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总剂量和重离子协同作用下浮栅单元错误的退火特性研究
核物理、交叉学科研究 | 更新时间：2024-10-25
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    • 总剂量和重离子协同作用下浮栅单元错误的退火特性研究

    • Annealing behavior study on floating gate errors induced by γ followed by heavy ion irradiation

    • “中国科学院新疆理化技术研究所利用60Co γ射线源和兰州重离子加速器，对25 nm商用Flash存储器进行总剂量效应和单粒子效应实验，分析了辐照总剂量对浮栅单元错误退火特性的影响。”
    • 核技术   2019年42卷第1期

    • DOI：10.11889/j.0253-3219.2019.hjs.42.010502    

      中图分类号： O571.33;TL99

    • 收稿日期：2018-04-03，

      修回日期：2018-08-20，

      纸质出版日期：2019-01-10

    移动端阅览

  • 殷亚楠,刘杰,姬庆刚等.总剂量和重离子协同作用下浮栅单元错误的退火特性研究[J].核技术,2019,42(01):49-55. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2019.hjs.42.010502.

    YIN Yanan,LIU Jie,JI Qinggang,et al.Annealing behavior study on floating gate errors induced by γ followed by heavy ion irradiation[J].NUCLEAR TECHNIQUES,2019,42(01):49-55. DOI： 10.11889/j.0253-3219.2019.hjs.42.010502.

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