一款BCD工艺编码器控制电路的抗总剂量性能研究

许世萍; 崔江维; 郑齐文; 李小龙; 刘刚; 邢康伟; 陈亚文; 施炜雷; 郭旗; 李豫东

doi:10.11889/j.0253-3219.2025.hjs.48.240506

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一款BCD工艺编码器控制电路的抗总剂量性能研究

核电子学与仪器 | 更新时间：2025-09-01

- 一款BCD工艺编码器控制电路的抗总剂量性能研究
- Research on the total ionizing dose effects of a BCD process encoder control circuit
- “在BCD工艺光电编码器控制电路领域，专家开展了电离总剂量辐射效应研究，揭示了编码器辐射损伤机理，为提高电路抗辐射能力提供解决方案。”
- 核技术 2025年48卷第8期文章编号：080404
- 作者机构：
  
  1.中国科学院新疆理化技术研究所新疆极端环境电子学重点实验室特殊环境条件功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐 830011
  2.中国科学院大学北京 100049
  3.北京燕东微电子科技有限公司北京 100176
- 作者简介：
  
  许世萍，女，1998年出生，2020年毕业于电子科技大学，现为博士研究生，研究领域为半导体器件辐射效应相关
  崔江维，E-mail：cuijw@ms.xjb.ac.cn
  李豫东，E-mail：lydong@ms.xjb.ac.cn
- 基金信息：
  
  国家重点研发计划项目(2021YFB2401602);国家自然科学基金(12275352;12475290);新疆维吾尔自治区自然科学基金项目(2022D01E92);新疆维吾尔自治区青年科技创新项目(2022TSYCCX0075;2022TSYCCX0014)
- DOI：10.11889/j.0253-3219.2025.hjs.48.240506
  中图分类号： TN432
- 收稿日期：2024-12-11，
  
  修回日期：2025-01-26，
  
  纸质出版日期：2025-08-15
- 稿件说明：
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许世萍,崔江维,郑齐文等.一款BCD工艺编码器控制电路的抗总剂量性能研究[J].核技术,2025,48(08):080404.

XU Shiping,CUI Jiangwei,ZHENG Qiwen,et al.Research on the total ionizing dose effects of a BCD process encoder control circuit[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2025,48(08):080404.
许世萍,崔江维,郑齐文等.一款BCD工艺编码器控制电路的抗总剂量性能研究[J].核技术,2025,48(08):080404. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2025.hjs.48.240506. CSTR： 32193.14.hjs.CN31-1342/TL.2025.48.240506.

XU Shiping,CUI Jiangwei,ZHENG Qiwen,et al.Research on the total ionizing dose effects of a BCD process encoder control circuit[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2025,48(08):080404. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2025.hjs.48.240506. CSTR： 32193.14.hjs.CN31-1342/TL.2025.48.240506.

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一款BCD工艺编码器控制电路的抗总剂量性能研究

Research on the total ionizing dose effects of a BCD process encoder control circuit

DOI：10.11889/j.0253-3219.2025.hjs.48.240506