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中国散裂中子源自研前端专用芯片CSNS_VASD性能测试
核电子学与仪器 | 更新时间：2024-10-25
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    • 中国散裂中子源自研前端专用芯片CSNS_VASD性能测试

      增强出版

    • Performance test of front-end ASIC chip CSNS_VASD developed for China Spallation Neutron Source

    • “在散裂中子源工程领域，中国专家研制的CSNS_VASD芯片，验证了探测器性能，为工程顺利建设提供技术保障。”
    • 核技术   2024年47卷第7期 文章编号：070401

    • DOI：10.11889/j.0253-3219.2024.hjs.47.070401    

      中图分类号： TL82

    • 收稿日期：2023-01-09，

      修回日期：2023-05-10，

      纸质出版日期：2024-07-15

    移动端阅览

  • 杨浩,路书祥,李怀申等.中国散裂中子源自研前端专用芯片CSNS_VASD性能测试[J].核技术,2024,47(07):070401-070401. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2024.hjs.47.070401.

    YANG Hao,LU Shuxiang,LI Huaishen,et al.Performance test of front-end ASIC chip CSNS_VASD developed for China Spallation Neutron Source[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2024,47(07):070401-070401. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2024.hjs.47.070401.

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