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硅单晶辐照中子注量测量的反应截面影响研究
核物理、交叉学科研究 | 更新时间：2024-10-25
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    • 硅单晶辐照中子注量测量的反应截面影响研究

    • Study on measurement influence of reaction cross-section for irradiated neutron fluence in single-crystal silicon

    • “在硅单晶中子嬗变掺杂辐照热中子注量测量领域，专家基于Stoughton-Halperin约定关系，确立了二元一次方程组求解法和线性最小二乘拟合法，有效抑制了截面差异引入的测量影响。”
    • 核技术   2021年44卷第11期 文章编号：110502

    • DOI：10.11889/j.0253-3219.2021.hjs.44.110502    

      中图分类号： TL99

    • 收稿日期：2021-06-15，

      修回日期：2021-10-25，

      纸质出版日期：2021-11-15

    移动端阅览

  • 王云波,操节宝,吴清丽等.硅单晶辐照中子注量测量的反应截面影响研究[J].核技术,2021,44(11):67-72. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2021.hjs.44.110502.

    WANG Yunbo,CAO Jiebao,WU Qingli,et al.Study on measurement influence of reaction cross-section for irradiated neutron fluence in single-crystal silicon[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2021,44(11):67-72. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2021.hjs.44.110502.

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朱世峰
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中国科学院大学
中国科学院上海应用物理研究所
中国工程物理研究院 核物理与化学研究所
清华大学 工程物理系
四川大学 物理科学与技术学院 核工程与核技术系
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