您当前的位置：
首页 >
文章列表页 >
电子辐照对半导体器件反向击穿电压的影响
更新时间：2021-04-20
|

    • 电子辐照对半导体器件反向击穿电压的影响

    • Influence of electron irradiation on backward breakdown voltage of semiconductor devices

    • 核技术   1991年第4期

    • 纸质出版日期：1991-04-01

    移动端阅览

  • [1]许志祥.电子辐照对半导体器件反向击穿电压的影响[J].核技术,1991(04):253-255. DOI：

    Xu Zhixiang. Influence of electron irradiation on backward breakdown voltage of semiconductor devices[J]. Nuclear techniques, 1991, (4): 253-255. DOI：

  •  
  •  

0

浏览量

147

下载量

3

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

利用TDPAC方法研究电子对金属的辐射损伤
电子辐照控制少子寿命及所形成缺陷的性质

相关作者

倪新伯
徐金龙
张增光
王德仁
刘钰铭
孙恒慧
徐瑗

相关机构

中国科学院上海原子核研究所
上海整流器厂
上海化工研究院
复旦大学
西安整流器研究所
0