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忆阻器辐照效应研究现状及发展趋势
综述 | 更新时间：2024-10-25
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    • 忆阻器辐照效应研究现状及发展趋势

    • Research status and development trends of irradiation effects on memristor

    • “在空间科学与应用领域，忆阻器作为新型非易失性存储器和人工神经突触器件的有力候选者，其抗辐照性能至关重要。本文综述了忆阻器辐照效应的研究现状和趋势，为忆阻器抗辐照加固与空间应用提供思路。”
    • 核技术   2022年45卷第11期 文章编号：110001

    • DOI：10.11889/j.0253-3219.2022.hjs.45.110001    

      中图分类号： TL99

    • 收稿日期：2022-07-21，

      修回日期：2022-09-27，

      纸质出版日期：2022-11-15

    移动端阅览

  • 王宇翔,汤戈,肖尧等.忆阻器辐照效应研究现状及发展趋势[J].核技术,2022,45(11):110001 DOI： 10.11889/j.0253-3219.2022.hjs.45.110001.

    WANG Yuxiang,TANG Ge,XIAO Yao,et al.Research status and development trends of irradiation effects on memristor[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2022,45(11):110001 DOI： 10.11889/j.0253-3219.2022.hjs.45.110001.

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相关作者

杨新宇
韩金华
陈启明
张付强
李治明
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刘翠翠
彭海波

相关机构

中国原子能科学研究院
国防科技工业抗辐照应用技术创新中心
兰州大学
兰州大学 核科学与技术学院
西北核技术研究所
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