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180 nm CMOS微处理器辐照效应敏感外设及其损伤剂量的概率模型分析
核物理、交叉学科研究 | 更新时间：2024-10-25
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    • 180 nm CMOS微处理器辐照效应敏感外设及其损伤剂量的概率模型分析

    • Radiation effect sensitive peripheral of 180 nm CMOS microprocessor and probabilistic model analysis of its damage dose

    • “在180纳米互补金属氧化物半导体微处理器领域，专家分析了片内外设对电离辐照的敏感性，建立了片内闪存存储器失效概率模型，为抗辐射设计提供参考。”
    • 核技术   2021年44卷第3期

    • DOI：10.11889/j.0253-3219.2021.hjs.44.030502    

      中图分类号： TL99

    • 收稿日期：2020-09-21，

      修回日期：2020-12-15，

      纸质出版日期：2021-03-15

    移动端阅览

  • 刘一宁,杨亚鹏,陈法国等.180 nm CMOS微处理器辐照效应敏感外设及其损伤剂量的概率模型分析[J].核技术,2021,44(03):030502. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2021.hjs.44.030502.

    LIU Yining,YANG Yapeng,CHEN Faguo,et al.Radiation effect sensitive peripheral of 180 nm CMOS microprocessor and probabilistic model analysis of its damage dose[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2021,44(03):030502. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2021.hjs.44.030502.

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