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辐照诱导碳化硅晶格肿胀及其在辐照温度监测中的应用探索
核能科学与工程 | 更新时间：2026-07-14

    • 辐照诱导碳化硅晶格肿胀及其在辐照温度监测中的应用探索

    • Irradiation-induced lattice swelling in SiC and its potential application in irradiation temperature monitoring

    • 核技术   2026年49卷第6期 文章编号：060605

    • DOI：10.3724/j.0253-3219.2026.hjs.49.250294    

      中图分类号： TL375.1+7

    • 收稿：2025-08-01，

      修回：2026-01-07，

      纸质出版：2026-06-15

    移动端阅览

  • 欧雪莲,李小龙,王泳鲢等.辐照诱导碳化硅晶格肿胀及其在辐照温度监测中的应用探索[J].核技术,2026,49(06):060605. DOI： 10.3724/j.0253-3219.2026.hjs.49.250294. CSTR： 32193.14.hjs.CN31-1342/TL.2026.49.250294.

    OU Xuelian,LI Xiaolong,WANG Yonglian,et al.Irradiation-induced lattice swelling in SiC and its potential application in irradiation temperature monitoring[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2026,49(06):060605. DOI： 10.3724/j.0253-3219.2026.hjs.49.250294. CSTR： 32193.14.hjs.CN31-1342/TL.2026.49.250294.

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