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SiC MOSFET单粒子效应研究现状
综述 | 更新时间：2024-10-25
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    • SiC MOSFET单粒子效应研究现状

    • Recent research progress of single particle effect of SiC MOSFET

    • “在核能与空间技术领域，SiC MOSFET器件的单粒子效应问题日益突出。专家系统总结了国内外研究进展，为深入认识该问题提供参考。”
    • 核技术   2022年45卷第1期 文章编号：010001

    • DOI：10.11889/j.0253-3219.2022.hjs.45.010001    

      中图分类号： TL99

    • 收稿日期：2021-10-13，

      修回日期：2021-11-23，

      纸质出版日期：2022-01-15

    移动端阅览

  • 刘翠翠,郭刚,李治明等.SiC MOSFET单粒子效应研究现状[J].核技术,2022,45(01):1-14. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2022.hjs.45.010001.

    LIU Cuicui,GUO Gang,LI Zhiming,et al.Recent research progress of single particle effect of SiC MOSFET[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2022,45(01):1-14. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2022.hjs.45.010001.

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相关作者

杨新宇
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重庆大学 光电工程学院
中国原子能科学研究院 国防科技工业抗辐照应用技术创新中心
中国原子能科学研究院
中国科学院空间科学与应用研究中心
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