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非易失性阻变存储器总剂量效应试验研究
核物理、交叉学科研究 | 更新时间：2024-10-25
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    • 非易失性阻变存储器总剂量效应试验研究

    • Experimental study on the total ionizing dose effects of nonvolatile RRAM

    • “在航天领域，新型非易失性存储器RRAM的抗辐射能力研究取得进展。专家分析了RRAM的总剂量效应失效机理，为提高航天器电子系统的可靠性提供解决方案。”
    • 核技术   2020年43卷第12期

    • DOI：10.11889/j.0253-3219.2020.hjs.43.120502    

      中图分类号： TL99

    • 收稿日期：2020-09-11，

      修回日期：2020-11-12，

      纸质出版日期：2020-12-15

    移动端阅览

  • 常思远,杨生胜,文轩等.非易失性阻变存储器总剂量效应试验研究[J].核技术,2020,43(12):65-71. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2020.hjs.43.120502.

    CHANG Siyuan,YANG Shengsheng,WEN Xuan,et al.Experimental study on the total ionizing dose effects of nonvolatile RRAM[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2020,43(12):65-71. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2020.hjs.43.120502.

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