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180 nm CMOS微处理器辐照损伤剂量的实验研究
核电子学与仪器 | 更新时间：2024-10-25
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    • 180 nm CMOS微处理器辐照损伤剂量的实验研究

    • Experimental study on irradiation damage dose of 180 nm CMOS MCU

    • “在微处理器辐射效应研究领域，专家设计了STM32微处理器总剂量效应实验，验证了片内FLASH存储器最先损伤，为抗辐射加固技术提供数据支持。”
    • 核技术   2019年42卷第11期

    • DOI：10.11889/j.0253-3219.2019.hjs.42.110401    

      中图分类号： TL99

    • 收稿日期：2019-07-01，

      修回日期：2019-09-26，

      纸质出版日期：2019-11-10

    移动端阅览

  • 陈法国,郭荣,李国栋等.180 nm CMOS微处理器辐照损伤剂量的实验研究[J].核技术,2019,42(11):57-62. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2019.hjs.42.110401.

    CHEN Faguo,GUO Rong,LI Guodong,et al.Experimental study on irradiation damage dose of 180 nm CMOS MCU[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2019,42(11):57-62. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2019.hjs.42.110401.

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