硅中BF<sub>2</sub><sup>+</sup>注入束流效应的掠角背散射沟道分析

李晓勤; 林成鲁; 杨根庆; 周祖尧; 邹世昌; E.Ktai

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硅中BF₂⁺注入束流效应的掠角背散射沟道分析

更新时间：2021-04-20

- 硅中BF₂⁺注入束流效应的掠角背散射沟道分析
- Grazing angle RBS-channeling analysis of beam current effects in BF₂⁺ implanted Si
- 核技术 1991年第4期
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院上海冶金研究所
  2. Central Research Institute For Physics of the Hungarian Academy of Sciences
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1991-04-01
- 稿件说明：
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[1]李晓勤,林成鲁,杨根庆,周祖尧,邹世昌,E.Ktai.硅中BF_2~+注入束流效应的掠角背散射沟道分析[J].核技术,1991(04):217-220.

Li Xiaoqin Lin Chenglu Yang Genqing Zhou Zuyao Zou Shichang. Grazing angle RBS-channeling analysis of beam current effects in BF₂⁺ implanted Si[J]. Nuclear techniques, 1991, (4): 217-220.
[1]李晓勤,林成鲁,杨根庆,周祖尧,邹世昌,E.Ktai.硅中BF_2~+注入束流效应的掠角背散射沟道分析[J].核技术,1991(04):217-220. DOI：

Li Xiaoqin Lin Chenglu Yang Genqing Zhou Zuyao Zou Shichang. Grazing angle RBS-channeling analysis of beam current effects in BF₂⁺ implanted Si[J]. Nuclear techniques, 1991, (4): 217-220. DOI：

摘要

本文用掠角背散射沟道分析技术研究了能量为147keV

剂量为2×10

/cm

束流为20—140μA（束流强度0.41—2.86μA/cm

）的BF

注入后的

100

Si样品

分析了离子注入损伤的深度分布和移位原子浓度的变化

发现了用常规背散射沟道分析技术所不能观测到的表层损伤的束流效应细节

并对这些现象进行了讨论。

Abstract

Defects in （100） Si implanted with 147 keV

2 ×1015/cm2 BF2+ at room temperature were studied as a function of the implant current. The beam current varied from 20 to 140μA （dose rate 0. 41-2. 86μA/cm2）. Using the grazing angle RBS-channeiing （scattering angle θ= 97°） instead of the conventional one （θ=165°）

details of the damage distribution in near surface region （10-100nm depth） were analyzed. It was demonstrated that at an interested beam current no thermally-induced defect annealing was observed in bulk region while in near surface region （-30nm） the molecular effects would contribute to the beam current effects observed.

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Grazing angle RBS-channeling analysis of beam current effects in BF2+ implanted Si

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Grazing angle RBS-channeling analysis of beam current effects in BF₂⁺ implanted Si