磷化铟基高电子迁移率晶体管辐照效应研究现状

方仁凤; 周书星; 曹文彧; 魏彦锋; 汪竞阳; 李树森; 颜家圣; 梁桂杰

doi:10.11889/j.0253-3219.2025.hjs.48.230127

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磷化铟基高电子迁移率晶体管辐照效应研究现状

综述 | 更新时间：2025-02-13

- 磷化铟基高电子迁移率晶体管辐照效应研究现状
- Research progress on irradiation effect of InP-based high electron mobility transistors
- “在空间通信领域，高能粒子辐射对磷化铟基高电子迁移率晶体管性能的影响及抗辐射加固技术研究取得进展，为提升空间通信系统可靠性提供参考。”
- 核技术 2025年48卷第1期文章编号：010003
- 作者机构：
  
  1.湖北文理学院低维光电材料与器件湖北省重点实验室襄阳 441053
  2.湖北台基半导体股份有限公司大功率半导体技术湖北省重点实验室襄阳 441021
- 作者简介：
  
  方仁凤，女，1998年出生，2021年毕业于湖北文理学院，现为硕士研究生，研究领域为化合物半导体材料与器件
  周书星，E-mail：sxzhou@hbuas.edu.cn
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(11705277);湖北文理学院研究生教育质量工程项目(YZ3202405);襄阳市科技计划项目(2022ABH006045)
- DOI：10.11889/j.0253-3219.2025.hjs.48.230127
  中图分类号： TL99
- 收稿日期：2023-10-13，
  
  纸质出版日期：2025-01-15
- 稿件说明：
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方仁凤,周书星,曹文彧等.磷化铟基高电子迁移率晶体管辐照效应研究现状[J].核技术,2025,48(01):010003-010003.

FANG Renfeng,ZHOU Shuxing,CAO Wenyu,et al.Research progress on irradiation effect of InP-based high electron mobility transistors[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2025,48(01):010003-010003.
方仁凤,周书星,曹文彧等.磷化铟基高电子迁移率晶体管辐照效应研究现状[J].核技术,2025,48(01):010003-010003. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2025.hjs.48.230127. CSTR： 32193.14.hjs.CN31-1342/TL.2025.48.230127.

FANG Renfeng,ZHOU Shuxing,CAO Wenyu,et al.Research progress on irradiation effect of InP-based high electron mobility transistors[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2025,48(01):010003-010003. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2025.hjs.48.230127. CSTR： 32193.14.hjs.CN31-1342/TL.2025.48.230127.

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磷化铟基高电子迁移率晶体管辐照效应研究现状

Research progress on irradiation effect of InP-based high electron mobility transistors

DOI：10.11889/j.0253-3219.2025.hjs.48.230127