刚石碳膜）进行了辐照。基片为玻璃。辐照过程中基片温度低于80℃。用红外透射光谱、Raman光谱及其拟合以及电阻率测量等手段对膜层进行了表征。结果表明,原淀积膜含有SP3 C-C、SP2 C-C、SP3 C-H及SP2 C-H等键,并且键角是无序化的。随C+辐照,膜中SP3 C-H键相对减少,SP2 C-H键相对增多;同时,膜中键角无序化程度降低,结晶化程度增强,微晶在数量及尺寸上增大。这些结构上的变化导致了辐照膜层电阻率和红外透过率相对于原膜层大幅度的下降。  
        关键词：DLC膜;C+辐照;结构表征   
        9
        |
        42
        |
        0
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 8402637 false
        发布时间：2021-04-09
      • 陈建生,方杰,杜国平
        1992(3)
        摘要：本文简要描述同位素示踪仪的设计原理。介绍了一种三芯测井电缆同时传递多个计数管脉冲信号的电路设计。单片机软件实现低功耗液晶多路显示电路设计也有创新。  
        关键词：示踪;地下水;流向;流速;点稀释法   
        9
        |
        127
        |
        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 8402568 false
        发布时间：2021-04-09
      • 孙奉先
        1992(3)
        摘要：利用被测介质的密度和组分不同对低能光子的吸收程度不同来测量含水含气原油的平均密度和含水率,其测量精度不受油水混合状态、含气量及油品性质的影响,含水率测量范围为0—100％,用241Am源照射圆锥银片获得实用的光子源,正确地处理γ射线的逃逸峰.采用新推出的计算公式进行运算.使含水率测量的标准误差≤1.％  
        关键词：分析仪;低能光子源;质量吸收系数;逃逸峰;稳峰单道   
        11
        |
        53
        |
        3
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 8403007 false
        发布时间：2021-04-09
      • 周四春,谢庭周,葛良全
        1992(3)
        摘要：本文以各类铜矿床的地球化学异常中的元素组合为依据,研究了用国产携带式X荧光仪勘查不同类型铜矿床的方法与技术,并介绍了在东北某铜矿区用本文所述方法技术勘查铜矿的试验效果。  
        关键词：携带式X荧光仪;总量X荧光法;铜矿勘查   
        9
        |
        52
        |
        1
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 8402717 false
        发布时间：2021-04-09
      • 席德勋,庄亚
        1992(3)
        摘要：功率反馈电子直线加速器功率源的频率稳定性与磁控管功率谱的慢漂移、谱的稳定性和谱的形状有关。前两个因素影响管子振荡频率的短期稳定性,后一个因素影响其长期频率稳定性。频率稳定系统的控制精度可以用以鉴频器的检波器输出信号面积变化表示频率漂移并驱动步进电机伺服的方法来提高。以加速管入口处叠加包络的面积最大值为性能指标,以磁控管振荡频率跟踪该指标所对应的频率,可以改善振荡频率的长期稳定性。为了消除调制器对CPU工作的干扰,可用周期性地强迫CPU复位的办法来保证CPU的控制功能,本系统的频率稳定度为7×10-6。  
        关键词：频率稳定性;鉴频器;步进电机伺服;叠加包络   
        15
        |
        51
        |
        2
        <HTML>
        <网络PDF><Meta-XML>
        <引用本文> <批量引用> 8402767 false
        发布时间：2021-04-09
      0