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VDMOS电离辐射效应快速评估方法
核物理、交叉学科研究 | 更新时间：2024-10-25
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    • VDMOS电离辐射效应快速评估方法

    • A fast evaluation method for ionization radiation effect of VDMOS

    • “在半导体器件领域，研究人员探索了高压VDMOS的抗辐射能力快速评估方法，通过高温辐照缩短了测试周期，为高压VDMOS器件的抗电离辐射能力评估提供了解决方案。”
    • 核技术   2020年43卷第5期 文章编号：050503

    • DOI：10.11889/j.0253-3219.2020.hjs.43.050503    

      中图分类号： TL99

    • 收稿日期：2019-09-05，

      修回日期：2019-12-17，

      纸质出版日期：2020-05-15

    移动端阅览

  • 崔帅,王义元,李彩等.VDMOS电离辐射效应快速评估方法[J].核技术,2020,43(05):49-53. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2020.hjs.43.050503.

    CUI Shuai,WANG Yiyuan,LI Cai,et al.A fast evaluation method for ionization radiation effect of VDMOS[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2020,43(05):49-53. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2020.hjs.43.050503.

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