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基于Geant4的4H-SiC中子探测器位移损伤研究
核电子学与仪器 | 更新时间：2026-03-25

    • 基于Geant4的4H-SiC中子探测器位移损伤研究

    • Study on displacement damage of 4H-SiC neutron detector based on Geant4

    • “介绍了其在辐射探测领域的研究进展，相关专家基于蒙特卡罗模拟软件Geant4，开展不同能量中子在4H - SiC中子探测器中的输运过程研究，为宽禁带半导体辐射探测技术在极端场合下的应用提供了科学依据。”
    • 核技术   2026年49卷第3期 文章编号：030403

    • DOI：10.3724/j.0253-3219.2026.hjs.49.250389    

      中图分类号： TL816+.3

    • 收稿：2025-10-16，

      修回：2025-12-05，

      纸质出版：2026-03-15

    移动端阅览

  • 王飞鹏,张婷,杨国威等.基于Geant4的4H-SiC中子探测器位移损伤研究[J].核技术,2026,49(03):030403. DOI： 10.3724/j.0253-3219.2026.hjs.49.250389. CSTR： 32193.14.hjs.CN31-1342/TL.2026.49.250389.

    WANG Feipeng,ZHANG Ting,YANG Guowei,et al.Study on displacement damage of 4H-SiC neutron detector based on Geant4[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2026,49(03):030403. DOI： 10.3724/j.0253-3219.2026.hjs.49.250389. CSTR： 32193.14.hjs.CN31-1342/TL.2026.49.250389.

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