CMOS 运算放大器的总剂量辐射响应和时间退火特性

陆妩; 郭旗; 余学锋; 张国强; 任迪远; 严荣良

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CMOS 运算放大器的总剂量辐射响应和时间退火特性

更新时间：2021-04-09

- CMOS 运算放大器的总剂量辐射响应和时间退火特性
- Radiation effects and recovering properties of CMOS operational amplifier LF7650 irradiated by 1MeV electrons
- 核技术 1997年第12期
- 作者机构：
  
  中国科学院新疆物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TL821
- 纸质出版日期：1997-12-01
- 稿件说明：
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[1]陆妩,郭旗,余学锋,张国强,任迪远,严荣良.CMOS 运算放大器的总剂量辐射响应和时间退火特性[J].核技术,1997(12):50-53.

Lu Wu Guo Qi Yu Xuefeng Zhang Guoqiang Ren Diyuan Yan Rongliang. Radiation effects and recovering properties of CMOS operational amplifier LF7650 irradiated by 1MeV electrons[J]. Nuclear techniques, 1997, (12).
[1]陆妩,郭旗,余学锋,张国强,任迪远,严荣良.CMOS 运算放大器的总剂量辐射响应和时间退火特性[J].核技术,1997(12):50-53. DOI：

Lu Wu Guo Qi Yu Xuefeng Zhang Guoqiang Ren Diyuan Yan Rongliang. Radiation effects and recovering properties of CMOS operational amplifier LF7650 irradiated by 1MeV electrons[J]. Nuclear techniques, 1997, (12). DOI：

摘要

对ＣＭＯＳ运算放大器ＬＦ７６５０进行了１ＭｅＶ电子的电离辐照实验，研究了ＬＦ７６５０的总剂量电离辐射响应特性和抗总剂量辐射水平，并通过研究其辐照后在室温和１００℃高温条件下电离辐照敏感参数随时间的变化关系，分析了在电离辐射环境下ＣＭＯＳ运算放大器的损伤机制及参数失效机理。

Abstract

The CMOS operational amplifier LF7650 was exposed to 1MeV electrons

and its radiation response to total dose level of electrons were investigated. The mechanisms of radiation damage and performance failure discussed in terms of recovery of the radiation susceptive characteristics in relations with time after irradiation.

关键词

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相关机构

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武汉大学物理与科学技术学院核固体物理湖北省重点实验室

中国科学院上海应用物理研究所

中国科学院大学

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