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CMOS图像传感器单粒子效应及加固技术研究进展
核物理、交叉学科研究 | 更新时间：2024-10-25
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    • CMOS图像传感器单粒子效应及加固技术研究进展

    • Progress of single event effects and hardening technology of CMOS image sensors

    • “CMOS图像传感器在空间应用中受粒子辐照影响，专家综述了其单粒子效应研究进展，为相关研究提供理论参考。”
    • 核技术   2020年43卷第1期

    • DOI：10.11889/j.0253-3219.2020.hjs.43.010502    

      中图分类号： TN386

    • 收稿日期：2019-08-12，

      修回日期：2019-11-27，

      纸质出版日期：2020-01-15

    移动端阅览

  • 蔡毓龙,李豫东,文林等.CMOS图像传感器单粒子效应及加固技术研究进展[J].核技术,2020,43(01):48-56. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2020.hjs.43.010502.

    CAI Yulong,LI Yudong,WEN Lin,et al.Progress of single event effects and hardening technology of CMOS image sensors[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2020,43(01):48-56. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2020.hjs.43.010502.

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相关作者

陈启明
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南京市疾病预防控制中心 职业放射卫生科
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