您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
基于0.13 μm CMOS工艺的时间内插时间数字转换器设计与测试
核电子学与仪器 | 更新时间:2021-05-19
    • 基于0.13 μm CMOS工艺的时间内插时间数字转换器设计与测试

    • Design and test of time-interpolation TDC based on 0.13μm CMOS process

    • 核技术   2018年41卷第4期 文章编号:040401
    • DOI:10.11889/j.0253-3219.2018.hjs.41.040401    

      中图分类号: TL824
    • 收稿日期:2017-06-16,

      修回日期:2017-10-20,

      纸质出版日期:2018-04-10

    移动端阅览

  • 葛达, 梁福田, 王鑫喆, 等. 基于0.13 μm CMOS工艺的时间内插时间数字转换器设计与测试[J]. 核技术, 2018,41(4):040401 DOI: 10.11889/j.0253-3219.2018.hjs.41.040401.

    Da GE, Futian LIANG, Xinzhe WANG, et al. Design and test of time-interpolation TDC based on 0.13μm CMOS process[J]. Nuclear techniques, 2018, 41(4): 040401 DOI: 10.11889/j.0253-3219.2018.hjs.41.040401.

  •  
  •  

0

浏览量

25

下载量

2

CSCD

文章被引用时,请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

闪烁体中子探测器读出ASIC-MaPMT_v10性能测试的设计与实现

相关作者

濮亚男
曾 云
赵豫斌
李怀申
吴文欢
陈少佳

相关机构

湖南大学 物理与微电子科学学院
东莞中子科学中心
中国科学院高能物理研究所
0