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Toggle MRAM电离总剂量与瞬态电离辐射效应研究
核物理、交叉学科研究 | 更新时间：2026-03-25

    • Toggle MRAM电离总剂量与瞬态电离辐射效应研究

    • Total ionization dose and transient dose rate effects of a Toggle magnetoresistive random access memory

    • “介绍了其在存储器辐射效应领域的研究进展，专家设计了一套远程在线测试系统，对MRAM在不同模式下开展辐射效应实验，发现其在特定条件下会出现功能异常，为提升存储器抗辐射性能提供了重要参考。”
    • 核技术   2026年49卷第3期 文章编号：030503

    • DOI：10.3724/j.0253-3219.2026.hjs.49.250185    

      中图分类号： TN386.1

    • 收稿：2025-04-26，

      修回：2025-09-16，

      纸质出版：2026-03-15

    移动端阅览

  • 熊涔,杜川华,陈泉佑等.Toggle MRAM电离总剂量与瞬态电离辐射效应研究[J].核技术,2026,49(03):030503. DOI： 10.3724/j.0253-3219.2026.hjs.49.250185. CSTR： 32193.14.hjs.CN31-1342/TL.2026.49.250185.

    XIONG Cen,DU Chuanhua,CHEN Quanyou,et al.Total ionization dose and transient dose rate effects of a Toggle magnetoresistive random access memory[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2026,49(03):030503. DOI： 10.3724/j.0253-3219.2026.hjs.49.250185. CSTR： 32193.14.hjs.CN31-1342/TL.2026.49.250185.

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