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次级电子不平衡对CMOS器件敏感区吸收剂量和电离总效应的影响
加速器技术、射线技术及应用 | 更新时间：2024-10-25
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    • 次级电子不平衡对CMOS器件敏感区吸收剂量和电离总效应的影响

    • Effect of secondary electron non-equilibrium on the absorbed doses of CMOS device sensitive area and total ionizing dose effect

    • “在CMOS器件抗辐射领域，专家采用蒙特卡罗方法分析了器件吸收剂量与标称辐照剂量的差异，评估了次级电子不平衡对器件敏感区吸收剂量和电离总剂量效应的影响程度，为提高器件抗辐射水平提供解决方案。”
    • 核技术   2019年42卷第7期

    • DOI：10.11889/j.0253-3219.2019.hjs.42.070203    

      中图分类号： TL72

    • 收稿日期：2019-04-11，

      修回日期：2019-04-23，

      纸质出版日期：2019-07-10

    移动端阅览

  • 汪元坤,王倩,王涛等.次级电子不平衡对CMOS器件敏感区吸收剂量和电离总效应的影响[J].核技术,2019,42(07):1-6. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2019.hjs.42.070203.

    WANG Yuankun,WANG Qian,WANG Tao,et al.Effect of secondary electron non-equilibrium on the absorbed doses of CMOS device sensitive area and total ionizing dose effect[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2019,42(07):1-6. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2019.hjs.42.070203.

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