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沟槽型MOSFET放大器γ射线辐照效应研究
核电子学与仪器 | 更新时间：2025-01-07
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    • 沟槽型MOSFET放大器γ射线辐照效应研究

    • Gamma ray irradiation response of the trench MOSFET amplifier

    • “在核环境作业机器人领域，研究者对沟槽型MOSFET放大器进行辐照测试，揭示了其失效机理，为高抗辐照性能电子器件研发提供重要参考。”
    • 核技术   2024年47卷第11期 文章编号：110403

    • DOI：10.11889/j.0253-3219.2024.hjs.47.110403    

      中图分类号： TN386.1

    • 收稿日期：2024-05-19，

      修回日期：2024-06-03，

      纸质出版日期：2024-11-15

    移动端阅览

  • 唐军,农淑英,罗玉文等.沟槽型MOSFET放大器γ射线辐照效应研究[J].核技术,2024,47(11):110403. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2024.hjs.47.110403. CSTR： 32193.14.hjs.CN31-1342/TL.2024.47.110403.

    TANG Jun,NONG Shuying,LUO Yuwen,et al.Gamma ray irradiation response of the trench MOSFET amplifier[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2024, 47(11):110403. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2024.hjs.47.110403. CSTR： 32193.14.hjs.CN31-1342/TL.2024.47.110403.

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